双材料微梁阵列非制冷红外成像技术--微梁阵列热变形的光学读出

针对双材料微梁阵列非制冷红外成像技术的光学读出系统,提出了在谱平面上进行刀口滤波将阵列转角转化为像平面上光强变化的高灵敏度测量技术,并对光学探测灵敏度进行了理论分析.利用该光学读出系统在实验中得到了120℃红外物体的热图像.通过对实验结果的分析和图像处理消除噪声技术,得到该系统在成像温度范围的噪声等效温度差(NETD)约为5K,并对系统噪声进行了讨论.     

基于双材料悬臂梁结构的非制冷红外成像系统

报道了一种利用MEMS技术制备 ,基于双材料悬臂梁结构的非制冷红外焦平面阵列 (FPA)并配有可见光读出部分的红外成像系统 ,可以在 8～ 14 μm光谱区得到成像。基于该结构的非制冷红外成像系统利用的是光力学效应原理。我们采用MEMS表面硅工艺制备FPA ,深入研究了双材料悬臂梁结构成像系统的基本原理 ,工艺制备难点和响应结果     

三维集群动画的一种实现方法

1．集群动画简介 在各种影视作品中（尤其是国内外大片）,经常会看到千军万马奔腾或交战的壮观场面,如《天煞》、《特洛伊》、《星河战队》等。显然,这些气势恢宏的镜头无法通过实拍得到．必须借助于CG技术再现。这其中的一个关键技术就是集群动画的实现。     

基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计

研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势。通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS(GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2。另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3 V。     

基于FPGA的分布式光纤传感系统偏振控制研究

为了消除基于双马赫-曾德尔干涉的分布式光纤传感系统中偏振退化和偏振相位漂移对定位性能的影响,提出了一种结构简单、效率高的基于现场可编程门阵列(FPGA)的偏振控制方法。该方法采用偏振控制器反馈技术,以两路光信号的反馈值作为控制函数,结合改进的和声搜索(IHS)算法,利用FPGA硬件并行结构和流水线技术快速实现算法迭代并控制偏振控制器调整偏振态。实验结果表明,该方法能够在短时间内调整系统偏振态,偏振控制时间约为0.7808s,系统的定位精度提高到±20m以内,有效地消除了偏振效应对定位性能的影响;另外以FPGA代替计算机作为系统的控制核心,提升了数据处理速度,缩短了偏振控制时间,提高了系统集成度从而有利于实现偏振控制仪器的小型化。     

应用于NRZI码时钟和数据恢复的CMOS模拟锁相环设计技术

本文介绍一种应用于 NRZI 码时钟和数据恢复(Clock and Data Recovery---CDR)的 CMOS 模拟锁相环(Phase Locked Loop---PLL)设计技术。该技术方案应用面广,在综合生成多种输出频率的同时,进一步还可以应用于 NRZI 码(None-Return-Zero of Invert Code)流同步时钟的提取与恢复。经 HSPICE 仿真,该电路具有功耗低,相位抖动小,抗电源噪声能力强的特点。     

三维实景建模技术及运用下

近年来,一种被称为三维实景建模(也称作基于图像的三维重建)的新技术成为计算机图形图像领域研究的热点并开始在影视制作中崭露头角.该技术能够通过数学方法,仅仅依靠数十至上百张照片就能得到真实目标物体的三维模型.在很多场合里,通过这种方式得到的模型在空间结构上与真实标的非常相似.以此为基础,可以对模型进一步修改完善,进行诸如雷达反射截面积计算、结构力学分析、流体性能仿真、逆向工程研究等多种科学仿真实验,以较小的代价获得以往用很大投入才能得到的科学数据;还可以用在多媒体汇报、动画制作、特效合成等影视工作中,为观众提供更为形象直观的表现方式.这对于传统的三维模型制作和真实场景复原提供了一个完全崭新的手段,应用前景广阔.本文简要介绍这一技术的发展概况、技术原理、以具体案例对其工作流程做一展示.     

集成LDO的复杂SoC芯片电源网格研究与实现

本文阐述了集成LDO的复杂SoC芯片电源网格在EPS（Encounter Power System）环境下更精确的分析和实现方法，指出了传统的基于理想电压源的电源网格分析的不足，并对EPS基于LDO的数模混合电源网格分析的结果与SPICE仿真的结果进行了比较，从而保证了集成LDO的SoC芯片的电源稳定性和时序收敛的正确性。     

亚微米集成电路库设计技术

一、前言 集成电路制造工艺已经从亚微米过度到深亚微米。随着设计规模与复杂度的不断增加,产品推向市场的时间要求又越来越短,现在逻辑设计的IC设计师大都脱离原来的低层次原理图设计方法而采用高层次设计(HDL:High Level Design Language),设计综合成为逻辑设计的主流,以达到提高设计效率、缩短开发产品周期的目的,而逻辑综合就必需要有综合库。现在的逻辑综合工具是     

星敏感器光学系统弥散斑测试方法

提出了一种星敏感器光学系统弥散斑尺寸的测试方法,主要是利用平行光管、转台和CCD显微摄像系统组成弥散斑测量系统,采集图像后,采用双三次插值像元细分,提取图像中灰度值,依据瑞利判据计算弥散斑尺寸。通过实际测量和试验验证,光学系统0.8视场弥散斑测量精度可以达到0.5μm,重复测量精度可达0.2μm。