定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究

本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法，文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因．     

退火处理对纳米ZnO膜结构及气敏特性的影响

用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等.研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏性质和微结构的影响.结果表明低温退火可以改善ZnO膜的微结构和气敏效应的稳定性.     

碳纳米管电极上的电化学行为分析

用化学方法对碳纳米管进行表面处理 ,用红外谱对处理后的碳纳米管进行表征 ,处理后的碳纳米管表面出现了活性功能团羧基。用这些碳纳米管制成电极 ,对Cd离子在硫酸钠中的电化学行为进行了分析。结果表明 ,从碳纳米管电极上可以观察到很好的、准可逆循环伏安图 ;在扫描速度为 10 0mV·s- 1时 ,氧化还原峰电位分别出现在 - 0 .6 5V和 - 0 .95V对照饱和甘汞电极(SCE)。峰电流与扫描速度的平方根成良好的线性关系 ,说明反应过程是由镉离子的扩散控制的。由循环伏安图相关的电位与扫描速度关系 ,我们导出了电子转移动力学速度参数。由于碳纳米管电极有很好的电化学活性和可重复性 ,它可以成为一种新型的分析电极材料     

有机高分子聚合物LPPP异质结构微腔调谐器可靠性的研究

研究表明有机半导体微腔效应可通过简单地调节有机发光层的厚度来实现。实验结果还指出,由空穴传输型的ＬＰＰＰ和电子转移型掺杂的Ａｌｑ构成的异质结构的微腔器能极大地改进其可靠性。同时用金刚石电极代替金属电极也能提高有机发光器件的稳定性。     

Floquet分波法与修饰势的引入研究

在研究激元激光场中电子与库仑势散射时，一般采用FCC藕合方法(Floquet-coupled-channel)并引入修饰势进行求解与计算。本对弱外光场条件下修饰势的引入进行了分析与推导，认为仅当自由电子的颤动半径小于原子尺度时，分数形式的修饰势的引入才是可行的，否则，分数形式的修饰势的引入是不严谨的，尽管修饰势的引入会给求解与计算带来极大的方便与可能。     

新型Pr基大块非晶及其特性研究

用铜模吸铸法获得了直径为5mm的一种新的Pr基大块非晶.与以往其他稀土-过渡金属(RE-TM)大块非晶不同的是，这种新的Pr基大块非晶具有明显的玻璃转变和稳定的过冷液相区，且其玻璃转变温度在目前已知的大块非晶中是最低的，T_g=409K.研究了该大块非晶的玻璃转变动力学，并给出了Kauzmann温度T_k、Vogel-Fulcher温度T⁰_g及脆性参数m等重要参数. 关键词： 大块非晶 玻璃转变 脆性参数m     

过量的硅-铝合金化能使电路性能下降

在集成电路生产过程中,我们发现了一个不引人注意,但又严重地影响着产品成品率的问题,即过量的硅-铝合金化能使集成电路性能下降.我们曾观察到,在合金化前选出一批电路中性能良好的调试管芯,经过不适当的条件合金化,部份或成批的管芯特性变坏,如图1示.而将Al和SiO_2层全部去除,重测这批管芯,特性又恢复正常.很显然,问题在Al与     

退火处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响

报道了射频反应溅射制备的CdIn2O4薄膜（简称CIO膜）的光学、电学性质以及能带结构与退火处理的关系，包括透射率、折射率、消光系数和薄膜载流于浓度的讨论．研究发现退火处理能引起CIO薄膜透射率、光隙能的增加以及折射率、消光系数的减小，并且使膜的短波吸收边“蓝移”．另外还能明显地提高膜的电导率．文中根据退火处理引起氧空位增加、电子陷阱减小等效应以及薄膜的能带结构和晶格拓展的理论分析讨论了实验所得结果．     

化学气相沉积TiO2薄膜的XPS研究

通过XPS分析了TiO2薄膜的结构。薄膜是通过化学气相沉积的方法生长，有机源遇热发生分解，沉积在硅衬底上形成TiO2薄膜。XPS分析表明：所得TiO2薄膜含有Ti,C,O,Al,Si元素。各元素的电子结合能与理论值并无太大的偏移，说明通过化学气相沉积法制备的TiO2薄膜，纯度高，质量好，晶型为锐钛矿。