碎片云SPH方法数值模拟中的材料失效模型

光滑粒子流体动力学方法（smoothed particle hydrodynamics,SPH）被广泛应用于薄板超高速撞击碎片云的数值模拟。利用AUTODYN软件中的SPH模块,考察了无失效模型、Grady失效模型和最大拉应力失效模型3种方案下碎片云模拟结果,发现无失效模型时计算结果及材料表现与实验明显不符;相比于Grady失效模型,最大拉应力失效模型下材料更难失效,将小幅度减弱碎片云扩散程度,碎片总数减少,粒子聚集产生更大碎片,碎片云侵彻性能提高,增大模型失效阈值亦有上述表现。相比而言,Grady失效模型计算结果更符合实验,但2种失效模型间差异与撞击工况相关,材料破碎越充分差异越小。     

一种使用曲波变换的多聚焦图像融合方法

提出一种使用曲线波（Curvelet）变换的多聚焦图像融合方法：首先采用非均匀采样的快速傅里时变换（FDCTUSFFr）实现方法的二代Curvelet变换,对待融合图像进行分解;然后对不同尺度和方向上的曲波系数采用设计的融合策略进行融合;最后通过融合系数重构得到结果。实验结果表明该方法在主观感觉和客观评价指标上较小波分析的融合算法均有一定的提高。     

无定形靶中离子注入的R,R_p,△R_p的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解: R=2/a[E1/2-A_1(arctg2E1/2-f/△+arctg f/△)+B1 1n(E1/2-f)~2/E-fE1/2+d·d/f~2] 其中A_1,B_1,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=F[A_2(μ)+B_2(μ)/μ1/2+C],和ω=R_p/△R_pR/R_p(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A_3(μ)μ1/2+B_3(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A_2(μ),B_2(μ),B_3(μ)和A_3(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对等关系式的物理意义作了讨论。 上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO_2等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

多层衬底、高Tc超导薄膜热敏红外探测器的热导研究

本文提出在高T_c超导薄膜平面热敏红外探测器中光辐照引起超导膜上呈高斯分布温升的模型。在此模型基础上,导出了计算衬底热导的基本方程。它不仅能适用于单层平面型衬底的热导计算,而且适用于串联结构多层平面型衬底的热导计算。计算结果与文献[7]的结果相一致,也与文献[1]的实测值符合,具有较大的普适性。应用Math CAD程序,得出了衬底热导G₃与光照半径r、衬底厚度d和频率f三者间的相互关系,从而为选择最佳结构或工艺参数创造了条件,指明了提高探测器响应率、比探测率等和降低等效噪声功率的途径。 关键词：     

GaAs及其它半导体欧姆接触模型

n型GaAs欧姆接触的比接触电阻ρ_c与有源层浓度N_D有反比关系,这已为很多实验事实所证明。文献中对这一现象有各种解释。本文对文献中的各种解释模型进行了分析,指出不足之处。提出ρ_c应由两部分ρ_(c1)和ρ_(c2)组成。ρ_(c1)是合金与其下在合金化后形成的高掺杂层间的比接触电阻。此外,在这高掺杂层与原来有源层间有 关键词：     

深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响

本文基于位于准费密能级下深受主陷阱和剩余空穴,在平衡(无光照)和非平衡(有光照)条件下单位时间内空穴浓度变化率的微分方程基础上,导出了指数衰减理论方程,可很好地解释深能级对FET光脉冲瞬态特性的影响,指出了深能级是衰减长尾产生的根本原因,并测定了GaAs MESFET、GaAlAs TEGFET Si JFET的光脉冲瞬态特性,验证了理论模型的准确性。探讨了能级深度E_T等因素对衰减曲线的影响。测定了上述三类器件的等效噪声电压与频率f之间的关系,应用文献[6]的公式得出了相应的等效噪声 关键词：     

金属-半导体欧姆接触比接触电阻值的微机自动测定

本文描述了欧姆接触的测试原理和测定欧姆接触比接触电阻的微机自动测试系统,并用该系统对制备的欧姆接触进行了测量,其测量精度优1%,测试系统使用方便,操作简单,获得结果迅速、可靠,适合于半导体器件的欧姆接触工艺研究与监控中比接触电阻的测定.     

隐埋“月牙”形InGaAsP/InP激光器动态特性研究

本文用计算机模拟方法分析了隐埋“月牙”形InGaAsP/InP激光器的动态特性,得到阈值电流,单模截止条件与有源区厚度(中心)d₀、沟宽W、条宽s、腔长L和材料的电阻率R_x等结构参数间的关系。在模拟分析的基础上,提供了阈值电流与结构参数间的近似表示式,从中能简捷地估算激光器的物理特性。文内还提出了注入载流子浓度高斯分布模型,应用这模型,可准确地计算电流扩展和增益分布,且导出了最大增益g_max,阈值电流密度J_th,模增益G_th,最佳有源区(中心)厚度d_0,min,最佳阈值电流密度J_th,min等一系列解析式。基于上述分析,该激光器最佳设计参数为d₀=0.15—0.2μm,W=2—4μm,s=10—15μm,L=200μm。 关键词：     

深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响

本文从文献测得InGaAsP材料中存在着较大的俘获截面、较高的深能级杂质(或缺陷)浓度的事实出发,应用了文献(13)所提出的深能级引起的多声子非辐射复合模型,在此模型基础上,使用了一系列与多声子复合有关的关系式,从理论和实验上证实了考虑多声子复合对LED输出功率饱和性影响的必要性。讨论了深能缀杂质(或缺陷)的能级及其浓度对注入电流I与载流子寿命τ、内量子效率qηi,输出功率间关系的影响。也讨论了温度的影响。研究了各参数闯相互关系,并找出了影晌饱和性的原因所在。