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IGCT(集成门极换流晶闸管)是一种同时结合GTO和IGBT优点的新型大功率半导体开关器件。本文首先结合4500V/4000A IGBT驱动电路设计,分忻IGCT基本工作原理和驱动电路工作原理。最后通过低压大电流实验,验证丁IGCT开通、关断原理。证明了IGCT在相同环境温度的导通状态下,门极驱动电流对导通睚降没有影响。 相似文献
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在高效视频编码标准的三维扩展方案(3D-HEVC)中,相邻块视差矢量获取算法是视点间纹理图编码的一项关键技术.针对现有快速算法获取的视差矢量质量有所下降的问题,本文提出一种利用分组搜索和按比例组合策略的相邻块视差矢量获取质量优化算法.首先,改变原有相邻块视差矢量获取算法中将第一个搜索到的视差矢量作为最终视差矢量的准则;其次,设计一种新的分组结合方法,将时间方向和空间方向上的待搜索的候选块分为若干小组,并将互相临近的候选块中得到的视差矢量按比例结合为新的视差矢量;最后,设计新的分组搜索策略,在新的视差矢量与原有矢量中获取最终相邻块视差矢量.实验结果表明,在维持现有基于编码单元的简化相邻块视差矢量获取算法效率的前提下可实现编码质量提升. 相似文献
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本文提出了CO_2跨临界循环耦合绝热吸收型两级溶液除湿系统,直接使用跨临界循环压缩机高温排气再生LiCl溶液,充分利用了跨临界循环排气温度高和温度滑移大的特点。本文使用LiCl溶液作为除湿剂,建立了复合系统的热力学模型,分析得到可用排热的温度滑移范围为120~50℃。耦合系统能够实现温湿度独立控制,跨临界循环的蒸发温度得到明显提高。一级除湿器除湿量占比与湿空气入口含湿量呈单调递增关系。一级除湿器进口LiCl溶液温度降低、浓度增大,能够提高溶液除湿循环的性能系数。耦合系统的可用排热与蒸发温度密切相关,存在一个临界蒸发温度使得可用排热满足系统再生需求。对比CO_2跨临界循环冷却除湿,在相同除湿量下,使用本文耦合系统进行除湿,跨临界循环的COP提高5.6%,压缩功减少29%。 相似文献
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非均匀采样干涉数据光谱反演技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
干涉光谱成像仪获取的干涉数据是一种中间数据,需要进行光谱反演才能够得到目标光谱数据,傅里叶变换方法是常规的光谱反演方法。由于干涉数据中存在非均匀采样问题,若忽略光谱混叠,直接采用快速傅里叶变换会导致反演光谱的失真,难以满足实时处理需求。针对非均匀采样干涉数据的光谱反演需求,将插值及非均匀快速傅里叶变换(NUFFT)方法应用到光谱反演处理中,对过采样及部分欠采样情况下的非均匀采样干涉数据,提出了相应的光谱反演方法,并分析了方法的适用性。最后对过采样及部分欠采样情况下的光谱反演方法进行计算机仿真,过采样情况下采用NUFFT方法反演光谱的精度要明显高于插值方法,而部分欠采样情况下插值方法反演光谱的精度要明显高于NUFFT方法,并对欠采样造成的光谱混叠有一定的修正,验证了方法的有效性。 相似文献
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This paper reports that DLC (diamond like carbon)/Ti and DLC films were prepared by
using pulsed laser arc deposition. R-ray diffraction, Auger electron spectroscopy,
Raman spectroscopy, atomic force microscopy, nanoindenter, spectroscopic
ellipsometer, surface profiler and micro-tribometer were employed to study the
structure and tribological properties of DLC/Ti and DLC films. The results show that
DLC/Ti film, with $I(D)/I(G)$ 0.28 and corresponding to 76{\%} sp$^{3}$ content
calculated by Raman spectroscopy, uniform chemical composition along depth
direction, 98 at{\%} content of carbon, hardness 8.2 GPa and Young's modulus 110.5
GPa, compressive stress 6.579 GPa, thickness 46~nm, coefficient of friction 0.08,
and critical load 95mN, exhibits excellent mechanical and tribological properties. 相似文献
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半导体材料的带隙宽度对其性能有重要影响,准确预测带隙宽度对半导体材料的研究具有重要意义。通过密度泛函理论计算半导体材料带隙宽度通常需要耗费大量的时间且预测精度较低,因此建立了一种基于统计学方法和改进PSO-BP神经网络算法的半导体材料带隙宽度预测模型,用于提高带隙值的预测精度。该模型先通过统计学的方法对半导体材料带隙宽度数据集的特征属性进行分析和选择,而后利用改进的PSO-BP神经网络算法挖掘特征属性与带隙值之间隐含的数学关系。实验结果表明,该预测模型相比于对照模型的均方误差降低了25%以上,可靠性达到了75.15%,可广泛应用于需要大量预测半导体材料带隙宽度的场合中。 相似文献
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