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161.
在80~350K的温度范围内,已测得n~+-GaAs-非掺杂Ga_(0.6)Al_(0.4)As-n-GaAs电容的电流随电压变化曲线(I-V特性)和电容随电压变化曲线(C-V特性)。在低温下此结构的特性类似于一只半导体-绝缘体-半导体二极管,此二极管的底部界面势垒高度和顶部界面势垒高度分别为0.38eV和0.40eV。由于衬底耗尽层的形成,I-V曲线出现整流特性。C-V曲线说明了反偏情况下形成耗尽层、正偏情况下形成积累层,积累层中的电子浓度大于10~(12)/cm~2。此C-V曲线与SIS结构的标准理论相符,假设了积累层中的电子服从费米-狄拉克统计,其中未计入0.16V的电压偏差。 相似文献
162.
某钢厂2#板坯连铸机及其辅助传动设备采用SIMOVERTMASTERDRIVES变流器驱动,铸流部分采用带数字测速机的速度控制,辅助传动采用无测速机速度控制;SIMOVERTMASTERDRIVES变流器与SIMATICPLCS7.400通过PROFIBUSDP进线数据通讯。采用逆变器软化功能(电流负反馈)平衡各拉矫辊负荷平衡,利用PLC来完成因逆变器软化功能所造成的速降。[编者按] 相似文献
163.
采用了电子背散射衍射技术和在扫描电镜下原位拉神实验手段相结合的方法对Sn3.0Ag0.5Cu/Cu接头在拉力作用下的变形行为进行了研究。首先,利用电子背散射衍射技术分析了接头钎料表面的晶粒分布。其次,在原位拉伸实验中注意观察分析不同晶粒在拉伸过程中的变化。结果表明:试样接头钎料上晶粒个数有限。在拉力作用下,不同的晶粒中激活的滑移系不同,因而其塑性变形行为也不一样,这种不协调的塑性变形导致晶界处易产生裂纹。在变形过程中,钎料会出现动态回复,使晶粒碎化。某些碎化后的晶粒通过扭转使其晶体取向改变,新的取向使其变形变得更容易。这些晶粒会产生很大的塑性变形。 相似文献
164.
针对轴流风机在冷却塔水温调节应用中存在的问题,介绍了施耐德ATV61变频器在冷却塔水温自动调节改进中的应用。对其自动调节原理,及变频器所采用的控制方式进行说明,并对变频器在温度自动控制过程中所涉及到得参数、控制效果进行总结。 相似文献
165.
采用化学方法腐蚀部分 c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用 LP-MOCVD 在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长 GaN 薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,CaN 薄膜透射谱反映出的 CaN 质量与 X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到 208.80arcsec 及 320.76arcsec,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略. 相似文献
166.
167.
为了能使地铁站内乘客求助信息快速、可靠地传输,又方便系统的安装与维护,采用了单片机控制无线传输模块收发乘客求助信息的方案,并在无线收发模块之间添加中继器以增加传输的距离。进行地铁站内环境对无线信号衰减程度的分析,并设计了地铁站内无线乘客求助信息系统。该系统可以满足地铁站内环境下乘客求助信息的无线传输。 相似文献
168.
169.
170.