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81.
82.
本文提出了一种新型的化学腐蚀方法——旋转腐蚀法。这种腐蚀方法是采用一种特殊的装置,通过旋转使腐蚀液产生离心力,迫使腐蚀液由中心向边缘处流动。这种方法可以给出一个很高的腐蚀速度,而且可以利用液体流向上的特点腐蚀出某些特定的腐蚀坑洞。现已成功地将此方法应用在自带透镜的GaAs发光管的制造中。 相似文献
83.
两性P(DMC/AM/AA)纸张增强剂的合成和应用 总被引:16,自引:0,他引:16
研究了聚(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵-∞-丙烯酰胺-∞-丙烯酸)(P(DMC/AM/AA))纸张增强剂的合成,结构和性能,这种两性聚丙烯酰胺和纸纤维能够用过离子键和配位络合作用,形成比较均一的交联网络,使纸张干强度和撕裂度明显增加,滤水时间显著缩短。 相似文献
84.
钟家庆 《数学年刊A辑(中文版)》1980,(Z1)
大家知道,多复变典型域调和函数论的基本事实是:设R为四类典型域之一,Γ为其特征边界,△是R的Laplace-Beltrami算子,f∈C~∞(R)称为调和的,如果△f=0。设f为调和函数,其在Γ的连续边界值为ψ,那么f在R中的值由以下Poisson积分给 相似文献
85.
钟家庆 《数学年刊A辑(中文版)》1980,(2)
一设(?)是(?)~n中的有界可递域,其解析自同构群的连通部分以G((?))表之,据H.Cartan的著名定理,它是实李群。不妨设0∈(?)。由多复函数论的熟知结果,G((?))的保持0不动的固定分群G_0((?))有以下表示 相似文献
86.
1 引言 单管单元N沟MOS RAM是最先步入超大规模集成领域的半导体器件,它作为计算机的主存贮器,正在取代以往的磁心存贮器,这是因为MOS RAM具有高集成密度、高速度、高可靠性、低功耗、低成本等优点。与此同时,MOS RAM的价格在国际市场上越来越低,这亦是不可忽视的经济原因。随着需要量的不断增加,在保证提高成品率的同时,尽量减少芯片尺寸,增加单位面积的位数,也就是研制生产低价格大容量的MOS RAM已成为现今VLSI的主要课题之一。 相似文献
87.
88.
近年来高能电子在核上的散射直接肯定了核子具有一定的结构,实验并已较好地测出了质子和中子的电磁形状因子。但是,轻粒子的形状因子还没有测定。在轻粒子中,中微子的形状因子又是一个很有兴趣的问题。由于中微子只参与弱相互作用,所以对它的结构因子的理论分析可能较为简单。我们在工作中曾经指出,通过和电子(或μ介子)的弱相互作用,中微子将具有一定的电磁形状因子。初看起来,通过中微子v_e在电子上的散射,可以测定中微子的电磁形状因子。但是事实上,因为v_e和电子有一级的弱相互 相似文献
89.
同步电机由于其自身的诸多优点,越来越多的被应用在工农业生产中,特别是高压大容量的同步电机传动,起到了发送工艺,节能降耗的效果,针对同步电机的特点,目前已经有很多种调整控制方法,像传统的LCI控制,磁场定向的矢量控制,定子电流磁场分量补偿法等等,本文针对同步电机突加负载时容易造成δ角震荡的缺点,提出了直接δ角控制方法,给出了两种δ控制方案和其计算仿真图形,仿真结果表明,控制效果达到了预期目标. 相似文献
90.
A sequential decay model is used to study isoscaling, i.e. the factorization of the isotope ratios from sources of different isospins and sizes over a broad range of excitation energies, into fugacity terms of proton and neutron number, R21(N, Z) = Y2( N, Z)/Y1( N, Z) = Cexp(αN -βZ). It is found that the isoscaling parameters α and β have a strong dependence on the isospin difference of equilibrated source and excitation energy, no significant influence of the source size on α andβ has been observed. It is found that α and β decrease with the excitation energy and are linear functions of 1/T and △(Z/A)2 or△(N/A)2 of the sources. Symmetry energy coefticient Gsym is constrained from the relationship of a and source △(Z/A)2, /3 and source △(N/A)2. 相似文献