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在p型硅(100)衬底上,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长.用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜刻蚀成长条形,利用四探针法在0—5T的磁场范围内测量了样品的磁阻.实验结果表明,p型异质外延金刚石膜可以产生较大的磁阻.在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解Boltzmann方程,利用并联电阻模型研究了p型异质外延金刚石膜的磁阻效应,给出了磁阻和金刚石膜厚度、迁移率、空穴密度及磁场的关系.讨论了表面散射和价带形变对p型异质外延金刚石膜磁阻的影响,初步解释了p型异质外延金刚石膜产生较大磁阻的原因
关键词:
金刚石膜
异质外延
磁阻效应
电导率 相似文献
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测量了Ni52Mn24Ga24单晶样品在磁场加载和未加载情 况下马氏体相变时的相变应变.分析结果表明:用提拉法生长单晶时在晶体内部引入了单一取向的内应力,该取向内应力可诱导马氏体变体择优取向,从而导致马氏体相变时产生大的相变应变.从理论上计算了该内应力的大小.另外,对样品在马氏体态单纯磁诱导应变的热动力学研究,表明取向内应力在马氏体态依然存在.
关键词:
马氏体相变
磁感生应变
内应力 相似文献
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一种缺陷态半导体薄膜——CdIn2O4膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
CdIn_2O_4薄膜是一种三元氧化物宽带隙n型半导体材料.它有许多优异的光学和电学性质.在可见光范围内它有很高的光透射率,红外光附近有良好的反射率,但同时其电阻又十分低.与金属铜、金、银相比较,CdIn_2O_4薄膜的化学性质十分稳定和耐磨损.因而广泛应用于光电子器件、热镜、太阳能电池及航天器透 相似文献
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实验研究表明,a-Si:H薄膜的光致发光谱随沉积条件,内应力的变化十分敏感。当射频功率、偏压及内应力增大时,发光峰值能量向低能方向移动,半宽带展宽,并且发光强度略有下降。文中对这些实验结果进行了解释。 相似文献
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研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对碳纳米管的场发射性能的影响,从理论上深入探索碳纳米管阵列的电场增强因子并提出改善其场发射电子性能的有效途径.研究结果表明,碳纳米管阵列的电场增强因子的数量级一般为102—103,并对任何长径比的碳纳米管阵列,都对应着一个最佳阵列密度,当碳纳米管阵列密度取此最佳密度值时,其电场增强因子明显提高.这里的理论研究对弄清碳纳米管的场发射机理及实验合成高发射性能的碳纳米管阵列有一定的意义
关键词:
碳纳米管阵列
最佳阵列密度
电场增强因子
长径比 相似文献
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