Design and Fabrication of Six-Channel Complex-Coupled DFB Quantum Cascade Laser Arrays Based on a Sampled Grating

We designed and fabricated a six-channel complex-coupled distributed feedback （DFB） quantum cascade laser arrays based on a sampled Bragg grating. The six-channel DFB laser arrays exhibit a linear tuning range of 74nm centered at a wavelength of 7.55μm at room temperature. Robust single-mode emission with a side mode suppression ratio about 20 dB was observed, even at full power. The used sampled grating and reflectivity coating on the back facet lead to the peak output power varying from 55 to 82 m W with a small difference in slope efficiency from 100 to 128mW/A.     

AlGaN合金中局域态和极化电场的竞争机制

通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块Al_xGa_1-xN样品,利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象,提出了局域态-内部极化电场竞争的机制。通过对实验数据的分析,得出如下重要结论：样品PL峰位蓝移的温度起点基本对应于局域态和极化电场起作用的交替点,PL峰位发生蓝移的温度起点与光强-温度曲线的斜率出现明显变化的温度点一致;随着温度的升高,若AlGaN合金样品中PL峰位存在二次蓝移,则说明样品中电场分布不均匀。     

湿法氧化Al0.85Ga0.15As时SiO2层的保护作用

本文研究了有无氧化硅保护层时Al0.85Ga0.15As层的高温湿法氧化。实验结果表明：氧化硅层对Al0.85Ga0.15As层的高温侧向湿法氧化速率基本无影响;被氧化区域SEM图像的衬度和有氧化硅保护层样品As拉曼峰的缺乏归因于被氧化区域中不存在氧化反应产物As,这有利于提高氧化层的热稳定性;有SiO2保护层样品的发光强度比无SiO2保护层样品的发光强度强的多,且具有SiO2保护层样品的发光峰位和半高全宽与氧化前的样品基本一致,而无SiO2保护层样品的发光峰位红移,半高宽展宽,这是由于氧化硅层阻止了GaAs盖层的氧化。     

侧基发光性单体与无机纳米颗粒的组装及其光学性质

发光二极管可广泛应用于计算机、电视以及公共场所大型平板显示器等领域 .其所用的发光材料包括无机材料、有机小分子材料和高分子材料等几类 .作为发光材料要具有高的发光效率,良好的稳定性,以及为了实现全色显示其发光波长要能调节 .发光波长的调节,一般是通过能带的变化来实现 .通常使能带变化的方法有掺杂、改变共轭长度（有机材料） [1－ 4]、和改变颗粒大小（半导体纳米材料） [5, 6]等 .我们在进行无机半导体纳米材料与有机分子材料的组装复合时发现有机发光分子在无机颗粒表面的有序排列也能使发光波长显著变化,这可望成为调…     

Research and Development of Electronic and Optoelectronic Materials in China

A review on the research and development of electronic and optoelectronic materials in China, including the main scientific activities in this field, is presented. The state-of-the-arts and prospects of the electronic and optoelectronic materials in China are briefly introduced, such as those of silicon crystals, compound semiconductors, synthetic crystals, especially nonlinear optical crystals and rare-earth permanent magnets materials, etc. , with a greater emphasis on Chinese scientist's contributions to the frontier area of nanomaterials and nanostructures in the past few years. A new concept of the trip chemistry proposed by Dr. Liu Zhongfan from Peking University has also been described. Finally the possible research grants and the national policy to support the scientific research have been discussed.     

金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征

在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.     

在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异

运用金属有机气相外延设备 ,在蓝宝石衬底两个相反取向的 c面上同时生长六方相氮化镓薄膜 .对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究 .发现这两个薄膜有许多不同之处     

MOCVD生长的InGaN合金的性质

对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当的生长温度 (75 0℃ )提高了样品中 In的含量和 PL 强度。当 / 族比率大约 5 0 0 0时 ,75 0℃生长的样品背景载流子浓度约为 2 .2 1× 10 1 8cm- 3,In含量约为 11.5 4% .其室温 394nm的带边峰 ,半高宽约为 116 me V,束缚能约为 32 .4m e V,可能与束缚激子发光相关 .该样品禁带宽度随温度变化的温度系数 α (d E/ d T)约为 0 .5 6× 10 - 3e V/ K.较高温度 (80 0℃和 90 0℃ )生长的样品 In含量较低 ,PL 强度较弱 ,且在样     

MOCVD生长的InGaN合金的性质

对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量．结果表明:适当的生长温度(750℃)提高了样品中In的含量和PL强度。当Ⅴ/Ⅲ族比率大约5000时,750℃生长的样品背景载流子浓度约为2.21×1018cm-3,In含量约为11.54%．其室温394nm的带边峰,半高宽约为116meV,束缚能约为32.4meV,可能与束缚激子发光相关．该样品禁带宽度随温度变化的温度系数α(dE/dT)约为0.56×10-3eV/K．较高温度(800℃和900℃)生长的样品In含量较低,PL强度较弱,且在样品表面析出了金属In滴．     

在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异

运用金属有机气相外延设备,在蓝宝石衬底两个相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜．对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究．发现这两个薄膜有许多不同之处．