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301.
利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向. 相似文献
303.
金刚石在很多领域有着广泛的用途[1] ,因而金刚石的生长技术历来受到重视。在众多的生长技术中 ,质量选择粒子束 (MSIBD)是一个引人注目的生长技术[2 ] 。但是这一方法能否得到金刚石 ,尚未有明确的结论。我们利用高分辨电子显微镜结合电子能量损失谱 ,观察了用这一方法制备的样品 ,以期为研究金刚石的生长机理提供更多的线索。实验碳离子沉积在 (111)硅衬底上 ,沉积方法另文介绍[2 ] 。离子能量 10 0 0eV ,衬底温度 80 0℃。电镜观察用的平面和截面样品用通常的方法制备 ,具体如下 :样品粘在 3mm的铜圈上 ,先用SiC砂纸磨薄 ,然… 相似文献
304.
在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1.78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红 光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应 (IQHE)和Shubnikov-de Haas (SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光 照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移 率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理 论分析.
关键词:
二维电子气
量子霍尔效应
SdH振荡
持久光电导效应 相似文献
305.
在InP(001)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构.根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析,认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲层可以获得较大的InAs量子点结构,而InAlGaAs层的表面特性对InAs量子点的结构及光学性质有很大影响.对InP基InAlGaAs缓冲层上自组织量子点的形核和演化机制进行了探讨,提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动,以获得能量最优的分布状态. 相似文献
306.
307.
用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P 组分的GaN1-xPx三元合金.俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1 -xPx中P的掺入量最高达到20%且分布均匀;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在.对不同P组分的GaN1-xPx样品进行了低温光致发光 (PL)测试,与来自GaN衬底的带边发射相比,随三元合金中P组分的变化,GaN1-x Px的PL峰呈现出了不同程度的红移.在GaN1-xPx的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰,表明该合金材料没有发生相分离. 相似文献
308.
309.
采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管,研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性,条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W。 相似文献
310.
A simple method of extracting the polarization charge density in the A1GaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics 下载免费PDF全文
An Ni Schottky contact on the AlGaN/GaN heterostructure is fabricated. The flat-band voltage for the Schottky contact on the AlGaN/GaN heterostructure is obtained from the forward current-voltage characteristics. With the measured capacitance-voltage curve and the flat-band voltage, the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure is investigated, and a simple formula for calculating the polarization charge density is obtained and analyzed. With the approach described in this paper, the obtained polarization charge density agrees well with the one calculated by self-consistently solving Schrodinger’s and Poisson’s equations. 相似文献