关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究

研究了半导体激光器侧向调制相位不均匀的原因,提出了改善相位均匀性的途径,并在实验上得到了相位均匀的激光器.     

GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光《详细摘要》

一、实验实验用的激光器是从n-GaAs:Te衬底上生长一个比较厚的缓冲层(10～20μ)然后再进行多层外延生长得到的。典型的数据为N-Ga_(0.7)Al_(0.3)As∶Sn～2μ,P-GaAs∶Si～0.5μ,P-Ga_(0.7)Al_(0.3)As∶Ge～2μ,p-GaAs∶Ge～2μ。实验装置如图〈1〉。红外显微镜将激光器的端面象投影在狭缝上。激光器的结平面在X-Z平面内,狭缝的长轴沿Z方向,PbS探     

反射率小于10-4的1310 nm光电子器件增透膜技术的研究

阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉法淀积半导体器件的端面光学膜的优良特性,介绍了淀积反射率小于１０＾－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术,并对这种技术的优点和两端面淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

槲皮素水化性质的量子化学研究

采用密度泛函理论对槲皮素不同羟基位置上的水合物及其水合阴离子进行深入分析,获得槲皮素水合物的优化几何结构信息、与水分子的络合反应能量、NBO电荷、前线轨道能量及图像.对槲皮素各个羟基位点的水化性质进行解析,并从分子水平对其内在成因进行了阐释,希望对槲皮素的水化性质的研究及其衍生物的开发奠定理论支撑.     

GaAs激光器几个物理量的测量

GaAs激光器是在很大的电流密度下工作的,因此器件的串联电阻(体电阻和接触电阻)对器件的性能有很大影响。为了得到尽可能小的串联电阻,首先必须判定GaAs和金属电极之间的接触是否是欧姆接触,并测出器件串联电阻的数值。     

双异质结半导体激光器在阶跃和正弦电流调制下的行为

用数值计算方法求出了光子密度、载流子浓度的速率方程和场方程的自治解.给出了:1.当谐振腔中的光子密度,光和载流子的相互作用足够强时,在阶跃电流下可以产生自脉动.2.在正弦调制下,调制频率高时光输出发生畸变,而且在调制过程中光强度分布发生变化,并由此引起不同空间位置的光输出出现相位差.     

溶胶-凝胶法制备(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O3无铅压电陶瓷研究

锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷由于具有较好的压铁电性能且环境友好而备受研究者关注,但其存在烧结温度高(>1450℃)、居里温度低等缺点。为降低锆钛酸钡钙基压电陶瓷的预烧及烧结温度,并优化其电学性能,本研究采用溶胶-凝胶法成功合成了(Ba_0.85Ca_0.15)(Ti_0.9Zr_0.1)O₃无铅压电陶瓷的前驱粉体,并在预烧温度为1000℃、烧结温度为1420℃时成功制备了(Ba_0.85Ca_0.15)(Ti_0.9Zr_0.1)O₃陶瓷,相较于传统固相法,陶瓷的预烧温度降低了250℃,烧结温度降低了30℃,成功改善了陶瓷的烧结行为,得到了铁电性能、介电性能和压电性能优良且致密性良好的低温烧结陶瓷。