光孤子通信

以光孤子作为信息载体的光孤子通信是通信领域中的又一次飞跃，它是实现超高速超远程 最新手段。本文从物理实质分析了光孤子的形成及其传输规律，最后给出了光孤子通信的特点及前景。     

IC春潮涌东方设备商收获中国芯

2005年仍将是中国半导体产业高速发展期!根据IC Insight分析，中国市场的芯片需求2004年达到270亿美元，2008年预计达到620亿美元。而诸多新晶圆代工厂的兴建，预示着日渐发展的中国市场对集成电路的更高需求，以及对各种新设备不断增长的资本投资。中国计划在未来几年内投入170多亿美元以新建20个新的晶圆代工厂必然引发对半导体设各、材料的大量需求，“SEMICON China 2005”无疑是一个联系供应商和采购商的平台。“SEMICON China”是目前中国半导体行业虽大的专业展览之一。此次“SEMICON China 2005”一大亮点是将传统的半导体设备与材料类企业展览拓展至制造服务与设计服务类企业。亦将对整个半导体产业的发展带来极其有益的推动。为了展示此次盛会的风采，作为“SEMICON China 2005”宣传合作媒体，《半导体行业》杂志特别地推出“SEMICON China 2005”特刊。深信参加“SEMICON China 2005”。会让我们的企业在中国IC界赢得商机，占领市场。让我们共赴一年一度的盛会。让我们相逢在“SEMICON China 2005”春意盎然的三月!     

CuSe表面修饰的第一性原理研究

单层CuSe属于体相为非层状的二维材料,本质上具有金属性质,因此不适合在电子器件中应用.本文通过外部原子修饰的方法实现CuSe电子结构的改变,采用密度泛函理论的第一性原理研究了单层CuSe在顶位、中心和桥位添加第二周期原子后的能带结构,重点分析了单层CuSe添加Li和B原子的电子结构,包括能带结构、态密度、差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居分析.添加Li原子后,从能带结构的结果来看,三个位置都能实现CuSe由金属性转为半导体性,且Li原子更倾向修饰在CuSe的六角形中心,带隙约为1.77 eV;在Cu原子的顶部位置添加B原子也可以实现CuSe具有半导体性,带隙约为1.2 eV.通过差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居的结果来看, B原子用B-Se极性共价键结合在单层CuSe的顶部.第一原理揭示了从单层CuSe到Cu XSe (X=Li, B)的金属到半导体转变的实现,计算结果使CuSe在未来的电子设备中使用成为可能.     

利用铝＋氮或钛＋氮离子束辅助沉积改善纯铁摩擦学性能的研究

离子束辅助沉积是近几年发展起来的一种将离子注入与薄膜沉积融为一体的材料表面改性新技术。利用Ａｌ＋Ｎ＋或Ｔｉ＋Ｎ＋离子束辅助沉积对工业纯铁进行了表面改性处理，并且就其摩擦学性能与未经表面改性处理之纯铁试样的作了对比试验研究，同时还利用俄歇电子能谱仪、掠角Ｘ射线衍射仪和扫描电子显微镜等分析测试手段对离子束改性层的成分深度分布和微观组织结构，以及磨痕的表面形貌和元素面分布进行了分析。结果表明，Ａｌ＋Ｎ＋或Ｔｉ＋Ｎ＋离子束辅助沉积可以在纯铁表面形成Ｆｅ４Ｎ、Ｆｅ３Ａｌ或Ｆｅ２Ｎ、Ｆｅ２Ｔｉ等强化相，因而使材料的表层显微硬度分别提高了２１．５％和５８．４％，稳态摩擦下的摩擦系数分别降低约８０％和８３％，平均磨损量分别降低约７１％和８６％；磨损形式主要由纯铁严重的粘着磨损转化为轻微的氧化磨损。     

卟啉-蒽醌化合物分子内光诱导电子传递的光谱研究

合成了以不同长度柔韧碳链相连的三种卟啉(Por)-蒽醌(AQ)二元化合物Por-Cn-AQ (n=1,4,10),主要通过稳态荧光光谱和瞬态荧光光谱研究了它们的分子内光诱导电子传递情况,并结合密度泛函理论(DFT)对分子内电子转移机理进行了初步探讨.结果表明:共价相连的卟啉-蒽醌二元化合物在光激发下能够发生从卟啉组分到蒽醌组分的分子内光诱导电子传递;连接链性质对电子传递速率有直接的影响.实验和理论计算结果表明卟啉-蒽醌之间的分子内电子转移很可能是通过超交换机理进行的.     

热处理温度对Mn－Co－Ni厚膜热敏电阻浆料特性的影响

通过对Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系过渡金属氧化物材料和导电相进行热处理，使Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ浆料制作的热敏电阻敏感特性和阻值分散性明显改善。     

汤姆逊彩电场扫描电路分析

汤姆逊彩电场扫描电路分析哈尔滨船舶工程学院王松武，宋绪加该机的场扫描电路如图１所示。本电路由集成块ＩＬ＿（０３），可控硅ＳＣＲ、二极管Ｄ＿（３３）、行逆程变压器Ｔ、锯齿波形成电容Ｃ＿（４１）等组成。场偏转线圈所需的锯齿波电压是由ＳＣＲ、Ｄ＿（３３）对...     

定积分的应用(平面的面积和曲线的弧长)

一、平面的面积 (1) 在区间a≤x≤b函数,f(x)连续,当f(x)≥0时,曲钱y=f(x)和两糸直线x=a,x=6及x轴围成的部分的面积A是: