全文获取类型
收费全文 | 68篇 |
免费 | 111篇 |
国内免费 | 172篇 |
专业分类
化学 | 2篇 |
晶体学 | 11篇 |
数学 | 3篇 |
物理学 | 127篇 |
无线电 | 208篇 |
出版年
2021年 | 2篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 13篇 |
2013年 | 9篇 |
2012年 | 18篇 |
2011年 | 16篇 |
2010年 | 29篇 |
2009年 | 18篇 |
2008年 | 18篇 |
2007年 | 31篇 |
2006年 | 21篇 |
2005年 | 26篇 |
2004年 | 14篇 |
2003年 | 13篇 |
2002年 | 17篇 |
2001年 | 17篇 |
2000年 | 18篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 11篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1966年 | 1篇 |
排序方式: 共有351条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
12.
13.
The fabrication and characterization of distributed feedback(DFB) quantum cascade lasers emitting atλ≈8.5μm are reported.The first-order DFB grating structure was defined using the holographic lithography technique.Reliable dynamic single-mode emission with a side-mode suppression ratio of 20 dB and a tuning coefficient of-0.277 cm-1/K from 93 to 210 K is obtained in continuous wave mode by using high-reflectivity coating on the rear facet.The output power is over 100 mW at a temperature of 80 K. 相似文献
14.
We report a new quantum dot superluminescent diode with a new device structure. In this device, a multi-mode-interferometer configuration and a J-bend structure were monolithically integrated. Owing to the multi-mode-interferometer structure, the superluminescent diode exhibits 60% increase in output power and 43% reduction in the differential resistance compared with the uniform waveguide width superluminescent diode fabricated from the same wafer. Our device produces an emission spectrum as wide as 103.7 nm with an output power of 2.5 mW at 600 mA continue-wave injection current. This broadband emission spectrum makes the axial resolution of the optical coherence tomography system employing the superluminescent diode to 6 μ m in theory, which is high enough for most tissue imaging. 相似文献
15.
16.
17.
N型GaN的持续光电导 总被引:3,自引:2,他引:3
本文报道了金属有机物化学气相外延(MOVPE)生长的未人为掺杂和掺Sin-GaN的持续光电导(PersistentPhotoconductivity——PPC).在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为.实验结果表明,未人为掺杂和掺Sin-GaN的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是VGa空位、NGa反位或者VGa-SiGa络合物.和未人为掺杂样品A相比,样品B中因Si的并入导致GaN中的深能级缺陷增加,提高了GaN中黄光发射,使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特 相似文献
18.
利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向. 相似文献
19.
Influence of Ⅴ/Ⅲ ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
A series of metamorphic high electron mobility transistors (MMHEMTs) with different Ⅴ/Ⅲ flux ratios are grown on CaAs (001) substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The samples are analysed by using atomic force microscopy (AFM), Hall measurement, and low temperature photoluminescence (PL). The optimum Ⅴ/Ⅲ ratio in a range from 15 to 60 for the growth of MMHEMTs is found to be around 40. At this ratio, the root mean square (RMS) roughness of the material is only 2.02 nm; a room-temperature mobility and a sheet electron density are obtained to be 10610.0cm^2/(V.s) and 3.26×10^12cm^-2 respectively. These results are equivalent to those obtained for the same structure grown on InP substrate. There are two peaks in the PL spectrum of the structure, corresponding to two sub-energy levels of the In0.53Ga0.47As quantum well. It is found that the photoluminescence intensities of the two peaks vary with the Ⅴ/Ⅲ ratio, for which the reasons are discussed. 相似文献
20.
对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AnD对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。 相似文献