刃型位错和圆弧形刚性线夹杂的干涉效应

位错和夹杂的干涉效应对于理解材料的强化和韧化机理具有十分重要的意义。文中研究了晶体材料中刃型位错和多条共圆弧刚性线夹杂的干涉作用。利用Riemann—Schwarz反照原理和复势函数的奇性主部分析技术，得到了问题的一般解答；对于只含一条刚性线夹杂的情况，给出了复势函数的封闭形式解。由Peach-Koehler公式求出了作用在刃型位错上的位错力，并讨论了圆弧形刚性线夹杂对位错力的影响规律，发现弧形刚性线对刃型位错有很强的排斥作用。本文解答不但可作为格林函数获得任意分布位错的相应解答，而且可以用于研究刚性线夹杂和任意形状裂纹的干涉效应问题。     

高效液相色谱法测定地塞米松及有关物质

建立了高效液相色谱法测定地塞米松及有关物质的方法。采用Kromasil 100-5 C_(18)(250 mm×4. 6 mm,5μm)色谱柱,以水和乙腈为流动相,梯度洗脱,流速1. 5 mL/min,检测波长240 nm,柱温40℃,进样量20μL。在上述色谱条件下,地塞米松与1,2-二氢物、16β-甲基环氧物和17-脱氧-21醇等杂质分离效果好,地塞米松在4～480μg/mL范围内线性关系良好,检测限为0. 32μg/mL,1,2-二氢物、16β-甲基环氧物和17-脱氧-21醇在0. 2～4. 0μg/mL范围内线性关系良好,检测限分别为0. 058,0. 063,0. 060μg/mL。方法可用于测定地塞米松及有关物质的含量。     

多体系统动力学微分／代数方程组数值方法

多体系统动力学微分／代数混合方程组又称Ｅｕｌｅｒ－ｌａｇｒａｎｇｅ方程，是近十年来动力学和计算数学领域研究的热点之一．本文介绍这两个领域中引入的传统的数值积分方法与新的理论．     

无穷远处Ⅲ型均布荷载与集中荷载作用下应变加强层连接唇形裂纹的解析解

通过对保角映射及解析延拓的应用,获得了无穷远处Ⅲ型均布荷载和集中荷载作用下,连接在唇形裂纹面上的内埋应变加强层的级数形式应力解析解．分析了材料匹配、界面连接及几何特征对界面应力的影响,研究发现对于不同的荷载形式,合理的材料匹配、连接及几何特征能够有效地减少应力集中和界面应力．     

基于遗传算法的场效应管模型参数的提取

建立一个精确的微波场效应管的等效电路模型对于微波场效应管电路的非线性分析,模拟和优化设计是十分重要的.本文提出了一种新的提取场效应管的等效电路模型参数的方法--混合遗传算法.混合遗传算法将遗传算法和模拟退火法有机地结合,发挥了两者的优点.文中给出了应用混合遗传算法提取场效应管NE32584的等效电路模型参数的实例,得到了具有很高精度的模型参数.     

机载天线辐射方向图的MoM-UTD混合法分析

采用矩量法(MoM)结合一致性几何绕射理论(UTD)的混合方法分析了机载单极天线的辐射特性。用该混合方法建立的机载天线辐射模型更符合实际,并且它同时具有MoM的精确性和UTD的高效性,克服了单一方法的不足。计算结果对于预测天线间的电磁兼容性和优化天线布局具有一定的指导意义。     

基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制

采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。     

基于电压充电泵的功率因数校正电路研究

分析了基本电压充电泵功率因数校正电路(VS-CPPFC)的原理，并且给出了电路的工作过程和取得单位功率因数的条件，以及电路参数指导设计。通过对基本电路的不足给予分析。在基本电路基础上进行一定的改进，得到比较实用的电路拓扑结构，通过实验验证了理论分析的正确性。     

Elastic behaviour of an edge dislocation near a sharp crack emanating from a semi-elliptical blunt crack

The interaction between an edge dislocation and a crack emanating from a semi-elliptic hole is dealt with. Utilizing the complex variable method, closed form solutions are derived for complex potentials and stress fields. The stress intensity factor at the tip of the crack and the image force acting on the edge dislocation are also calculated. The influence of the morphology of the blunt crack and the position of the edge dislocation on the shielding effect to the crack and the image force is examined in detail. The results indicate that the shielding or anti-shielding effect to the stress intensity factor increases acutely when the dislocation approaches the tip of the crack. The effect of the morphology of the blunt crack on the stress intensity factor of the crack and the image force is very significant.     

Superconductivity of bilayer titanium/indium thin film grown on SiO_2/Si(001)

Bilayer superconducting films with tunable transition temperature(Tc) are a critical ingredient to the fabrication of high-performance transition edge sensors. Commonly chosen materials include Mo/Au, Mo/Cu, Ti/Au, and Ti/Al systems. Here in this work, titanium/indium(Ti/In) bilayer superconducting films are successfully fabricated on SiO_2/Si(001)substrates by molecular beam epitaxy(MBE). The success in the epitaxial growth of indium on titanium is achieved by lowering the substrate temperature to-150?C during indium evaporation. We measure the critical temperature under a bias current of 10 μA, and obtain different superconducting transition temperatures ranging from 645 m K to 2.7 K by adjusting the thickness ratio of Ti/In. Our results demonstrate that the transition temperature decreases as the thickness ratio of Ti/In increases.