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211.
本文导出了部分U6 SU3,UN (U1)N SO7 (SU2)3同位标量因子的解析表达式. 相似文献
212.
一、引言 近年来在单片机世界中,美国Microchip公司推出的PIC系列大放异彩,成为主流产品,并受到国内用户的欢迎,被成功地应用到各种电子产品中。下面将PIC系列单片机的产品构成、各种规格型号、发展趋势以及开发工具等做一个归纳性的概述,以便读者在开发工作中参考。 二、PIC单片机的产品构成 Microchip公司把PIC系列单片机分成基本级、中级和高级三个层次来发展见表1。 PIC系列单片机的主要技术特点如下: 1.所有型号(除16C84是E~2PROM工艺外)都有低价位的一次性用户可编程型(OTP),非常适合产品开发和生产。 相似文献
213.
分析了电子专用设备普及模块化设计及生产制造所面临的实际工艺问题,结合在电子专用设备研制过程中对实际工艺问题的分析和解决实例,总结出电子专用设备模块化工艺的应用经验和实际特点。 相似文献
214.
Fe ions of dose 8 × 1016 cm-2 are implanted into a ZnO single crystal at 180 keV. Annealing at 1073 K leads to the formation of zinc ferrite (ZnFe2O4), which is verified by synchrotron radiation X-ray diffraction (SR-XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The crystallographically oriented ZnFe2O4 is formed inside the ZnO with the orientation relationship of ZnFe2O4 (111)//ZnO (0001). Superconducting quantum interference device (SQUID) measurements show that the as-implanted and post-annealing samples are both ferromagnetic at 5 K. The synthesized ZnFe2O4 is superparamagnetic, with a blocking temperature (TB = 25 K), indicated by zero field cooling and field cooling (ZFC/FC) measurements. 相似文献
215.
本文介绍了发射机健康管理和预测性维护系统的项目需求和设计结构,对各模块的建模方案进行了详细的说明,并对模拟测试结果和后续优化方案进行了讨论. 相似文献
217.
在S波段3.3 MW脉冲磁控管研制过程中,连续多支磁控管在工作比为1.05‰的条件下工作不足100 h,阳极端盖出现明显的氧化现象,经分析轴向电子轰击端盖产生局部高温是引起磁控管阳极端盖氧化的一个重要原因。本文对阴极发射体端部结构进行改进,仿真分析及实验结果证明了改进后的结构可实现对轴向电子的有效抑制。改进后的磁控管在脉冲电压为47.5 kV、脉冲电流为120 A、脉冲宽度为4.2μs、工作比为1.2‰的条件下,输出脉冲功率大于3.3 MW,磁控管已稳定工作超300 h,阳极端盖无氧化现象发生。实验结果为进一步提升磁控管技术性能及推广应用打下了良好基础。 相似文献