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11.
12.
本文提出了一种测量正多面棱体与多齿分度台同轴度误差的非接触直接测量方法。与传统方法相比,该方法测量的结果中包含了多面棱体与其轴座的配合间隙的影响。实验证明这种方法是有效的。  相似文献   
13.
与正常形变核相似,超形变核的转动惯量存在系统的奇偶差,这是超形变核中对力及堵塞效应存在的无可争辩的证据。随转动频率增高,由于Coriolis反配对效应,奇偶差逐渐变弱,特别是当hω≥0.20MeV后,动力学转动惯量J2的奇偶差变得模糊,在某些情况下,可能出现相邻核的J2值几乎相同的现象。但对于运动学转动惯量J1,即使在很高的转动频率下,仍在一定程度上呈现奇偶差.  相似文献   
14.
15.
沙维 《物理》1990,19(12):739-740
采用场离子显微镜原子探针实验技术可以观察研究材料内部原子尺度微观组织,但该方法对材料有破坏性,试样难以制备却经常损坏.本文介绍一种再制备场离子显微镜原子探针试样的微抛光技术.具体描述了这种技术的原理,操作方法与注意事项;同时还提供了实际仪器构型外观,以便读者应用.这种微抛光方法简单易行,不仅可用来再制备变钝或断裂了的试样,还可用来制备具有特殊初始几何形状、或满足特殊研究需要的试样.  相似文献   
16.
Berry曾论证,Aharonov-Bohm相可以看成是Berry相。在论证中放弃了绝热近似,也未涉及量子态的非定态性。重新探讨了此论证,表明Berry的结论是正确的,但在该论证过程中需要作绝热近热似。  相似文献   
17.
一、马氏体时效钢的时效初期反应 马氏体时效钢是一类特殊的超高强度钢.我们对一种C-300马氏体时效钢(Fe-18.5 % ,Ni-9.0 %,Co-4.8%,Mo-0.6%,Ti-0.1%,A1-0.1%max,Si-0.03%max;C()的时效初期反应进行了研究.实验发现,相变初始于Ti偏析.这种偏聚现象说明在C-300钢时效过程中是Ni3Ti相先形成(C-300 钢时效析出产物为 Ni3 Ti和 Fe7Mo6 ).因为这些偏析团很小,并且在场离子像中不显示,由常规原子探针分析的成分经常是偏析团与其周围基体的混合,其结果是系统地给出低于真实值的偏析浓度.然而,采用位置灵敏原子探针分析就没有这个缺陷,因为…  相似文献   
18.
We experimentally demonstrate the trapping of ^85Rb atoms directly on a chip-size U-shaped magneto-optical trap (U-MOT). The trap includes a U-shaped wire on the chip, two bias magnetic field coils and laser beams. The capture volume of the U-MOT is theoretically calculated, and the trap is experimentally realized. With 2 A current applied to the U-shaped wire and 2-Gauss horizontal bias field, more than 2 × 10^6 atoms are trapped. In contrast with an ordinary mirror-MOT, this U-MOT captures atoms directly from the background, thus the trap size is greatly reduced. Based on this mini trap scheme, it is possible to realize a chip-size atom trap array for quantum information processing.  相似文献   
19.
黄桂华  陈思谨  林旭聪  谢增鸿 《色谱》2010,28(12):1173-1178
以2-羟基乙基甲基丙烯酸酯(HEMA)为单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)为交联剂,制备了亲水分离模式的聚HEMA-co-EDMA新型毛细管电色谱(CEC)整体柱。考察了整体柱的结构特征及其CEC性能,研究了极性物质的保留行为,并对其可能的保留机理进行了探讨。所制备的整体柱稳定性好,固定相表面带有极性羟基功能团,不仅能提供亲水相互作用位点,且能吸附流动相中的阴离子产生阳极电渗流(EOF)。在流动相中乙腈含量较高(>62%,体积分数)的条件下,整体柱表现出典型的亲水作用,实现了对核苷、碱基和苯胺类带有碱性的强极性化合物的高效分离,并成功分离了苯酚类、苯甲酸类等中性或酸性的极性化合物。  相似文献   
20.
1、热设计的基础 1.1电子设备及电子元件发展动向 众所周知,当今电子设备正向小型化、高密度组装化方向发展。 电子设备小型化的主要因素是元件的小型化、电路由分立元件到集成化等技术的飞跃发展。随着集成电路(IC,下同)制造技术的发展,IC本身的高度集成化得到较大突破。例如,存贮器的集成度(1片的位数)由1K发展到4K,又进而至16K、64K,一年之间竟以双倍的比例增长,最近报道256K的也已研制成功。六十年代的IC元件只有10个(2只三极管、6只电阻,2个电容),到七十年代猛增到1000多个,这种电路被称为大规模集成电路(LSI,下同)。现在,出现  相似文献   
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