MBa_2Cu_3O_(7-δ)(M=Y,Sm,Gd,Eu)超导体的红外光谱

测定了多晶超导体MBa_2Cu_3O_(7-δ)(M=Y,Sm,Gd,Eu)的反射光谱和透射光谱。在远红外(40～360cm~(-1))反射谱中观察到5个特征反射峰和3个反转结构,在中红外反射谱中有一580cm~(-1)峰,在中红外吸收谱中有580～590cm~(-1)和615～627cm~(-1)两个峰。本文分析了这些峰对应的振动模,并由反转结构确定了超导能隙和比值γ=2Δ/k_BT_c。     

阳极氧化对GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响

本文报道脉冲阳极氧化对低压金属有机化学气相沉积自组织生长的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子线荧光的影响．通过比较阳极氧化和无阳极氧化且均快速退火样品的荧光谱获得互扩散减少直接生长样品存在的缺陷和无序等，从而减小量子线非辐射复合；另一方面，无序等涨落的消除减小槽边量子阱对光生载流子的局域化，导致大量的光生载流子从槽边量子阱输运到量子线中产生相对于无阳极氧化非常增强的荧光信号．考虑量子线横向宽度的变化作为微扰，采用简单模型理论上计算给出与实验完全一致的结果     

半导体红外磁光光谱研究

半导体红外磁光光谱研究刘普霖，史国良，陈张海，石晓红，胡灿时，陆卫，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海２０００８３）红外光谱与强磁技术的结合是研究半导体及其它功能材料光电性质的重要实验方法。我们知道，通过对电磁辐射在介质中...     

含片状粒子涂层的热辐射

用几何光学绕射理论研究了片状粒子的散射，由非均匀系统的热辐射传输方程求出了含片状粒子涂层的表观比辐射率，讨论了片状粒子的线度、体积化、涂层厚度等因素对涂层系统辐射性能的影响，比较了含片状粒子涂层和含球状粒子涂层的辐射性能。     

退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响

研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位置移向低能.文中对退火引起红外吸收和光致发光性质的变化机理进行了讨论。     

导电聚合物P3MT的光调制反射谱

本文报道了导电聚合物光调制反射光谱的研究工作。实验观察到聚三甲基噻吩的带间跃迁和与双极化子态有关的跃迁,并且观察了谱结构随掺杂浓度、温度以及调制光强度的变化。实验结果证明,光子能量大于禁带宽度E_g的光可在聚合物分子链中诱导产生双极化子。虽然双极化子可以由光诱导产生,也可以由杂质诱导产生,但它本身是不依赖于诱导方式的聚合物分子链的本征元激发态。荷电的双极化子可受离化杂质的库仑吸引,产生钉扎效应,并使禁闭参数变大。 关键词：     

第十六届国际半导体物理会议在法国举行

第十六届国际半导体物理会议于1982年9月6日到10日在法国蒙彼利召开。这是一次规模较大的半导体物理学综合性学术会议,参加会议的有来自30多个国家和地区的850多名代表中国科学院半导体研究所黄昆、江丕桓,复旦大学钱佑华,山东大学陈有平,中国科学院上海技术物理研究所沈学础,褚君浩等同志参加了会议。会议主席为法国巴黎第六大学教授M.Balkanski。     

Cd_(1-x)Mn_xS高压吸收光谱

采用流体静压力,在室温和低温下测量了三元混晶半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS的吸收光谱.室温下获得了Cd_(1-x)Mn_xS光吸收边的一阶和二阶压力系数,并且在吸收边尾部发现一个大的吸收带尾,随着组分x增加,压力系数下降,带尾增强,同时在高压下观察了Cd_(1-x)Mn_xS的压力相变过程.在77K下,高组分混晶Cd_0.67Mn_0.33S吸收光谱中出现两个Mn~(2+)吸收峰,测量了它们的压力系数,并用晶体场理论讨论了实验结果.     

高x值混晶Hg_(1-x)Cd_xTe光吸收边的压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不同压力下的实验结果,得到Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te能隙的一阶压力系数α=8.7×10~(-11)eV/Pa,与用化学键介电函数理论预期的值符合很好,同时拟合得到能隙的二阶压力系数反常的大,其值为β=-6.3×10~(-13)eV/Pa~2。另外,观察到34—36kbar时,Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te的结构相变。     

微量掺杂半导体材料晶格振动的光谱研究

在全频率范围内对照微量掺杂材料的红外吸收谱和喇曼散射谱,运用递推方法计算晶格振动的局部声子态密度,给出了金刚石结构半导体材料中晶格振动的普遍特征,在理论上定性定量地阐明了带内低频准局域模和带外高频定域模的物理涵义。