基于色彩衰减补偿和Retinex的水下图像增强

针对水下图像存在的色偏、雾状模糊、低曝光和非均匀光照问题, 提出一种基于色彩衰减补偿和Retinex的水下图像增强算法. 首先, 为校正水下图像的色偏, 利用水体对不同波长光线衰减不一致的特性自适应地补偿其R、G、B通道. 然后, 使用基于多尺度导向滤波的Retinex去除雾状模糊, 增强对比度. 最后, 根据水下图像和自然图像的直方图分布特征对其进行归一化处理, 从而在保存图像主要信息的前提下增强其纹理和曝光. 实验结果表明, 该算法不但具有较优的视觉感知效果, 而且具有较高的图像质量评价分数. 该算法具有较强的适应性, 有助于计算机视觉算法在水下的应用.     

基于STM32的冷暖两联供控制系统设计

当前我国以空气温度作为空调工作的控制温度,难以提高使用舒适度,针对此问题,提出了一种基于STM32的体感温度控制的冷暖两联供控制系统设计方法。该系统分为温控器和主控器两个部分,且均以STM32F103C8T6单片机为主控芯片,采用RS485实现两者之间的通信及数据传输。温控器实现对风机盘管、地暖的温度调控,整体功能显示,房间内温湿度检测以及控制继电器开闭对风机盘管的风速调制。主控器通过RS485通信实现温控器与主机之间的联动,通过接收温控器传输的温湿度确定当前房间的露点温度,根据露点温度实现对三通合流阀的调控,用以实现控制地暖的供水温度始终高于露点温度1～2℃。经系统调试,两块控制器均很好地满足冷暖两联供控制系统的设计需求。     

超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究

氧化镓(Ga₂O₃)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga₂O₃的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO₂作为α-Ga₂O₃垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1 100 V,对于现实中制备α-Ga₂O₃ SBD具有非常重要的参考意义。     

基于聚类划分与双向LSTM网络的台区线损率计算

在低压台区中,由于分支线路复杂,节点多,量测点少,台账数据不完整,理论线损率计算困难。提出了一种基于聚类划分与双向LSTM网络的台区线损率计算方法。首先,基于城农网标识、户均容量、运行年限等影响线损率的台区静态参数特征,采用K-medoids聚类算法将台区划分为不同类别;接着,基于台区静态参数特征以及负载率、三相不平衡度、环境温度等台区运行参数特征,采用双向LSTM网络构建每一类台区的线损率计算模型;最后,基于该模型开展台区线损率理论值计算。以某公司28167个台区样本数据进行仿真计算,结果验证了所提算法的准确性明显优于支持向量机与回归树算法的准确性。     

微波诱导等离子体热解法合成碳膜包裹的TiO2纳米微晶

微波诱导等离子体热解法合成碳膜包裹的ＴｉＯ２纳米微晶刘洪波（广东石油化工高等专科学校广东茂名５２５０００）洪品杰戴树珊（云南大学化学系云南昆明６５００９１）关键词微波诱导等离子体包裹碳膜ＴｉＯ２纳米微晶中图分类号Ｏ６１４．４１１近年来，对碳膜包裹型材...     

双四唑胺和钐构筑的含单核结构的配合物的水热合成和晶体结构

以双四唑胺(H₂BTA)、氯化钐为原料,通过水热法合成了一个双四唑胺合钐配合物[Sm₂(BTA)₃·(H₂O)₁₀]·5H₂O(H₂BTA=双四唑胺)。X-射线单晶衍射表征了这个配合物属于三斜晶系,P1空间群。在配合物中,两种不同的Sm³⁺离子与双四唑胺的2个螯合N原子和水分子配位形成2种八配位的四方反棱柱结构的单核配合物单元。在2种单核配合物单元和结晶水分子之间,存在着O-H…N,O-H…O和N-H…N 3种不同的氢键,形成三维超分子结构     

亚硝基苯光解过程中的能量配置

利用单光子激光诱导荧光(LIF)技术,测量了亚硝基苯(C6H5NO)初生态光解碎片NO(X 2Π v″=1,2,3)的转动光谱.通过对初生态光解碎片NO(X 2Π )内能态布居的分析,得到了NO(X 2Π )的转动温度和相对振动布居比,研究了亚硝基苯在266 nm激光光解过程中的能量配置情况.与小分子相比,大的亚硝基苯分子,其光解过程中能量分布很宽,涉及到所有自由度.     

基于FM接收机的可变带宽频率综合器设计

本文介绍了应用在单芯片FM接收系统中可变带宽频率综合器的设计.通过同时改变电荷泵电流和滤波器的结构使锁相环的带宽发生变化,这样在不影响噪声性能(phase jitter)的前提下,锁定时间显著减小.在大电流状态下,环路带宽比锁定状态下提高了4.6倍.电路设计是采用0.6μm BICMOS工艺,仿真结果显示,在3V的电源电压下,锁定时VCO纹波电压小于0.2mV,功耗大约12mW.