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21.
提高信号到达角估计精度的新方法   总被引:8,自引:7,他引:1  
现有的基于矢量天线估计信号到达角的方法都没有利用阵列的孔径信息,这样的估计虽然是无模糊的,但精度不高.该文在现有估计方法的基础上进一步利用阵列的孔径信息,通过迭代搜索的方法改善到达角估计的精度,数值模拟结果证明该方法是有效的.  相似文献   
22.
王建航  陈方  刘洪  王兰  郑忠华 《计算物理》2014,31(6):648-658
提出一种激波定位随机投影方法,利用当地随机投影,引入激波指示器并提出恰当的判定当地投影区域的规则,使爆轰波多向推进的问题得以解决。数值实验表明,激波定位随机投影方法不仅适用于爆轰波的多向推进,还能高效求解刚性反应方程,易于推广到三维情况。  相似文献   
23.
磨盘材料和温度对TC11合金磨损行为的影响   总被引:2,自引:2,他引:0  
对TC11合金与两种不同硬度的GCr15和W6Mo5Cr4V2在25、400和600℃对摩时的磨损行为进行了研究.利用SEM、EDS以及XRD等对试样磨面和剖面的形貌、成分及结构进行了观察与分析.结果表明:TC11合金与三种不同硬度的磨盘对摩后,在25℃,磨损率均随载荷的增加而增加,且磨损率较高,磨损表面呈现黏着和犁沟特征,磨损机理为黏着磨损与磨粒磨损;在400℃,合金与低硬度GCr15对摩时,磨损表面被黑色光滑氧化物所覆盖,磨损机理为氧化轻微磨损;与高硬度GCr15对摩时,在50和150 N,磨损表面呈现黑色光滑氧化物和犁沟特征,磨损机理为氧化轻微磨损和磨粒磨损;在250 N,磨损机理为黏着磨损与磨粒磨损;与W6Mo5Cr4V2对摩时,磨损表面呈现犁沟特征,磨损机理为磨粒磨损;在600℃,TC11合金的磨损率均较低,且与两种不同硬度GCr15对摩后的磨损率均低于与W6Mo5Cr4V2对摩的磨损率,磨损机理均为氧化轻微磨损.在25和600℃,磨盘材料对合金的磨损率具有不同的影响,但不影响合金的磨损机理;在400℃,磨盘材料既影响磨损率也影响磨损机理.  相似文献   
24.
王兰  陈兆学  王朝晖 《光学技术》2022,48(2):229-236
为了在按摩、针灸等中医相关诊疗过程中,高效率定位中医按诊所需腧穴.结合单目视觉标定与定位原理,提出了一种基于三维坐标系之间转换矩阵求取的中医诊疗机械手坐标定位和转换方法.通过进行相机标定得到相机内参数并建立相机三维世界坐标系,再基于可粘贴于机械手任意固定位置的自定义标签图像建立相机三维世界坐标系与机械手坐标系的转换关系...  相似文献   
25.
王兰 《电子测试》2013,(4S):127-128
本文介绍了如何创建和调用符合我国机械制图国家标准的模板文件。帮助AutoCAD使用者快速,高效地完成机械图样的绘制。  相似文献   
26.
王兰喜  陈学康  吴敢  曹生珠  尚凯文 《物理学报》2012,61(3):38101-038101
持续光电导现象是影响多晶金刚石紫外探测器时间响应性能的一个不利因素,它的存在会大大延长探测器的响应时间.本文在微米晶金刚石薄膜上制备了叉指电极间距分别为20μm和30μm的紫外探测器(分别称为器件A和器件B),讨论了晶界对多晶金刚石紫外探测器时间响应性能的影响.结果表明,器件A和器件B均表现出持续光电导和光电导增益现象,并且器件B比器件A更显著.分析得出,晶界缺陷可能在金刚石带隙中引入一个浅能级并起少数载流子陷阱中心的作用,导致了探测器的持续光电导现象和高增益.相比器件A,器件B电极间具有更多的晶界数量,因此器件B表现出更为显著的持续光电导和更高的光电导增益.  相似文献   
27.
该文研究了在无完全重构约束情况下两通道自适应FIR无混叠滤波器组的时域设计方法。由于放松了对完全重构的约束,子带编码器的失真由系统失真和量化失真两部分构成。在整体比特数和输入过程给定的情况下,本文通过优化滤波器系数,使得子带编码器的整体失真达到最小,实现提高其编码增益的目的。后面的设计实例验证了该方法的有效性。  相似文献   
28.
基于光伏电池输出特性及MPPT控制原理的分析,研究了基于Boost电路的光伏发电MPPT控制系统的模型,并分析了该模型中各子模块的工作原理,并应用Simulink软件搭建了整个系统的仿真模型。以光伏阵列STP0950S-36为例,仿真验证了所研究的MPPT控制系统能很好地实现最大功率跟踪,并能快速响应外界环境的变化,有效提高光伏发电的效率。  相似文献   
29.
激光、血卟啉衍生物(简称 HPD)光敏诊疗肺癌,近年来取得了可喜的成效。我院对经组织病理学证实的66例气管、支气管腔内瘤体进行了治疗,有效率达93.93%(62/66)。用 J-84型影象增强仪对58例患者进行了荧光检测,符合率为93.10%。报道如下:  相似文献   
30.
基于55 nm CMOS工艺,设计了一种宽频带高速锁相环(PLL)。PLL中的压控振荡器(VCO)采用8位开关电容阵列和变容管阵列,实现了对VCO振荡频率的调节和不同频段之间的切换。VCO采用分段式结构,实现了8.7~12.5 GHz的宽频率范围。分段结构中,每个频段的频率增益Kvco较低,实现了良好的相位噪声性能。仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该PLL的最高工作频率为12.5 GHz,锁定时间为小于2.5 μs,相位噪声为-106 dBc·Hz-1@1 MHz。  相似文献   
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