非对称损失函数下Burr Ⅻ型分布可靠性指标的Bayes估计

本文研究了R=P(Y＜X)在两种非对称损失函数下的Bayes估计问题,其中随机变量X和Y相互独立且服从不同的Burr XII型分布.利用Lindley近似方法,获得了Bayes估计的显式近似表达式,通过随机模拟比较了不同损失函数下的Bayes估计的性质.     

尺寸效应对Al纳米线凝固行为的影响

结合EAM镶嵌原子作用势, 通过经典的分子动力学模拟研究了不同截面尺寸Al纳米线在两种冷却速率下的凝固行为, 并采用键对分析技术探讨了相变过程中原子团簇的演化情况. 结果表明:Al纳米线的最终结构不仅与冷却速率有关, 还呈现出明显的尺寸效应. 在较快的冷却速率下, 五种截面尺寸的Al纳米线均得到了多壳螺旋结构; 而当冷却速率降低以后, 除了N₃纳米线发生了断裂以外, 其余纳米线的结构随着截面尺寸的增加, 逐渐从多壳螺旋结构经由类-六边形多壳结构最终过渡到稳定的晶态结构.     

Bayer滤波在微观驱油动态图像采集中的应用

根据Bayer模板的特点,提出了一种改进的Gray World-Retinex算法,利用Bayer图像信息量少的特点计算自动白平衡的修正参数,使用该参数进行自动白平衡能够实时快速地得到理想的彩色图像,减少了Gray World-Retinex算法的运算量,使Gray World-Retinex算法的处理时间减少近一半。将该方法应用在微观动态驱油系统中,可以观察到光刻模型中油珠的运动细节。     

贵金属原子在CeO2(111)表面吸附的密度泛函理论研究

利用密度泛函理论系统研究了贵金属原子(Au、Pd、Pt和Rh)在CeO₂(111)表面的吸附行为。结果表明,Au吸附在氧顶位最稳定,Pd、Pt倾向吸附于氧桥位,而Rh在洞位最稳定。当金属原子吸附在氧顶位时,吸附强度依次为Pt > Rh > Pd > Au。Pd、Pt与Rh吸附后在Ce 4f、O 2p电子峰间出现掺杂峰;Au未出现掺杂电子峰,其d电子峰与表面O 2p峰在-4～-1 eV重叠。态密度分析表明,Au吸附在氧顶位、Pd与Pt吸附在桥位、Rh吸附在洞位时,金属与CeO₂(111)表面氧原子作用较强,这与Bader电荷分析结果相一致。     

基于独立分量分析和径向基网络的人脸识别方法

人脸识别是当前人工智能和模式识别的研究热点.基于小波分解和定点独立分量分析,提出了一种新的准正面人脸径向基网络识别算法.二维的小波分解具有对表情变化不敏感的特点,可以很好地压缩和表征人脸图像的特征.定点独立分量分析是一种基于高阶统计信息提取特征的方法,克服了一般ICA收敛慢的缺点;径向基网络作为分类器具有很高的推广性能,有利于大容量样本的分类.在对人脸库ORL和YEL的识别实验中,该算法的识别率达到98%以上,与传统算法相比,识别速度和识别率都明显提高.     

鱼肉中微囊藻毒素的高效液相色谱法分析

应用反相高效液相色谱法分析了鱼肉中藻毒素的含量。用BDS C18色谱柱,以水（含1％三氟乙酸）：甲醇＝30：70（V／V）溶液为流动相,238nm紫外检测。鱼肉样品用甲醇－水和丙酮混合溶剂提取,经正已烷萃取后,将有机相弃去,水相用固相萃取柱净化后进行高效液相色谱分析。该法检测限为10ng/g,峰面积标准曲线在50－250ng范围内有良好线性关系,平均回收率为85．1％－88．2％。     

实时操作系统在软件无线电中的应用

本文概述了软件无线电以及实时操作系统的基本概念,在对软件无线电系统结构进行分析的基础上,结合具体的实时操作系统Virtuoso4.2,讨论实时操作系统在软件无线电中的应用.     

新型紫外摄像器件及应用

新型紫外技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一新型探测技术。因此,紫外技术及紫外摄像器件的开发研究对于现代国防和人民生活都有着极其重要的意义。本文集中介绍了3种紫外器件的发展水平及应用领域,并着重对SiC、GaN紫外探测器、紫外CCD、紫外摄像机以及紫外数字照像机等紫外器件在国防及其它领域中的应用作了较详细的介绍。     

PPEGMEA-g-PDEAEMA全亲水接枝共聚物的合成及其 包埋甲氨喋呤体外控释的研究

以聚乙二醇丙烯酸酯(PEGMEA)为起始原料, 将原子转移自由基聚合(ATRP)技术和从主干接枝(grafting-from)策略相结合, 合成了结构规整的聚甲基醚聚乙二醇丙烯酸酯-g-聚(N,N’-二乙基胺乙基甲基丙烯酸酯) (PPEGMEA-g- PDEAEMA)接枝共聚物. 这种接枝共聚物通过静电作用形成胶束包埋甲氨喋呤(MTX), 得到具有98.7%高包封率的药物载体, 体外药物释放得到很好的控制.     

First-principles calculations of structure and high pressure phase transition in gallium nitride

The phase transitions of semiconductor GaN from the Wurtzite (WZ) structure and the zinc-blende (ZB) structure to the rocksalt (RS) structure are investigated by using the first-principles plane-wave pseudopotential density functional method combined with the ultrasoft pseudopotential scheme in the generalized gradient approximation (GGA) correction. It is found that the phase transitions from the WZ structure and the ZB structure to the RS structure occur at pressures of 46.1 GPa and 45.2 GPa, respectively. The lattice parameters, bulk moduli and their pressure derivatives of these structures of GaN are also calculated. Our results are consistent with available experimental and other theoretical results. The dependence of the normalized formula-unit volume $V/V_{0 }$ on pressure $P$ is also successfully obtained.