SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

多画面电视信号监测系统在有线电视中的应用

随着各地的数字电视平台的建立，数字电视系统的节目数量、系统的复杂性远远高于原有的模拟电视系统。通过电视监测系统可以及时发现播出事故，通过故障录像能了解到更多细节。使用先进的数字化技术监测手段替代人工监测已经成为发展的趋势，这样既能降低值班员的工作强度，又能提高播出系统的技术管理水平，确保信号播出安全。     

光学一般三值逻辑运算器件的结构

首次提出用光学线性器件实现一般三值逻辑运算的方法.除了具有一般电子多值逻辑运算器件的优点外,还可用于全并行运算,输入输出信号相同,可串接,对一般的三值逻辑运算可不用基本运算合成,直接实现.可用于更一般的多值(大于三的)逻辑运算.     

AVID MC-1000系统SCSI硬盘扩容

非线性编辑系统集成了视频后期制作的编辑剪辑、特技制作、字幕合成、图形图像处理、以及简单的音频处理等功能，是当今良好的电视后期制作系统。     

转动玻璃圆筒激光器

本文介绍了转动玻璃圆筒激光器的设计及实验结果,得到了脉冲能量为13J,重复频率为15Hz的激光输出。电光转换效率为2.2％,斜效率为3.4％。     

二氧化碳激光灼除治疗扁桃体囊肿

二氧化碳激光治疗扁桃体囊肿报道较少,我院1989年开始专用二氧化碳激光治疗20例,疗效满意,报告如下。     

GaN材料系列的研究进展

ＧａＮ及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质，在光电子器件，高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景，已成为当前高科技领域的研究重点，论述了这种材料的研究历史与发展现状，物理与化学性质，薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。     

布里兹曼法碲镉汞（Hg1—xCdxTe）晶体生长过程热场的数值分析

用控制容积法对布里兹曼碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律，可供从事该方面研究工作时参考。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。