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研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势。通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS(GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2。另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3 V。 相似文献
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一、前言 集成电路制造工艺已经从亚微米过度到深亚微米。随着设计规模与复杂度的不断增加,产品推向市场的时间要求又越来越短,现在逻辑设计的IC设计师大都脱离原来的低层次原理图设计方法而采用高层次设计(HDL:High Level Design Language),设计综合成为逻辑设计的主流,以达到提高设计效率、缩短开发产品周期的目的,而逻辑综合就必需要有综合库。现在的逻辑综合工具是 相似文献
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在酸性环境下,利用4,4,-双(3-硝基-4-甲酰基苯基硫醚)二苯砜与4,4’-二氨基-4’’-甲基三苯胺的缩聚反应制备给体-受体型的聚西佛碱(PA).其中二苯砜单体为聚合物的电荷受体单元,而三苯胺为电荷给体单元.在电场的作用下,Pt/PA/ITO具有较稳定、可重复的电致阻变效应.其物理机制是材料中给体和受体间发生了电荷转移,由初始高电阻状态的给体-受体结构转变到低电阻状态的给体+-受体-结构. 相似文献
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为实现光电经纬仪等靶场光测姿态测量设备测量精度的室内测试和评价,介绍了光电经纬仪对空间轴对称目标的姿态交会测量的原理。利用检测架、平行光管、目标轮廓靶及光源室内模拟不同姿态角的无穷远目标。建立了利用目标特征点的方位角、俯仰角计算目标姿态角的精确数学模型。用高精度经纬仪对目标上的多个特征点进行测量,用最小二乘法按该数学模型对目标姿态进行拟合,得到模拟目标的姿态,经验证该方法的标定精度可达0.05°。以该标定结果为模拟目标姿态的真值,光电经纬仪对同一模拟目标姿态进行动态测量,将测量结果与真值进行比较,可确定光电经纬仪的姿态测量精度。 相似文献
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给出了一种用于非制冷光学读出红外探测器的核心器件--双材料微悬臂梁阵列的设计和制作.微梁阵列是无硅基底的SiNx/Au双材料单层膜结构,其制作工艺简单、可以直接放在空气中成像.实验使用了设计制作的140×98微梁阵列和高信噪比的12-bit CCD,得到120℃以上的物体热像,噪声等效温度差(NETD)为7K左右,实验结果与热机械模型预测结果一致. 相似文献