图像搜索引擎检索模式分析与研究

文中研究如何从HTML文档中提取图片相关信息,保证高效和准确的实现图片检索。在对图像搜索引擎检索模式分析的基础上,提出了若干关键技术,设计并实现了一个基于文本的Web图片搜索引擎,给出了系统的总体结构图．并对获取网页、提取信息、图片抓取、建立索引和提供查询进行了详细的描述,分析了图像搜索引擎的检索模式。     

Agent任务调度与迁移策略研究

对移动Agent技术进行了较详细的论述,重点阐述了Multi-Agent系统组织结构、Agent资源队列分配与任务调度及Agent迁移策略,动态迁移机制和迁移路径的算法。本研究旨在于探讨一种新的电子商务模式,试图解决电子商务的效率、成本和业务智能问题,实现智能业务处理。     

依托校内外实训基地创新电子商务专业人才培养--以陕西工业职业技术学院为例

结合高职电子商务专业人才培养现状,重点从建立校内外实训基地、教学组织模式、岗位能力训练模式等六个方面,介绍了陕西工业职业技术学院对电子商务专业人才培养的创新与实践,具有一定的借鉴意义。     

AVS综合场景概述

本文介绍了AVS综合场景标准制定的背景、进展和技术架构,并对未来发展趋势进行了预测。     

Agent理论模型及开发方法研究

通过对Agent理论模型、Agent的体系结构和Agent的开发方法进行分析与研究,针对各自不同的研究领域通过语义、语法以及思维状态属性等方面进行定义建立Agent理论模型。同时介绍分析了几种面向Agent的软件开发方法,得出面向Agent的开发方法是目前软件开发方法发展的趋势,也为分布式复杂系统进行建模提供了新的思路。     

基于知识的Agent强化学习算法分析与研究

强化学习具有与环境交互的优势,笔者提出的基于知识的Q-学习算法(KBQL)就是利用Q-学习算法的这个特点,利用Agent的先验知识来缩小Agent学习的状态空间,以加速强化学习的收敛性,同时采用Agent的学习机制克服其知识的不精确性,从而提高学习算法的鲁棒性和适应性。     

算力服务原生技术体系架构研究与实践

当前,计算服务形态由最初的云服务向算力服务演进,异构算力的广泛应用带来了软件层面以及硬件、芯片层面新的技术问题。文章分析了算力技术的发展趋势及当前应用多样化下异构算力发展面临的挑战,首次提出了算力服务原生技术体系,并阐述了算力服务原生的定义内涵、功能需求、总体架构等技术特征,最后通过算力服务原生体系原型部署以及业务验证,实现“代码即服务”“算力即服务”的目标,解决异构算力代码不通用、算力服务化成本高等问题,提高算力在各类场景下的应用效率。     

基于颜色距离与Edge Boxes候选区域算法

针对Edge Boxes算法召回率不高的问题,并结合目标的显著性检测,提出了一种基于颜色距离与Edge Boxes候选区域算法。首先利用结构化边缘检测算子获取图像的边缘特征,并通过边缘点聚合及边缘段相似性策略,获取每个边缘段的权值;其次,在待检测图像上无重叠采样若干图像块,记作C图像块,并将C图像块向周边延拓像素,获取S图像块;然后,根据颜色直方图,计算两图像块各颜色通道的卡方距离,并赋予合适权重作为该C图像块的显著性得分;最后,统计滑动窗口内边缘段的数量和C图像块数,确定候选区域。在PASCAL VOC 2007验证集上实验,当交并比取0.5,0.6,0.7,候选区域个数为2 000时,与Edge Boxes相比,所提算法的召回率分别提高了0.46%,0.35%,0.57%。每张图像的运行时间大约为0.43s,这表明,所提算法以牺牲微小计算资源却能够有效改善候选区域质量。     

蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

在实验优化MBE工艺条件的基础上，采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高，AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现，常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程，持续时间分别为0.91，7.7和35.5ms；蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程，持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级. 关键词： 邻晶面蓝宝石衬底 GaN薄膜 瞬态光电导 弛豫特性     

非晶态半导体在摄象器件中的应用

非晶态物质是当前物理学界研究的一个重要对象,而对其中的非晶态半导体的研究可以说是半导体研究领域中除了大规模集成电路外的又一个具有无限广阔发展余地的领域。直到80年代中,对非晶态半导体的研究还只集中在硫硒族玻璃上,自从1975年英国Spear小组用辉光放电法制出了低态隙密度的非晶态氢硅合金(a—Si∶H)后,引起了世界性的注意,对非晶态半导体的研究开始转向以a—si∶H为代表的IV族元素,并在太阳能电池摄像器件、