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制备了常规有机发光二极管ITO/NPD/Alq3/LiF/Al,测量了该器件发光的磁场效应.发现尽管在1T范围内的磁场对发光层Alq3的光致发光没有影响,但磁场作用下器件的电致发光(MEL)却呈现出明显的磁效应,且MEL与器件的偏压有很强的依赖关系:在小偏压时,随着磁场的增加MEL是单调递增,且在大小约为40kA/m的磁场下达到饱和,之后即使磁场增大到约1T 的情况下也没有变化;但当偏压变大时,MEL则呈现先增加,在40kA/m处达到峰值后却又减弱,而且偏压越大该MEL的减弱则越明显.对所观察到的实验结果进行了定形解释,即三线态激子相互淬灭产生单线态激子和三线态激子与器件中的非平衡载流子相互作用是此效应的物理机理.
关键词:
有机发光
磁场效应
激子淬灭 相似文献
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用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔. 相似文献
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柯楠因是原小檗碱类生物碱类似物. 研究发现, 在近生理酸度下柯楠因与寡聚腺嘌呤核苷酸(poly A16)形成双链结构, 明显增强DNA 嵌入染料赛博绿I (SG I)的荧光. 在优化条件下, 530 nm 处荧光增强与60~600 nmol/L 的柯楠因呈线性关系, 检测限(3σ)为30 nmol/L. 方法选择性好, 同倍含量的小檗碱类似物不产生干扰. 将所建立的方法用于柯楠因合成样的测定, 回收率在92.5%~105%之间, 相对标准偏差RSD 小于3.1% (n=3). 相似文献
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制备了结构为 ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Ca/Al的聚合物光电池器件,并在不同偏压下,分别测量了器件的光电流和暗电流随外加磁场的变化. 发现随外加磁场增加,光电流增强,暗电流减弱. 从聚合物光电池中光电流和暗电流的产生机制出发,对该现象进行了解释,认为外加磁场可以有效改变单重态极化子对和三重态极化子对之间的相对比例,进而使自由载流子浓度增加. 光生自由载流子浓度增加是光生电流增强的原因,而自由载流子与三重态激子的相互作用导致了暗电流减弱. 开路电压附近,光电流随磁场增加而增强可以近似
关键词:
聚合物光电池
磁场效应
光生电流
极化子对 相似文献
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制备了结构为 ITO/CuPc/NPB/Alq3/LiF/Al 的有机发光二极管,并在300,260,220和180 K 四个温度测量了器件在恒压偏置下注入电流的磁场效应(磁电导效应).在注入电流从双极电流过渡到单极电流的过程中,随电流减小,器件的磁电导呈现先上升后下降的变化趋势.当温度降低,磁电导的值下降.但在任何测量条件下,器件的磁电导始终为正,没有出现如文献报道的磁电导从正到负的变化.实验结果表明,有机发光二极管中正负磁电导现象的产生,并非仅取决于注入电流是单极电流还是双极电流,它还与有机材料、器件结构等密切相关.利用受磁场调控的“电子-空穴对”机理与“双极化子”模型,分别解释了器件双极电流和单极电流的正磁电导效应.
关键词:
有机发光二极管
磁电导
双极化子 相似文献
17.
理论上,采用Bruggeman有效介质近似,研究了有机吸附物对多孔硅微腔的折射率及其光致发光谱的影响.实验上,采用计算机控制的电化学腐蚀法制备了多孔硅微腔样品,并利用机械泵油的蒸气分子与该微腔样品进行相互作用.研究发现,多孔硅微腔发射的窄化光致发光谱对泵油蒸气分子的吸附与脱附很敏感,与之伴随的是该窄化光致发光谱发生明显的峰位移动(可达71nm)和强度变化.结合Bruggeman近似和表面态对多孔硅发光的影响,对实验结果进行了定性解释.实验结果与理论模拟结果符合较好.
关键词:
Bruggeman近似
吸附物
多孔硅微腔
光致发光谱 相似文献
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柯楠因是原小檗碱类生物碱类似物.研究发现,在近生理酸度下柯楠因与寡聚腺嘌呤核苷酸(poly A16)形成双链结构,明显增强DNA嵌入染料赛博绿I(SG I)的荧光.在优化条件下,530 nm处荧光增强与60~600 nmol/L的柯楠因呈线性关系,检测限(3σ)为30 nmol/L.方法选择性好,同倍含量的小檗碱类似物不产生干扰.将所建立的方法用于柯楠因合成样的测定,回收率在92.5%~105%之间,相对标准偏差RSD小于3.1%(n=3). 相似文献
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