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31.
测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量 子点的辐射寿命在500 ps 至 800 ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的 较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈 依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为 35 ps,纵光学声子发射为主要的 载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程 为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用.
关键词:
亚单层
量子点-量子阱
时间分辨光致发光谱 相似文献
32.
分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致. 相似文献
33.
34.
35.
在0—7GPa静压范围内测量了自发有序Ga0.5In0.5P合金的室温光致发光谱.三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低115,92和43meV,它们的压力系数也从无序样品的92meV/GPa分别减小到75,81和83meV/GPa.用Γ-L相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小.得到的Γ-L相互作用势分别为0.19,0.15和0.10eV.表明在自发有序Ga0.5In0.5P合金中存在着的 相似文献
36.
37.
38.
39.
用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快 相似文献
40.
本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×1012—1×1020cm-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为1018—1019cm-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×1017—1×1018cm-3的p-Si及5×1017—4×1018cm-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT-a,其中A=2.1×109,α=2.7(对空穴);或A=1.2×108,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×1011—5×1020cm-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。 相似文献