Photocurrent properties of high-sensitivity GaN ultraviolet photodetectors

GaN epilayers were grown on sapphire substrates by metal-organic chemical vapour deposition. Metal-semiconductor-metal photoconductive detectors were fabricated using this material. The photocurrent properties of the detectors were measured and analysed. The spectrum response shows a high sensitivity in the wavelength region from 330 to 360nm, with a peak at 358um and a sharp cutoff near 360nm. The maximum responsivities at 358nm were 700A/W (2V) and 7000A/W (30V). The relationship between responsivity and bias indicates that the responsivity increases linearly with bias until 30V. The influence of the spacing between two electrodes on the detector responsivity was also studied.     

流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr~(2+)(3d~4)杂质态的理论研究

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr~(2+)(3d~4)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr~(2+)系统~5E激发态和~5T_2基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,~5E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的~5E→~5T_2发光就能被观察到。理论预言与实验结果符合得很好。理论还预言:当GaAs与GaP合金的时候,类似的发光过程也能在一定的合金成份下观察到,这一预言有待于实验证实。     

GaAs1-xPx中3d过渡金属杂质的电子结构

本文推广了Vogl等人的理论方法,将其用于对GaAs_1-xP_x中3d过渡金属杂质电子结构的研究。文中就不同的合金成份x,预言了不同3d杂质的受主能级、施主能级、局域电荷和自旋密度。理论预言与实验数据符合,并且揭示了它们的主要化学趋势。文中还就与理论和实验结果变化趋势有关的物理机制进行了讨论。 关键词：     

Lal-xCexFe1-y-nCoyRunO3三效催化剂的结构表征及催化性能

用溶胶一凝胶法合成了Lal-xCexFe1-y-nCoyRunO3(x，y=0.1～0.5，n=0.01～0.1)系列催化剂，XRD对晶体结构的表征发现，掺入Ru后基本结构未改变，但2θ值减小，晶胞参数变大.红外光谱分析表明，Ru改性的催化剂对应的特征峰位和峰形基本相似，但随着Ru掺杂量的增加，600cm^-1附近的谱带向高波数方向移动，n=0.01的样品，v1和v2向低波数方向移动，n=0.05样品的v1带出现最大吸收峰.XPS研究表明，掺杂Ru后Fe的外层电荷密度增大，并以多种价态存在；随着掺杂量的增加，表层中的Ce由与氧结合转变为与多羟基结合，其它氧种含量增加，催化活性增强.O2-TPD结果表明，掺杂Ru使催化剂表面的吸附氧和晶格氧脱附温度降低，A离子空位增加.H2-TPR研究表明，掺杂Ru使A离子空位增加，晶格氧活动性增强，催化活性提高；La0.8Ce0.2Fe0.7Co0.2Ru0.1O3的催化性能最佳.     

小波变换+BP神经网络识别高速载波台区的方法

针对电力线载波中存在诸如变性大、衰减深、噪声干扰复杂等多种问题,提出了新型的高速载波台区识别方案。通过设计出高速载波台区识别系统架构,应用小波变换实现载波信号的识别,通过伸缩、平移高速载波信息,对运算载波信号的函数进行逐步的多尺度细化,最终实现高频载波信号处的时间细分、低频处的频率细分,进而实现自动适应时频信号分析的要求。试验表示,采用文中设计的方案能够使误差精度控制在10%以内,从技术上保证了标准化台区建设的顺利进行,全面提升了台区营销管理水平。     

GaN微波器件转移特性脉冲测试研究

对GaN微波器件的转移特性开展了脉冲测试研究.通过改变脉冲通道的数量、 静态工作点和脉冲宽度,获得了不同的脉冲测试条件下GaN晶体管的转移特性,并对不同测试条件下的测试结果进行了对比分析,获得了不同的脉冲测试条件对器件转移特性的影响.得到了GaN晶体管的转移特性对栅极脉冲比较敏感,漏极脉冲只是在栅极电压作用下起辅助作用,其对转移特性的影响程度主要依据栅极电压的影响而定的结论.     

等离子体中充入工作气体抑制电子逃逸行为分析

利用NaI闪烁体探测器组成的伽马射线探测系统和BF₃正比计数管、³He正比计数管和ZnS闪烁体探测器组成的中子探测系统,研究了欧姆放电平稳阶段充入工作气体后对逃逸电子产生过程的影响.实验结果表明:在欧姆放电平稳阶段充入工作气体严重影响了逃逸电子行为,充入的工作气体能有效抑制逃逸电子的产生.     

流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr2+(3d4)杂质态的理论研究

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr²⁺(3d⁴)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr²⁺系统⁵E激发态和⁵T₂基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,⁵E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的⁵E→⁵T_关键词：     

苯硼酸聚合物刷微图案的制备及响应性能

以3-甲基丙烯酰胺基苯硼酸(MAPBA)为聚合反应单体,通过数字微镜器件(DMD)调控光辐照引发表面原子转移自由基聚合(ATRP)反应制备苯硼酸(PMAPBA)聚合物刷微图案.采用光学显微镜、X射线光电子能谱测试(XPS)和飞行时间二次离子质谱测试(TOF-SIMS)对所制备微图案的几何形状、化学组成及分布进行表征,结果表明PMAPBA聚合物刷微图案在硅基体表面的成功制备.研究了PMAPBA聚合物刷微图案的pH和葡萄糖响应性并采用激光共聚焦显微镜对其结果进行表征分析,结果表明随着溶液pH值的升高,苯硼酸发生电离产生带负电的亲水离子会阻碍免疫球蛋白(IgG)而促进葡聚糖(dextran)在其表面的吸附;此外,当溶液中加入葡萄糖后,电离产生的亲水离子不断与葡萄糖结合而导致IgG分子的脱落.这种具有pH和葡萄糖双重响应性的PMAPBA聚合物刷图案化表面能够为动态生物活性表面和药物可控释放系统的制备提供新的途径.