A Bidirectional, Diode-Pumped, Passively Mode-Locked Nd：YVO4 Ring Laser with a Low-Temperature-Grown Semiconductor Saturable Absorber Mirror

We report the operation of a bidirectional picosecond pulsed ring Nd：YVO4 laser based on a low-temperaturegrown semiconductor saturable absorber mirror. Except for the laser crystal, the six-mirror ring laser cavity has no intra-cavity elements such as focusing lens or mirror. The bidirectional mode locked pluses are obtained at the repetition rate of 117.5 MHz, pulse duration of 81 ps, power of 2 × 200 mW.     

半导体可饱和吸收镜实现高频脉冲激光研究进展

介绍了作为固体激光器、半导体激光器和光纤激光器被动锁模吸收体的半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本原理和制作方法。详细阐述了利用半导体可饱和吸收镜对同体激光器和光泵垂直外腔面发射半导体激光器进行被动锁模，获得重复率为几吉赫到几百吉赫的超短脉冲激光的方法。     

半导体可饱和吸收镜被动锁模Nd:YAG激光器的研究

利用自行研制的半导体可饱和吸收镜(SESAM)，在5W光纤耦合半导体激光器端面抽运的Nd：YAG激光中，实现了半导体可饱和吸收镜被动锁模，获得了稳定的皮秒锁模激光输出。经自相关仪测量，其锁模激光脉冲宽度小于10ps。实验采用直腔结构的谐振腔，该腔结构简单，易于调整，实现可饱和半导体吸收镜稳定锁模时，光～光转换效率达到19％。     

半导体激光器端面泵浦 Nd∶YAG激光器用In_(0.25)Ga_(0.75) As吸收体被动锁模兼做输出镜

用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体——低温InGaAs(LT-In0.25Ga0.75As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz     

980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析

本文介绍了提高980nm半导体激光器可靠性的几种方案，并做了综合评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。     

泵浦用大功率半导体激光器研制与应用发展状况

详尽地介绍了当前可以使用半导体泵浦的固体激光器泵浦要求，相应的半导体泵浦源的发展状况，存在的问题，最后介绍了列阵和耦合两种提高半导体泵浦源功率，改善其光束质量的方法。     

嵌岩桩桩端承载力探讨

以往嵌岩桩的试验资料表明,当上覆岩土层较薄、嵌岩桩的入岩深度较小时,嵌岩桩的极限端承力对桩的承载能力起主导作用。为求出桩端极限承载力的表达式,本文将嵌岩段以上岩土层自重视为作用在基岩半平面上的均布荷载,把桩端合力分解为相对简单的荷载作用于基岩平面上,利用滑移线理论并通过叠加的方法分析出桩端基岩破坏时的最危险点。然后根据Mindlin课题求出该点的应力,运用Griffith准则的Murrell推广导出桩端极限承载力的公式,并指出了此公式的适用范围。最后结合工程实际进行了对比分析,表明本文方法具有一定的实用性。     

用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模

研制了一种新型的80 0 nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到4 0 fs,光谱带宽为5 6 nm,后者意味着它可以支持2 0 fs的锁模.脉冲序列的重复率为97.5 MHz,泵浦源为4 .4 5 W下平均输出功率为30 0 m W.     

用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd：YAG激光器中的被动调Q

对半绝缘GaAs晶片进行As^ 注入，注入能量为400keV，剂量为10^16’cm^-2，用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜，在被动调Q闪光灯泵浦的Nd：YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度，这是迄今为止国内最好的报道结果。