酪氨酸与色氨酸间电子转移——氧化还原活性及电子跃迁能的从头算研究

在HF/6-31G和GASSCF/6-31G水平上对色氨酸和酪氨酸间的电子转移进行了理论 研究。用类导体屏蔽模型考察体系的溶剂效应。通过对给、受体几何构型的优化， 计算了孤立的给、受体之间电子转移反应的内重组能和反应能差。分别用 Koopmans定理和CASSCF/6-31G方法计算了色氨酸和酪氨酸的电离能。计算了此两种 氨基酸从基态到最低激发态的跃迁能。理论计算结果很好地解释了N_3~·高选择性 地氧化色氨酸残基，并诱发电子从酪氨酸残基向色氨酸残基转移的实验现象。     

构建课堂结构 促进深度融合 发展高阶思维

在调研顺德区信息技术与数学教学现状的基础上,聚焦初中数学高质量课堂建设,致力于解决信息技术在数学学科教学中的应用浮于表面以及效果不显著等问题,以“深度学习”和“思维型课堂”为抓手,秉持“‘技术-数学’相融合的智慧课堂、‘数学-思维’相契合的深度学习、‘技术-思维’相切合的思维可视化”的理念,构建“情境化问题驱动、生长型新知探究、开放性例题解决、可视化反思迁移”的信息技术与数学教学深度融合发展高阶思维的课堂教学结构.     

固体碱在二氧化碳-甲醇法合成碳酸二甲酯反应中的作用

本文探讨了固体碱的制备和预处理等因素对于CO₂-甲醇法合成碳酸二甲酯(DMC)的影响,发现微波法所制碱性沸石等多孔材料的反应活性高于浸渍法所制样品。本文首次报道了微波辐射低压合成DMC的新方法,该法能极大地缩短反应时间并提高产物选择性。研究表明:CO₂和甲醇生成DMC的反应在热力学上是几乎不能进行的,加入固体碱的实质是提供了一条耦合的途径。     

MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．     

低硒大骨节病区粮对大鼠组织中超氧化物歧化酶和脂质过氧化物的影响

应用低硒大骨节病区粮，病区粮加硒和非病区粮饲料喂养大鼠，测定大鼠血清以及心、肝组织中的超氧化物歧化酶(SOD)的活性和肝组织中脂质过氧化物(TBA)含量，观察低硒大骨节病区粮对大鼠体内脂质代谢的影响，结果表明，病区粮组肝组织TBA较病区粮加硒组与非病区粮组显著升高，病区粮加硒组与非病区粮组肝TBA含量无显著性差异，SOD活性变化不明显，这些说明大鼠体内脂质代谢紊乱似与低硒有关，加硒可改善这种代谢。     

煤焦催化气化活性位扩展模型的研究

针对煤催化气化反应中传统的煤气化动力学模型不再适用或应用范围受到限制的现实,从催化作用机理分析入手,以煤焦CO2催化气化为研究对象,建立了描述气化反应速率与转化率关系的动力学模型——活性位扩展模型。并以KCl催化剂及K-Ni(10%Ni)复合催化剂作用下神府煤焦CO2气化的实验结果对模型进行验证。结果表明,活性位扩展模型很好地体现了煤焦催化气化的动力学规律,即催化剂的添加,有效地增大了反应界面处的活性部位和活性表面积,使气化反应在更温和的条件下快速进行;模拟值与实验值吻合较好,最大偏差10%。由于反应初期的传质阻力不可忽略,实验值与模拟值存在一定误差。     

关于赋范线性空间非方性的定义

James与Schffer分别对赋范线性空间引入两种不同的(一致、局部一致)非方性的定义。本文证得两种(一致)非方性的定义等价,而两种局部一致非方性全然不同,并对有限非原子测度的赋Orlicz范数的Orlicz空间给出James意义局部一致非方性的判据。     

频率可调的双路相位编码微波信号系统

提出一种在单输入情况下同时产生两路任意相位编码微波信号的方法,不仅可以保证编码信号180°的相移,还可实现编码信号的频率大范围调谐.建立由一个双平行马赫曾德调制器和一个保偏布拉格光栅组成的系统,激光输入双平行马赫曾德调制器调制后,通过保偏布拉格光栅与偏振分束器的共同作用产生两路偏振正交的±2阶边带.其中一对边带经过相位调制器调制后与另一对耦合,最后输出两个光电探测器拍频得到高频率、低噪声的相位编码微波信号.仿真结果表明,通过调节驱动信号的频率,可得到5～100 GHz的一系列四倍频相位编码微波信号.还原的相位信息与脉冲压缩比均和理论值吻合,证明了所提方法具有良好的脉冲压缩性能.     

注F CC4007电路的电离辐射效应

本文分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｏ６０γ辐照响应结果．实验表明、把适量的Ｆ引入栅介质，能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长，从而引起较小的阈电压漂移和Ｎ沟静态漏电流的增长．器件导电类型和辐照栅偏压不改变注Ｆ栅介质的抗辐照特性．注Ｆ栅介质辐照敏感性的降低可归结为Ｆ能减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力、并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱健等的缘故．