半导体激光器腔面增透膜AIN薄膜的制备

提出了一种新的半导体激光器增透膜——A1N膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值.采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999％)和N2+ Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能...     

Influence of sputtering pressure on optical constants of a-GaAs1-xNx thin films*

Amorphous GaAs_1-xN_x(a-GaAs_1-xN_x) thin films have been deposited at room temperature by a reactive magnetron sputtering technique on glass substrates with different sputtering pressures.The thickness,nitrogen content,carrier concentration and transmittance of the as-deposited films were determined experimentally.The influence of sputtering pressure on the optical band gap,refractive index and dispersion parameters（E_o,E_d） has been investigated.An analysis of the absorption coefficient revealed a direct optical transition characterizing the asdeposited films.The refractive index dispersions of the as-deposited a-GaAs_1-xN_x films fitted well to the Cauchy dispersion relation and the Wemple model.     

昆明市区400名学前儿童发铅锌测定及其相关分析

为了解学前儿童头发中铅锌含量及两元素间的关系,采用火焰原子吸收分光光度法对昆明市三所幼儿园４００名学前儿童进行了发中铅锌含量测定。结果表明,发铅≥１０＊１０＾－６者２３２入,占５８％;发锌≤１００＊１０＾－６者２４０人,占６０％铅锌两元素呈负相关。     

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。     

无损耗型及损耗型分布布拉格反射镜光学特性的传输矩阵理论分析及优化(英文)

利用传输矩阵理论对无光学损耗和有光学损耗的分布布拉格反射镜(Distributed Bragg reflector,DBR)分别进行了结构分析与优化。在光场正入射条件下,对具有HL、HLH、LH及LHL结构的DBR内部光场分布情况进行了模拟分析和实验验证。结果表明:光场正入射到DBR后,在HL及HLH型DBR结构内部的光场分布最弱。当组成DBR的材料层消光系数为0.01时,HL及HLH型DBR内部产生的能流密度吸收量最小,为其他结构的10%左右,材料吸收引起的中心波长反射率降低仅为3.6%;而LH及LHL型DBR结构由于材料吸收而导致反射率降低29.2%。因此,采用高折射率材料层作为DBR结构的第一层有利于提高DBR反射率,降低光学吸收。最后,通过MOCVD外延生长了具有HL结构的吸收型Al0.12Ga0.88As/Al0.9Ga0.1As DBR结构,并对其反射特性进行了测试。     

溅射ZnO薄膜钝化GaAs表面性能的研究

为了改善GaAs(110)与自身 氧化物界面由于高表面态密度而引起的费米能级钉扎(pinning)问题 ,提出采用射频磁控溅射技 术在GaAs(110)衬底上沉积一定厚度 ZnO薄膜作为钝化层,并利用光 致发光(PL)光谱和X射线光电子能谱(XPS) 等方法对ZnO薄膜的光学特性及钝化性能进行表征。实验结果表明,经ZnO薄膜钝化后的 GaAs样品,其本征PL峰强度提高112.5%,杂质峰强度下降82.4%。XPS光谱分析表明,Ga和As原子的比值从1.47降低 到0.94,ZnO钝化层能 够抑制Ga和As的氧化物形成。因此,在GaAs表面沉积ZnO薄膜是一种可行的GaAs表面钝化 方法。     

溅射压力对制备a-GaAs1-xNx 薄膜光学常数的影响

采用反应磁控溅射法在室温条件下制备了a-GaAs_1-xN_x 薄膜。实验测定了薄膜厚度、氮含量、载流子浓度和光学透过率及并研究了其随溅射压的变化。系统研究了溅射压对所制备薄膜的光学带隙、折射率和色散参数的影响。所制备的薄膜为直接带隙材料,利用Cauchy和Wemple模型能够很好地拟合所制备薄膜的折射率色散曲线。     

教师的人格在化学教育中的影响

考虑到自然科学是一门综合课程,无论从教师的教,还是从学生的学;无论是教学时间,还是考试分值;无论是教学内容,还是实验装备,不能与原分科教学相提并论,建议教育行政部门、教研部门发文,至少与语、数并列。     

非常规突发事件危害性评估和态势监测模型

在非常规突发事件应急管理过程中,实时把握事件危害性的变化状况和演化态势无疑有助于事件的决策与处置.本文提出了一种可计算的事件态势监测模型ESMM.该模型依据事件爆发和处置/恢复过程中的实时情景,抽取与事件危害性相关的信息,通过实时评估事件处置前后的危害性变化,以及与决策目标间的差异判断事件的演化态势.实验表明ESMM是实时评估事件危害性变化和态势监测的可操作性模型.