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提高铝箔比电容的新途径——引入高介电常数金属(陶瓷)氧化物 总被引:3,自引:1,他引:3
介绍国外在高扩面倍率η、低介质膜厚度d的铝电解电容器中引入具有高εr值的其他阀金属(如Ta,Ti,Nb,Zr)氧化物和陶瓷,以期进一步提高铝箔比电容的新方法。根据有关专利文献归纳为三种主要方法:物理、化学及合金化方法。这些思路表征着铝电解电容器用铝箔正面临一场新的技术革新 相似文献
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铝箔在盐酸中的交流电侵蚀的研究——Ⅳ.有机酸等弱酸添加剂的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
选用了草酸等9种有机酸作为铝箔在盐酸溶液中交流电侵蚀的添加剂。与添加硫酸同样,再一次表明添加剂为形成高质量致密膜因而获得高表面积扩大率所必需。对应于一定频率存在着最佳添加剂浓度Cm,一级电离常数大的酸,相应的Cm低。用有机酸阴离子在铝表面与Cl-竞争吸附并形成pH缓冲层,从而提高膜的保护性并降低膜的溶解度解释了这些现象。文中讨论了盐酸浓度、电流密度以及Cl-浓度等对侵蚀过程的影响。 相似文献
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在低压铝电解电容器生产中,铝箔常先在高温短时间加热,形成一薄层热氧化膜,再进行阳极氧化,可形成结晶复合氧化膜,使比容增加,形成电量降低,介绍了有关这种膜的形成机理,结构及应用实例。 相似文献
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铝的结晶复合阳极氧化膜 总被引:2,自引:0,他引:2
铝箔先与热水反应,再进行阳极氧化,可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器。 相似文献
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铝电解电容器铝箔腐蚀工艺的进展及有关的电化学问题 总被引:3,自引:3,他引:0
介绍了日本1970年以来低压和中高压腐蚀箔静电容量增长历程以及1991年达到的水平。根据近十余年来国内外发表的有关文献,从电化学角度出发对直流电和交流电腐蚀机理进行分析、探讨。认为提高腐蚀开始时的发孔密度是提高腐蚀箔比容值的关键。讨论了提高发孔密度的一些影响因素。 相似文献
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Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
Fe在高纯铝中的存在状态(固溶状态或Al3Fe,AlFeSi金属间化合物析出状态)直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度,从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Fe、Si析出的轧箔工艺,即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧,使Fe、Si来不及析出,这样,99.98%Al就其Fe、Si析出量而言,实际可达到99.99%以上铝的水平。更进一步,控制Fe、Si析出分布状态(弥散状分布)的轧箔工艺,有可能用99.93%~99.98%铝得到99.98%以上纯度铝同样静电容量水平。 相似文献
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作为貝克曼G型pH計的使用者之一,我以很大的兴趣讀完了化学通報1955年8月号張友尚同志所寫的“關於貝克曼G型pH計的线路和原理”。我們觉得这篇文章对我們的帮助是很大的。正如張友尚同志所言,貝克曼G型pH計 相似文献