离子选择性电极标准加入法研究——Ⅲ、二次标准加入误差规律探讨

二次标准加入法(以下称方法)是离子选择电极分析较为简便、实用的实验技术,但一般精度不甚理想。因此,近年对其误差规律的研究受到关注,并导出一些误差函数式和曲线。然而均未能准确、定量地阐明方法的基本问题。文只是认为方法存在一误差“放大效应”。据笔者研究,方法的电极斜率S系一待测量,具有非常规的变量性质。上述文献作者均未认识这一特殊性质。文用烦琐的Monte Carlo模拟法分别导出误差曲线和式,这种数学处理过程含将S记为恒量的浓度-电势换算步骤。另外将三次电势测量误差用统一的标     

离子选择性电极标准加入法研究——Ⅰ、△E_n—1gN_n 函数关系及其应用

标准加入法和Gran作图法是离子选择电极分析较为常用的实验技术。前者计算公式较繁,故有的采用列表计算法以简化计算手续,但一种表只适用于固定电极斜率和V_s/V_o比值。后者系多次标准加入法,根据各次标准加入后测得的电势E(或△E)值在专用图纸上作图求解测定结果。然而当电极斜率偏离图纸规定的数值(一价离子为58毫伏,二价离子为     

纳米TiO2膜用于光催化氧化测定化学需氧量的研究

A photocatalytic oxidation method for determination of chemical oxygen demand （COD） using nano-TiO2 film, based on the use of a nano-TiO2-Ce（SO4）2 system and electrochemical detection, was proposed. The technique was originated from the direct determination of the Ce（Ⅲ） concentration change resulting from photocatalytic oxidation of organic compounds. Ce（Ⅲ）, which was produced by photocatalytic reduction of Ce（SO4）2, could be measured at a multi-walled carbon nanotubes （MWNT） chemically modified electrode （CME）. The COD values by this method were calculated from the differential pulse voltammetry （DPV） current of Ce（Ⅲ） at the CME. Under the optimal operation conditions, the detection limit of 0.5 mg·L^-1 COD with the linear range of 1-600 mg·L^-1 was achieved. This method was also applied to determination of various COD of ground water and wastewater samples. The resuits were in good agreement with those from the conventional COD methods, i.e., permanganate and dichromate ones.     

钇对金属陶瓷力学性能和组织的影响

研究了添加钇对Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属瓷力学性能和组织的影响。结果表明，加入适量的钇能提高Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷的抗变强度和硬度，其原因是由于钇与杂质硫起反应在化合物，净化了陶瓷相－金属相，陶瓷相－陶瓷相界面提高子界面结合强度     

稀土冠醚类配合物的研究 XX: 三价及二价稀土硫氰酸盐与辛二酰双(4'-苯并-15-冠-5)配合物的合成和性质

在乙腈和二氯甲烷混合溶液中合成了三价稀土元素(La, Nd, Eu, Dy, Er, Yb)硫氰酸盐与辛二酰双(4'-苯并-15-冠-5)的六个新配合物。并在氩气氛中, 以四氢呋喃为溶剂, 锂-萘为还原剂, 制得了二价铕硫氰酸盐与辛二酰双(4'-苯并-15-冠-5)的固体配合物。通过元素分析、红外光谱、差热热重分析、荧光光谱、穆斯堡尔谱、电子自旋共振谱、还原性实验等研究了双冠醚与稀土离子的配位作用, 并讨论了三价和二价稀土配合物在物理化学性质上的差别。     

Synthesis and Structure of Dimolybdenum Carbonyl Thiolate Compound [Et4N]2[Mo2（CO）8（SC6H4—CH3—m）2]

1 INTRODUCTION In 1984, thiolate ligand was successfully introduced into molybdenum carbonyl compound by the reaction of Mo(CO)6 with [Et4N]SR( R = C6H5, But) in a moderate condition[1]. From then on, a series of dinuclear molybdenum(0) carbonyl thiolate compounds have been synthesized and characterized by using a variety of thiolate ligands in our research group. It was found that a planar Mo2S2 unit is in the compound [Et4N]2[Mo2(CO)8(SC6H4-CH_3-p)2][2] (2) and a "butterfly" t…     

苯胺类化合物的电化学氧化及随后化学反应

利用循环伏安法研究了二取代对苯二胺(1),四取代对苯二胺(2)和二取代氨基酚(3)三类化合物以及它们的衍生物的电化学行为及其氧化产物的随后不可逆脱氨反应。 1类化合物在任何pH下的电化学氧化均为一步双电子转移反应,2类化合物为二步单电子转移反应;3类化合物在酸性和中性范围为一步双电子氧化在碱性溶液中为二步单电子转移反应。文中定量求算了不可逆随后化学反应的表观水解速率常数k_f,并进行了讨论。     

1-氟代糖在化学-酶法合成糖类中的应用

化学-酶法合成糖类具有立体选择性和区域选择性, 逐渐成为糖类合成的主流. 1-氟代糖作为糖基供体应用于化学-酶法合成反应, 显示出越来越重要的作用, 综述了1-氟代糖在糖基转移酶和糖苷酶催化的糖类合成中的应用.     

溶胶-凝胶法制备高取向Bi4Ti3O12/SrTiO3(100)薄膜

Bi4Ti3O12具有良好的铁电、电光等性能山、特别是Bi4Ti3O12薄膜很适合作永久性存储材料，也可用于电光器件问．在微电子学、光电子学、集成光学、集成铁电学等领域均有广泛开发和应用前景，国外已用溅射法、激光沉积法制备出c轴取向Bi。Ti3Ol。薄膜【’，＼山东大学用MOCVD法制     

三苄基氯化锡及其衍生物的合成

三苄基氯化锡最初用格氏法制得。Keiti等曾报道由锡和苄基氯直接制备,这时溶剂对反应的影响很大:用水作溶剂时得到三苄基锡;用甲苯作溶剂时得到二苄基二氯化锡;用正丁醇作溶剂时三苄基氯化锡的产率只有61％。在反应体系中加入KI、KBr或H_3PO_4等催化剂,三苄基氯化锡的产率也只有60％。本文用DMF作溶剂,AlCl_3-I_2作催化剂,并首次在反应体系中加入镁、锌、铝和钠等使副产物氯化亚锡还原成活性很高的金属锡,后者再与等基氯反应,可使三苄基氯化锡的产率提高到91.3％。文中还报导三种尚