氧化亚氮／乙炔火焰原子吸收与火焰原子发射光谱法测定头发样中铝

本文采用Ｎ２Ｏ／Ｃ２Ｈ２ＦＡＡＳ和ＦＡＥＳ两种方法同时测定正常人头发中的铝，并对测定条件、干扰物质的影响及测定结果进行了比较。实验表明，在酸性介质中，选择３９６．１ｎｍ发射线，不论是物质的干扰程度、还是测定的精确度、灵敏度和回收率，ＦＡＥＳ法均优于ＦＡＡＳ法。其对应的ＲＳＤ（ｎ＝９）分别为２．２和２．７％，检出限分别为０．０７和０．２５μｇ／ｍＬ。在１．０ｇ头发样品中加入２０．０μｇ铝，其回收率分     

火焰原子吸收法间接测定曲通－100

本文研究了曲通－１００与硫氰络镉形成缔合物，被萃入二甲苯内，用火焰原子吸收法测定二甲苯层中镉的吸光度，间接测出曲通－１００的含量。介质的ｐＨ为５．０，线性范围为０．１０～１．００μｇ／ｍｌ．     

委托评估业务不断增长专业测评公司挑战高附加值

楠本化成ETAC事业部部长川井宏作表示：“我们不仅要按照整机厂商的要求进行评估测试，还要提出我们的专业意见。”随着整机厂商越来越重视可靠性评估，专业测评公司的业务不断增长。在这些业务中，大多数都是整机厂商给出的测试方案。但是，这种评估测试委托业务的前景不太明朗。ESPECTC环境试验研究技术中心常务董事室伏优表示：“有关RoHS规定的委托业务量的增长将于2005年趋缓。”专业测评公司为了     

5-Br-PADAP—H_2O_2-CPB与微量钒(Ⅴ)多元络合物的研究

5-Br-PADAP-过氧化氢三元络合物测定钒,已被广泛采用。结合资料,研究了5-Br-PADAP-过氧化氢-溴代十六烷基吡啶(简称CPB)和钒(V)形成的多元络合物,当硫酸0.12～0.24N时,在EDTA(或CYDTA)-柠檬酸三铵的存在下,摩尔吸光系数比原来提高了一倍左右,ε_(595)=1.22×10~5(铁基存在时,ε=1.02×10~5),高低合金钢中除钴以外的常见元素均不干扰,可见本方法具有较好的选择性和很高的灵敏度。     

非病毒基因编辑CRISPR/Cas9递送载体的研究进展

基因编辑技术是指能对目标基因片段进行编辑,包括敲除、敲入等。近年来,基因编辑技术得到了很大的发展,包括规律成簇的间隔短回文重复序列(CRISPR)/CRISPR相关蛋白9(Cas9)在内的一系列基因编辑技术受到了广泛的关注。CRISPR/Cas9主要利用限制性内切酶,在蛋白或RNA的引导下,使目标位置的DNA双链断裂,在治疗基因表达异常引起的疾病方面表现出了巨大的潜力。应用这项技术进行基因编辑的关键点之一是,必须要将相关的蛋白或核酸高效地递送到细胞核中。相对于病毒载体,非病毒载体在安全性及规模化生产方面表现出了更高的优越性,是目前基因编辑递送载体发展的重点。本文对近期基因编辑CRISPR/Cas9非病毒递送载体的重要进展进行综述,介绍了非病毒载体的优势,在非病毒载体体系中,着重介绍脂质体和高分子载体在CRISPR/Cas9技术应用中的近期进展,并展望了非病毒CRISPR/Cas9递送载体在未来的发展方向。     

有机染料D-SS和D-ST用于染料敏化太阳能电池光敏剂的比较

为了揭示D-SS和D-ST分子敏化的染料敏化太阳能电池(DSSCs)的物理机制,采用密度泛函理论(DFT)、含时密度泛函理论(TDDFT)和自然键轨道(NBO)分析,模拟计算染料D-SS和D-ST分子的结构、紫外-可见吸收光谱和能级结构.D-SS的紫外-可见吸收光谱相比于D-ST的有明显的红移,而且D-SS分子的摩尔吸光系数也高于D-ST分子的.D-SS分子本应该比D-ST分子拥有更高的俘获太阳辐射光子的能力,但由于D-SS分子的最高占据分子轨道(HOMO)能级位置比氧化还原电解质(|-/|-3)的氧化还原能级高,处于光激发态的D-SS分子向TiO2电极注入电子而被氧化后,不能顺利地从电解质中得到电子而还原,使得D-SS分子俘获光子的能力不能充分发挥,从而严重地降低了由其敏化的DSSCs的光电性能和光电能量转换效率.揭示了D-SS敏化的DSSCs的光电性能,特别是光电能量转换效率比D-ST敏化的DSSCs的低的原因.染料敏化剂分子的HOMO能级的位置对于DSSCs来说也是很重要的,用于DSSCs的有机敏化剂分子的HOMO能级的位置必须低于氧化还原电解质的氧化还原能级.     

沙棘果皮水溶性多糖Hn的结构研究

沙棘果皮水溶性多糖经酸性乙醇分级和ＤＥＡＥ－ＳｅｐｈａｄｅｘＡ－２５ｓｙｇｇ层析纯化,得到多糖Ｈｎ,经ＳｅｐｈａｒｏｓｅＣＬ－４Ｂ柱层析、玻璃纤维纸电泳、比旋光度测定等方法鉴定Ｈｎ为均一多糖。经唾液淀粉酶解、部分酸水解、高碘酸氧化、Ｓｍｉｔｈ降解、甲基化分析及ＩＲ,＾１３Ｃ－ＮＭＲ,ＧＣ和ＧＣ－ＭＳ等方法,确定其基本结构中主链由１→４ｌｃ基,１→６Ｍａｎ基和１→６Ｇａｌ基构成。三者摩尔比为ｎＧｌｃ     

α-铁纳米线阵列的磁矩分布

在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中, 采用电化学方法制备出α-铁纳米线阵列复合膜. 用透射Mössbauer谱(MS)、内转换电子Mössbauer 谱(CEMS)和微磁学模拟对直径为60 nm的α-铁纳米线阵列进行了内部和端面磁矩分布的研究. 透射Mössbauer 谱的结果表明, α-铁纳米线阵列内部磁矩很好地平行于纳米线长轴方向, 而内转换电子 Mössbauer 谱观察表明, 位于纳米线阵列端面, 磁矩偏离纳米线的长轴方向分布, 由二、五峰的强度计算出平均偏角为24.0°. 另外, 用微磁学模拟方法对不同深度的磁矩分布做了数值统计, 结果表明, 在纳米线内部磁矩严格地平行于纳米线轴, 越趋近两端, 平均磁矩与纳米线轴的夹角越大. 磁性测量结果表明α-铁纳米线阵列宏观磁性表现出很强的磁各向异性.