In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散

离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.     

Low Threshold Current Density Operation of Strain-Compensated Quantum Cascade Laser

We report the low threshold current density operation of strain-compensated In0.64 Ga0.36As/In0.3sAl0.62As quantum cascade lasers emitting near 4.94 μm. By employing an enlarged strain-compensated structure and optimizing the injector doping density, a rather low threshold current density of 0.57kA/cm^2 at 80 K is achieved/or an uncoated 20-μm-wide and 2.5-mm-long laser.     

ZnO Nanostructures Grown on A1N/Sapphire Substrates by MOCVD

ZnO nanorods and nanotubes are successful synthesized on A1N/sapphire substrates by metal-organic chemical vapour deposition （MOGVD）. The different morphology and structure properties of ZnO nanorods and nanotubes are found to be affected by the A1N under-layer. The photoluminescence spectra show the optical properties of the ZnO nanorods and nanotubes, in which a blueshift of UV emission is observed and is attributed to the surface effect.[第一段]     

Effect of Ultraviolet Light on Hybrid Zinc Oxide Polymer Bulk Heterojunction Solar Cells

Compared to conjugated polymer poly[2-methoxy-5-（3＇ ,7＇-dimethyloctyloxy）-l,4-phenylenevinylene] （MDMO-PPV） solar cells, bulk heterojunction solar cells composed of zinc oxide （ZnO） nanocrystals and MDMO-PPV have a better energy conversion efficiency. However, ultraviolet （UV） light deteriorates the performance of solar cells composed of ZnO and MDMO-PPV. We propose a model to explain the effect of UV illumination on these ZnO：MDMO-PPV solar cells. According to this model, the degradation from UV illumination is due to a decrease of exciton dissociation efficiency. Our model is based on the experimentM results such as the measurements of current density versus voltage, photoluminescence, and photocurrent.     

Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究

用高能离子注入(160keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂，研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火，快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下，量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加，先是往高能量端快速移动，而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点，释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品，变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为. 关键词： 离子注入 InAs/GaAs量子点 光致发光 团簇     

9.0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化

通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9．0μm GaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子，从而对其波导结构进行优化．计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响．给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度．     

隧穿注入量子点激光器概述

介绍了一种新型的载流子隧穿注入量子点激光器,具体内容涉及量子点激光器研究现状、存在的问题、隧穿注入量子点激光器的工作原理和优势、研究现状等。采用隧穿注入这一新的载流子注入方式,可有效提高量子点激光器的温度特性和高频调制特性。     

MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状北大核心

简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。     

自组织量子点的形成过程

利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.     

InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究北大核心CSCD

制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K^35K时峰位红移;在35K^55K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加,峰位再次发生红移.分析认为这种S型峰位的变化可能是由于不同温度下载流子的不同复合机制所引起的.