Transport properties in La0.7-xGdxSr0.3MnO3 system

The influence of Gd doping at La-site on the electrical transport properties and the colossal magnetoresistance of La0.7-xGdxSr0.3MnO3 (x = 0.00, 0.10, 0.15, 0.20, 0.30, 0.40, 0.50, 0.60, and 0.70) is studied. The experimental results indicate that the transport properties exhibit abnormal behavior under high doping condition. For x = 0.50, we find that a transition from metal to insulator occurs after the occurrence of insulator-metal transition near Tc, which seldom occurs in ABO3 structure. For samples x = 0.60 and 0.70, it exhibits insulator behavior far above Tc. These abnormal behaviors are attributed to different magnetic background, i.e. the system undergoes a transition from long range ferromagnetic order to the cluster-spin glass state and further to antiferromagnetic order.     

脉冲高能量密度等离子体沉积(Ti,Al)N薄膜组织及其性能研究

利用脉冲高能量密度等离子体技术在室温条件下在45＃钢基材表面沉积了高硬度耐腐蚀(Ti, Al)N薄膜. 利用扫描电子显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、俄歇电子能谱分析了薄膜的显微组织.利用纳米压痕仪测试了薄膜的纳米硬度.测试了薄膜在05mol/L H2SO4水溶液中的耐蚀性. 测试结果表明：薄膜主要组成相为(Ti, Al)N，同时含有少量的AlN,薄膜的纳米硬度高达26 GPa,薄膜具有良好的耐蚀性，与1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢相比，耐蚀性提高了一个数量级. 关键词： 脉冲高能量密度等离子体 薄膜 纳米硬度 耐蚀性     

介绍一个不用波长片测量椭圆偏振光位相差的方法

利用椭圆偏振光的特性来测量金属、半导体的薄膜厚度、反射特性、复数折射率等等,已有成熟的方法与仪器。它们最核心的问题是要测量一个椭圆偏振光的水平分量与垂直分量之间的位相差。因此测量椭圆偏振光两个分量之间的位相差既有其本身的重要性,也是一个很有实际意义的问题。目前已有的测量位相差的方法有:利用四分之一波长片(例如国产 TP—77型椭圆偏振光测厚仪)、利用巴俾涅-索累补偿器。利用电光调制器等等。本文打算再介绍一个新的测量位相差的方法。 (一)原理 从 M.玻恩和 E.沃耳失著“光学原理”中译本45页公式(24)我们知道式中a、…     

小鼠大脑急性缺血过程中31P NMR研究

利用³¹P NMR研究了小鼠大脑在急性缺血状态下能量代谢的特点,结扎带迷走神经的颈总动脉后,PCr/Pi、β-ATP/Pi比值迅速下降,且PCr/Pi下降速度较快,同时脑细胞内酸中毒加重.缺血5min后恢复供血,可部分地逆转缺血造成的损伤.     

一类退化非线性抛物型方程组的变网格有限元方法

本文研究一类退化非线性抛物型方程组的变网格有限元方法.我们从油、水两相渗流驱动问题的实际需要出发,研究在求解过程中对不同的时刻空间区域采用不同的有限元网格.例如在两相驱动问题中,油、水前沿的位置将随时间而向前推移,从而前沿曲     

《线性代数》课程教学改革探讨

线性代数是代数学中最初等的部分,也是代数学中应用最广泛的部分之一．实际上,它广泛应用于微分方程、概率统计、离散数学、现代控制理论等数学分支．而且,它的知识已经渗透到自然科学的其它学科、工程技术、经济与社会科学等领域．近年来,随着各学科量化研究的深入及电子计算机的普遍应用,它们对线性代数的应用需求日益增长．所以,线性代数已经成为高等学校工科专业、经济管理专业等非数学专业的重要的数学基础课程．     

Cu1-xZnxIr2S4系统的超导电性

具有常式尖晶石结构的CuIr2S4在约为230K时经历金属-绝缘体一级相变.研究发现,用Zn替代Cu时,系统的基态由绝缘体转变为超导体.本文概述了Cu1-xZnxIr2S4系统的超导参量以及压力效应的实验研究,结果表明该超导体系符合基于电-声作用的BCS超导理论.压力导致的超导体-半导体转变显示出超导Cooper对与小双极化子的竞争,暗示系统具有较强的电-声耦合.     

Preparation and Microstructure of Tantalum Nitride Thin Film by Cathodic Arc Deposition

Tantalum nitride （TAN） thin films are achieved on Si（111） and SS317L substrates by cathodic vacuum arc technique, which is rarely reported in the literature. The crystal structure, composition and surface morphology of the films are characterized by x-ray diffraction （XRD）, x-ray photoelectron spectroscopy （XPS）, auger electron spectroscopy, and atomic force microscopy, respectively. The influence of substrate negative bias on crystal structure, composition, surface morphology of the TaN films is systematically studied. At the substrate bias of 0 V and -50 V, the amorphous TaN film is obtained. As the bias increases to -100 V, cubic TaN phase can be found. Stoichiometric TaN with hexagonal lattice preferred （300） orientation is prepared at a bias of -200 V. Combine the XRD and XPS results, the binding energy value of 23.6eV of Ta 4f（7/2） is contributed to hexagonal TaN. Compared to other techniques, TaN thin films fabricated by cathodic vacuum arc at various substrate biases show different microstructures.     

高能等离子体辅助CVD法新型纳米碳膜的制备及分析

利用自制高能等离子体辅助化学气相沉积设备在1Cr18Ni9Ti衬底上，在离子能量2keV、工作压力2Pa、工作气氛为CH₄/H₂=10%的工艺条件下得到了一种硬度高、导电性能良好、可能具有碳链结构的新型碳膜.工艺研究结果表明，衬底材料对制备该新型纳米碳膜具有关键作用，离子能量、工作压力及气氛等工艺因素也具有重要作用.原子力显微镜分析结果表明，该薄膜晶粒尺寸小于100nm，薄膜光滑、致密、均匀.拉曼光谱分析显示，该薄膜的拉曼光谱特征为中心峰在1580cm ^{关键词： 高能等离子体 CVD法 纳米碳膜 衬底材料}     

合股机放卷张力系统自抗绕控制器设计

针对合股机放卷系统对张力控制稳定行的要求,利用自抗扰控制技术进行控制器设计。据放卷系统的工作机理,利用质量守恒定律及转矩平衡方程,建立了合股机放卷张力系统的数学模型。针对张力系统所呈现的强耦合、非线性、多干扰的特点,进行自抗扰控制器设计。利用SIMULINK进行仿真模块搭建,对所设计的控制器进行仿真,结果证明了所设计控制器能够取得良好的控制效果,满足工业生产的要求。