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Effect of Cr,Mo, and Nb additions on intergranular cohesion of ferritic stainless steel: First-principles determination 下载免费PDF全文
Effects of Cr, Mo, and Nb on the ferritic stainless steel ]2(210) grain boundary and intragranularity are investigated using the first-principles principle. Different positions of solute atoms are considered. Structural stability is lowered by Cr doping and enhanced by Mo and Nb doping. A ranking on the effect of solute atoms enhancing the cohesive strength of the grain boundary, from the strongest to the weakest is Cr, Mo, and Nb. Cr clearly prefers to locate in the intragranular region of Fe rather than in the grain boundary, while Mo and Nb tend to segregate to the grain boundary. Solute Mo and Nb atoms possess a strong driving force for segregation to the grain boundary from the intragranular region, which increases the grain boundary embrittlement. For Mo- and Nb-doped systems, a remarkable quantity of electrons accumulate in the region close to Mo (Nb). Therefore, the bond strength may increase. With Cr, Mo, and Nb additions, an anti-parallel island is formed around the center of the grain boundary. 相似文献
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正则函数是Clifford分析中的一类重要函数,加权正则函数是正则函数的进一步发展,也是一类重要的函数,因此具有一定的研究意义.在正则函数的研究基础上,并利用加权正则函数自身的性质,讨论了加权正则函数的平均值定理,最大模原理,Weierstrass定理以及一些其它推论. 相似文献
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Two new complexes, [Cu(DMB)2(NAA)2](1) and [Co(DMB)2(NAA)2](2)(DMB = 5,6-dimethylbenzimidazole, HNNA = 1-naphthylacetic acid), were hydrothermally synthesized and characterized by elemental analysis, IR spectroscopy, TGA, PXRD and single-crystal X-ray diffraction analysis. The coordination geometry of the metal centers is a perfect square plane for 1 and a distorted tetrahedron for 2. In compound 1, the mononuclear units are linked by N–H···O hydrogen bonds to form a 1D chain structure, while mononuclear motifs of 2 are extended via N–H···O hydrogen bonding and π-π stacking interactions into a 2D supramolecular layer. The remarkable catalytic properties of the two complexes for the degradation of Congo red dye have been found. 相似文献
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76.
Low-Voltage Depletion-Mode Indium-Tin-Oxide Thin-Film Transistors Gated by Ba0.4Sr0.6TiO3 Dielectric 下载免费PDF全文
We report on the fabrication and characterization of low-voltage indium-tin-oxide (ITO) thin-film transistors (TFTs) gated by a0.4Sr0.6TiO3 (BST) gate dielectric deposited at room temperature. The 400-nm-thick BST film shows a low leakage current density of 6 × 10^-8 A/cm^2 and a high specific capacitance of 83 nF/cm^2 (corresponding εr= 37). The ITO TFTs gated by such BST dielectric operate in a depletion mode with an operation voltage of 5.0 V. The device exhibits a threshold voltage of -3.7 V, a subthreshold swing of 0.5 V/decade, a field effect mobility of 3.2cm^2/Vs and a current on/off ratio of 1.4× 10^4. 相似文献
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78.
着重介绍高层组合墙片的拟静力试验.通过试验更加深入地了解高层组合墙片在竖向压力和侧向分布荷载共同作用下的破坏机理及抗侧承载力.从而为进一步提出组合墙体抗侧承载力的计算公式打下基础. 相似文献
79.
80.
离轴照明技术(OAI)是极紫外光刻技术中提高光刻分辨率的关键技术之一。为了实现考虑掩模阴影效应情况下离轴照明的优化选择,构造了一种新型实现OAI曝光的成像模型。将照射到掩模上的非相干光等效为一系列具有连续入射方向的等强度平行光,基于阿贝成像原理分别对掩模进行成像,最终在像面进行强度叠加实现OAI方式下空间成像的计算;并通过向投影系统函数添加离焦像差项实现不同离焦面上空间成像计算。该模型极大地简化了OAI条件下对掩模阴影效应的计算,提高了成像质量计算效率。结合光刻胶特性及投影曝光系统焦深设计要求,以显影后光刻胶轮廓的侧壁倾角为判据,获得了采用数值孔径为0.32的投影系统实现16 nm线宽黑白线条曝光的最优OAI参数。 相似文献