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21.
为实现自主制导、目标定位、跟踪搜索等复合制导功能,提出了一种可实现红外与激光双谱段共孔径一体化的小型光学镜头设计方案,采用透射式光学系统,光路中设置了一个楔角分光片,既实现了双谱段分光,又有效矫正了45°倾斜放置的平板带来的系统像差。设计结果如下:红外通道全视场平均调制传递函数(MTF)优于0.45(30 lp/mm)、激光通道±1.5°线性区弥散斑直径4.88~5.03 mm,能量分布均匀,满足指标要求。最终采用高精度光学定心调整与三坐标精确测量相结合的方法完成了该镜头的装调,红外通道全视场平均MTF优于0.38,激光通道弥散斑形状对称、线性区内能量分布均匀,满足使用要求,镜头效果良好。  相似文献   
22.
针对传统的扩跳频信号源智能化程度低、携带不方便、效率低下等问题,设计了一种基于FPGA+AD9915的体积小、功耗低、精度高的扩跳频信号源。使用Verilog语言在Quartus Ⅱ软件开发平台上编程实现系统软件设计,在FPGA芯片内完成基带信号处理、跳频码产生和中频调制,并通过FPGA实现对AD9915和数模转换芯片的控制,最后混频实现扩跳频信号的产生。测试结果表明系统有较好的性能,可以满足电台测试时对跳频速率、频率间隔等方面的要求。  相似文献   
23.
李海春  蔡燕  姜文涛 《电子科技》2012,25(12):80-82,85
在电机控制系统中,转速测量的精确度、实时性和稳定性直接影响电机调速系统的性能。文中设计了一种基于LabVIEW软件平台的电机转速监测系统,选择绝对式光电编码器和单片机作为前端转速信号的采集系统,通过RS-232串口通信将数据传送至上位机;利用LabVIEW的数据处理和显示功能,对转速信号进行实时地处理、显示和保存。该设计在开关磁阻电机调速系统中进行了实验测试,结果证明,该方法人机界面良好、测速范围宽、精度高、响应速度快、抗干扰能力强。  相似文献   
24.
针对轴流风机在冷却塔水温调节应用中存在的问题,介绍了施耐德ATV61变频器在冷却塔水温自动调节改进中的应用。对其自动调节原理,及变频器所采用的控制方式进行说明,并对变频器在温度自动控制过程中所涉及到得参数、控制效果进行总结。  相似文献   
25.
质量非均匀分布的烟囱在倾倒过程中的力学分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
烟囱倒塌的过程中可能会在某处断裂.本文研究了质量非均匀的烟囱倾倒过程中各部位的受力与扭矩,并通过扭矩极大值点找出烟囱断裂位置.  相似文献   
26.
针对无线传感网中分级信源位置隐私保护协议的特点,对不同尺寸簇及虚假信息注入统计特性在隐私性、延时和网络负载等方面进行了分析,在此基础上提出了基于优化非均匀统计特性的源匿名协议(ONSA),以优化非均匀分簇策略及相应符合非均匀统计特性的分级优化虚假信息注入方式来高效地保护信源节点位置隐私。仿真实验结果表明,与现有方法相比,ONSA能有效减少并均衡网络能量消耗,同时满足源位置隐私保护任务的实时性要求。  相似文献   
27.
研究了染料敏化太阳能电池(DSCs)中N3/Al2O3/N749交替组装结构的作用. 该结构使用Al2O3作为介质层吸附第二层染料, 可以有效拓宽DSCs的光响应范围, 提高电池的光电转化效率. UV-Vis 吸收光谱和单色光转换效率(IPCE)谱测试结果表明, 相对于单一染料, 使用交替组装结构的电池光响应范围变宽. 电流-电压(I-V)曲线结果表明, 该结构有效增加了DSCs 电池的光电转化效率, 从单一N3 和N749 染料的4.22%和3.09%增加到了5.75%, 分别增加了36%和86%. 为了研究该结构的作用机理, 本文对其界面修饰作用及界面电子过程进行了讨论. 暗电流测试结果表明交替组装结构可以有效阻止电荷复合过程; 电化学阻抗谱(EIS)结果表明在黑暗条件下, N3/Al2O3/N749结构可以提高界面电阻, 从而抑制电荷复合过程; 本文建立了等效电路模型, 并使用该模型讨论了交替组装结构的界面电子过程; 调制强度光电流谱(IMPS)和调制强度光电压谱(IMVS)的结果表明该结构可以提高电子寿命和改善电子扩散.  相似文献   
28.
随着我国光电产业的大力发展,国内各类电子洁净厂房的建设也越来越多,规模也越来越大.结合近些年参与的多个显示屏项目洁净厂房消防系统施工的实例,简要阐述了近十几年来,此类项目,洁净厂房格构梁区域内,消防水系统安装工艺的发展变化,从开始的摸索阶段,到现在越来越安全成熟的安装工艺,消防工程的施工已变得更加科学、合理、可靠,从而...  相似文献   
29.
把分析测试工作中常用来制备高纯水的石英亚沸蒸馏器用于浓缩富集自来水中的铅、镉,并用火焰原子吸收光谱法对铅、镉进行测定.  相似文献   
30.
氧化镓(Ga2O3)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga2O3的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO2作为α-Ga2O3垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1 100 V,对于现实中制备α-Ga2O3 SBD具有非常重要的参考意义。  相似文献   
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