反射式全光纤激光测速法在气炮实验中的应用

建立了用于一级轻气炮弹速测量的全光纤激光光束反射测量系统(All Fiber Optical Beam Reflectance简称AFOBR)，进行了弹速动态测量实验，并与传统的电探针测速技术进行对比。结果表明：与传统的电探针测速技术相比，AFOBR测速系统具有较高的测速精确度和可靠性，其速度测量的相对扩展不确定度小于等于0．5％。     

FBG用于高频振动检测的实验研究

由于光纤光栅具有体积小、抗电磁干扰、抗腐蚀，易于构成光纤测量网络等性能，因而对在高频环境下材料力学性能测试拥有独特优势。为此，基于非平衡M-Z干涉仪的光纤光栅解调原理，设计了一套用于高频振动检测的光纤光栅测试系统。经实验证明该系统在10kHz频率以下有良好的频率响应。     

中国家用电脑市场正在起步

近年来,人们的生活水平日益提高,家庭拥有电脑不再是一种奢求,电脑步入家庭是社会发展、科技进步的必然趋势.为普及计算机教育,进一步推动电脑走向家庭,今年5月,经国家教委批准,国家教委教学仪器研究所、国家教委全国中、小学计算机教研中心、北京新北成实业开发公司联合举办了首届全国教育/家用电脑博览会.博览会参展厂商百余家,集中展示了教育/家用电脑整机、散件、各类教育软件、教育管理软件以及多媒体应用技术等.据主办单位介绍,此次博览会是建国以来由国家教委出面主办规模最大的一次盛会.记者参观了此次博览会并走访了博览会组委会秘书长、北成实业开发公司总经理孙庆军先生,下面是采访记录:     

基于粒子群算法的无人机航迹规划简

文中提出了一种基于粒子群算法的无人机航迹规划算法。为了减少规划的难度,通过“最小威胁曲面”概念的引入,将“最小威胁曲面”进行水平投影,从而将三维航迹规划问题转换成为二维航迹规划问题进行处理;然后利用动态粒子群算法在水平投影面里进行航迹搜索;最后给出了仿真验证,通过仿真结果可以看出,本文介绍的航迹规划方法的有效性。     

基于高阶时域有限差分法与改进节点分析法混合求解复杂传输线网络瞬态响应

该文提出一种用于求解复杂传输线网络瞬态响应的新型混合算法.通过构建混合单端口网络模型将传输线分布参数系统与集总电路分开,分别采用高阶FDTD(2,4)与改进节点电压分析法(MNA)分析传输线与端口电路瞬态响应.与以往暂态分析方法相比,高阶FDTD(2,4)的低数值色散特性,使得求解传输线时可采用粗网格离散,能方便处理电长度较长的传输线.同时直接采用电路分析方法求解端口电路,能够获取电路中各节点的电压电流波过程.通过几组数值实例验证了该方法的有效性及准确性.     

“三金”展厂商选介

以“三金”工程为代表的一系列重大信息系统工程的组织实施是加速我国国民经济信息化建设,推动我国现代化建设的一项重要举措,是庞大的跨部门、跨地区、跨行业的基础工程.“三金”工程的提出引起国内外各界人士的极大关注,同时也为信息技术产品开辟了广阔的市场,一些国内外著名公司都希望介入“三金”工程的建设,挤进这个极具诱惑力的大市场.为了进一步扩大国内外的交流与合作,’95“三金”工程暨信息技术产品展览交易会不久前在北京隆重举行.     

铝阳极氧化膜纳米孔阵列结构的自组织过程分析

提出了在铝阳极氧化膜的生长过程中存在两种力的作用,一种是在阻挡层形成时就已经存在的由于基体铝与氧化铝之间晶格不匹配产生的内应力的作用,另一种是随着纳米孔的形成,存在于纳米孔内壁的表面张力的作用.铝阳极氧化膜纳米孔阵列的自组织过程是在这两种力的共同作用下进行的.这两种力的大小随着纳米孔形貌的变化而改变,当铝阳极氧化膜中的纳米孔呈规则的六角排列时,这两种力达到平衡,此时体系的能量也最低.     

摩擦电化学及其应用

摩擦力对于接触表面的物理及化学性质很敏感。例如在纯净的钨表面,只要氧的单原子吸附层占据1/4位置,就足以使其摩擦系数减小一半。同样,摩擦系数的任何变化也都与     

n型Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的电化学制备及表征

采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi₂Te_3-ySe_y温差电材料薄膜。研究了电沉积溶液中硒含量与薄膜中硒含量的关系，考察了不同沉积电位对电沉积Bi₂Te_3-ySe_y薄膜的温差电性能的影响，并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了分析。结果表明，在含有Bi³⁺、HTeO₂⁺和Se⁴⁺的电沉积溶液中，采用电化学沉积的方法，可实现铋、碲、硒三元共沉积，生成Bi₂Te_3-ySe_y半导体化合物。改变电沉积溶液组成，可控制Bi₂Te_3-ySe_y化合物中硒的掺杂浓度。-0.04 V沉积电位下制备的Bi₂Te_3-ySe_y薄膜较平整、致密，组成为Bi₂Te_2.7Se_0.3。退火处理可提高电沉积Bi₂Te_3-ySe_y薄膜的塞贝克系数，且控制沉积电位为-0.04 V下制备的Bi₂Te_3-ySe_y薄膜退火后的塞贝克系数为-123 μV·K^-1。