可见光照射下取代型杂多酸盐对染料的催化降解

将杂多酸(GaWmFen)负载到阴离子交换树脂(Resin)上,得到GaWmFen/Resin(GaWmFenR)固相光催化剂,在可见光的照射下,以罗丹明B(RhB)为模型化合物,含镓的GaWmFen/Resin(GaWmFenR)催化剂可以有效地活化H2O2降解染料RhB,随着铁原子的取代数目的增多,RhB浓度比降低的趋势加快,GaW9Fe3最快,C/C0降低0.937.在光照300 min 以后,体系的总有机碳(TOC)的变化趋于平缓,减少了0.15 mg.L-1.催化剂的8次重复试验结果表明GaWmFenR固相光催化剂易于分离,并且具有良好的稳定性,可以重复利用.     

密理博推出终端精制器助阵分析行业

密理博公司日前推出LC-Pak终端精制器,它能为分析技术诸如UPLC,LC-MS或LC-MS/MS提供超低有机物痕量的超纯水。长久以来,已成为行业标准的Milli-Q超纯水一直是行业先进检测技术的优质方案。而现代科学的研究对有机物和生物化学分子检测的灵敏度提出了更高的要求。显然,色谱技术相应地提高了对高质量超纯水的需求,尤其在流动相、缓冲液、空白对照、样品稀释、玻璃容器清洗以及抽提方面。Millipore最新研发的LC-Pak能产出超低有机物痕量的超纯水,且价格远远低于市场上色谱商用瓶装水。为了确保水质符合需求标准,LC-Pak终端精制器经过大规模的验证工序,配有LC-Pak的Milli-Q系统新制备的超纯水和用于LC-MS的几种商业瓶装水相比,结果显示前者的质量超过后者。LC-Pak是Millipore远程取水柄(POU)系列配套终端精制器的新成员。其它POU的终端滤器还包括:VOC-Pak终端精制器———去除超纯水中的易挥发有机物;EDS-Pak终端精制器———去除内分泌干扰素类特定的有机物;BioPak终端超滤器———生产无热原、无核酸酶的超纯水,广泛应用于细胞培养,生物化学以及分子生物学领域;Mill...     

标准曲线法测定硫酸多粘菌素B的抗生素效价

硫酸多粘菌素B是多肽类抗生素,临床上主要用于敏感菌引起的感染及绿脓杆菌引起的泌尿系统感染、脑膜炎、败血症、烧伤感染以及皮肤粘膜感染等.2005年版<中国药典(二部)>规定用二剂量法或三剂量[1]法测定硫酸多粘菌素B抗生素微生物效价.笔者用标准曲线法(又称一剂量法)[2]测定其效价,取得了良好效果.     

三子镜与三臂形稀疏孔径的对比研究北大核心CSCD

研究了三子镜结构与由6个子镜构成的三臂形稀疏孔径结构,分析了两种孔径结构的特点。从光瞳函数出发推导出三子镜与三臂形稀疏孔径结构的调制传递函数(MTF)解析式,在此基础上用Matlab软件模拟两种稀疏孔径的MTF图像,并对模拟结果进行分析与比较。结果表明:两种结构的MTF都呈均匀正六边形分布;填充因子同为22%时,三子镜结构在归一化频率0.3附近MTF出现零点,三臂结构在归一化频率0.15处出现零点;随着填充因子的增加,三子镜与三臂结构的MTF值提高,三臂结构MTF曲线比三子镜结构起伏小,但MTF值也小,信息丢失较多。ZEMAX模拟成像及图像增强结果表明三子镜整体成像效果要优于三臂结构。     

关于同伦正则态射

该文在点标拓扑空间的范畴中引进了同伦正则态射的概念,研究了它存在的条件,性质以及它与同伦单（满）态,同伦正则单（满）态和同伦等价之间的密切关系。     

产品交付和使用时半导体芯片的质量保证措施

提出了作为产品交付和使用时半导体芯片的质量保证措施及其详细规范的编写要求。     

相位差与一般相干迭加态压缩特性

研究一般相干态的迭加态|ψ＞=a|β＞ beiψ|mβeiδ＞的k次方压缩特性,结果表明:一般相干态的迭加态和量子涨落的k次方压缩,在m=1时可表为k≠2nπ/δ,此处n是整数;在m≠1时,压缩的次方数可以是偶数也可以是奇数;当δ=π时,无论m[m∈(0.∞)]取何值均存在奇次方压缩,当δ=π/2时,无论m取何值均存在奇次方压缩和偶次方压缩.这说明参数相位差δ对一般相干态的k次方压缩的次方数起关键性的作用.     

H2bzimpy-钐-酪氨酸三元配合物的合成、表征及其与DNA的相互作用

合成了一种新型的配合物:[SmL2TyrONO2](NO2)2[L=2.6-二(苯并咪唑-2')吡啶(H2bzimpy);Tyr为酪氨酸(DL-Tyrosine)].用红外光谱、核磁共振光谱对配合物进行了表征.用紫外光谱、荧光光谱、粘度研究了配合物与DNA的相互作用.结果表明:配合物以部分键合模式与DNA作用.     

Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology

This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS (metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process. The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of the devices were monitored before and after $\gamma $-ray irradiation. The parameters of the devices with different layout under different bias condition during irradiation at different total dose are investigated. The results show that the enclosed layout not only effectively eliminates the leakage but also improves the performance of threshold voltage and transconductance for NMOS (n-type channel MOS) transistors. The experimental results also indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed gate PMOS transistors.