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匿名通信系统需要系统成员共同参与信息转发,恶意成员和不可靠成员将导致系统的匿名性能下降。在比特承诺方案的基础上,提出了一种适于匿名通信系统的主动探测机制,理论分析表明该机制能有效地匿名探测成员是否在线或假冒,同时通过认证机制确保数据在传输过程中免遭中间篡改攻击。 相似文献
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江阴电视台全数字硬盘播出系统在没有设计完整的智能监控、监测系统的前提下通过不断摸索实践,在不增加经济成本的前提下利用现有设备,逐步形成比较完善的监控、监测系统,为电视的安全优质播出提供了保障,对中小型电视台来说实用可行,性价比高。 相似文献
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工艺偏差在更加先进的工艺节点上别的尤为重要。最初使用工艺偏差方法学(on-chip variation,OCV)使用一个系数因子在整条时序路径上放大缩小来模仿工艺变化,这种方法学过于悲观。先进的片上误差方法学(advanced ocv,AOCV)可以在不同的时序路径上不同的逻辑深度添加不同的系数因子来模拟工艺误差。但是这种方法学分析的时间太长,消耗的内存太多,并且分析的场景出现的概率很低。文中介绍一种在16nm下最新的一代时序分析技术-统计学片上误差分析(statistic ocv,SOCV)。SOCV能够模拟某种误差使得延时出现的概率,因此SOCV较AOCV更为准确,能够去除部分特别悲观和特别乐观的场景。SOCV耗时明显要低于AOCV,因此SOCV能加快sign-off的时间。 相似文献
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单晶硅表面载流子动力学的超快抽运探测 总被引:2,自引:0,他引:2
利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面50 ps内的瞬态反射率变化,研究了表面载流子的超快动力学过程.基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化,说明受激自由载流子超快响应的贡献主导了反射率的变化过程.经拟合获得了样品的表面复合速度(SRV)为1.2×106cm/s.建立了耦合的载流子输运模型,探讨了单晶硅表面热载流子的密度、温度随时间的演化过程.研究表明,表面复合过程是影响本征单晶硅表面载流子动力学的重要因素. 相似文献
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液晶光学器件在激光光束精密控制上具有重要应用前景,氧化铟锡(ITO)薄膜作为液晶光学器件的透明导电电极,是液晶器件激光损伤的薄弱环节。为此,建立了ITO薄膜激光热损伤物理模型。理论计算结果表明:1 064 nm激光对ITO薄膜的损伤主要为热应力损伤;连续激光辐照下,薄膜损伤始于靠近界面的玻璃基底内;脉冲激光辐照下,温升主要发生在光斑范围内的膜层,薄膜损伤从表面开始。利用泵浦探测技术,研究了ITO薄膜的损伤情况,测量了不同功率密度激光辐照后薄膜的方块电阻,结合1-on-1法测定了ITO薄膜的50%损伤几率阈值。实验结果表明:薄膜越厚,方块电阻越小,激光损伤阈值越低;薄膜未完全损伤前,方块电阻随激光功率密度的增加而增大。理论计算与实验结果吻合较好。设计液晶光学器件中的ITO薄膜电极厚度时,应综合考虑激光损伤、透光率及薄膜电阻的影响。 相似文献
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介绍了VO2薄膜的相变原理,用磁控离子溅射法制备了VO2薄膜,并进行了X射线衍射和不同温度下的光谱透过率测量。在1.319 μm 连续波激光辐照下,实时测量了VO2薄膜的温度变化,以及由于温度变化引起相变后对激光透过率的变化。结果表明,入射到薄膜表面的平均功率为8.9 W、光斑直径2 mm时,激光出光480 ms后,VO2的温度从室温上升到约100 ℃,薄膜发生了相变,其对1.319 μm激光的透过率从相变前的48%降为相变后的28%。 相似文献
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通过超声波降解法制备了多壁碳纳米管的水-表面活性剂悬浮液,测量了其对于1 064 nm,脉宽10 ns Nd:YAG调Q脉冲激光的光限幅曲线。实验发现:入射激光能量密度较低时,出射能量密度随入射能量密度的增加而线性增加;当入射能量密度为160 mJ/cm2时,出射能量不再线性增加并且逐渐趋近于光限幅器的嵌位输出值,约16 mJ,同时,对激光的透过率从71%下降到15%。通过Z扫描和探针光实验以及45°散射角下散射能量、散射率随入射激光能量变化曲线的测量,对碳纳米管悬浮液的光限幅机理进行了研究。结果表明:其限幅机理可能源于碳纳米管吸收激光能量后升华产生的膨胀的碳气泡对入射激光产生的非线性散射;另外,非线性折射对光限幅效果也有一定的作用。 相似文献