沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷.     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.     

镁合金表面宽带激光熔覆Cu-Zr-Al合金涂层

采用宽带激光熔覆技术在镁合金表面制备了Cu-Zr-Al合金涂层。研究结果表明,Cu-Zr-Al合金涂层是由ZrCu、Cu8Zr3、Cu1 0Zr7和Cu5 1Zr1 4金属间化合物和α-Mg所构成,其中ZrCu相呈连续网状分布于由Cu8Zr3、Cu1 0Zr7、Cu5 1Zr1 4相所构成的灰色区周围。熔覆区和热影响区之间呈现出犬牙交错型界面结合特征。受熔覆材料元素扩散迁移的影响,热影响区具有典型的共晶组织形态。由于合金涂层中多种金属间化合物的增强作用,使合金涂层具有高的硬度、弹性模量、耐磨性和耐蚀性。     

新加坡发布IP电话管制新政策

为了促进新加坡VOIP业务的发展，新加坡电信管制机构IDA于2005年6月中旬宣布，IDA将引入新的IP电话管制框架，为那些有兴趣提供IP电话业务的运营商发放牌照及分配电话号码。IDA希望IP技术的引入能够降低电话业务的成本，从而降低价格及为用户提供更为丰富多彩的业务。IDA的一个发言人表示，为IP电话提供电话号码为用户带来了方便，     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

《高频电子线路》在大学生电子竞赛中的应用

本文从大学生电子大赛出发,通过对高频电子线路课程内容的阐述,以及对近年来大学生电子大赛题目中涉及的高频电子线路知识的探讨,体现出了高频电子线路知识在大学生电子设计大赛中的广泛应用。     

ZigBee在通信电缆温度监测中的应用

为了达到监测电缆线的分布节点的温度的目的,采用了一种基于ZigBee技术的,低功耗、突发式、2.4GHz无线收发模块和集成数字温度测量传感器组成的温度测量节点组成的分布网络,并运用集中监测的方法,进行了设计分析和实验验证,取得了在链形链接间隔100米范围内10个节点的数据传输和温度监测。结果表明,在电缆线温度监测过程中,ZigBee无线组网和数字温度测量传感器能够满足测量要求,并有非常灵活的组网方式,适合于电缆线链路长的多点监测。     

基于Freeman链码的岩心交叉裂缝分离算法

在石油地质领域中,裂缝研究是油气勘探的重点.而且,岩心裂缝统计参数分析的准确程度,对油气勘探开发和提升采收率都有着一定程度的影响.由于岩心裂缝中存在大量的交叉裂缝,会对裂缝的统计和计算裂缝的分布特征造成影响.因此,本文在识别岩心裂缝的基础上,通过改进Freeman链码直线检测算法,对细化后的交叉裂缝骨架进行分离;通过分离的裂缝骨架对整个交叉裂缝进行分离.实验结果证实,该算法能较好地对交叉裂缝进行分离.     

光缆信号传输的常见故障分析和排除

有线电视信号的光缆传输大致分为前端机房、中间传输和终端接收3部分，下面介绍这3部分可能发生的故障及其原因。