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51.
应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn0.04Cd0.96Te中的深能级,在温度从4.2到165K范围内,观察到了位于0.24,0.34,0.38,0.47,0.55和0.80eV处6个光电导响应峰.结合4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果,对这些响应峰对应的深能级特性进行了讨论
关键词:
xCd1-xTe')" href="#">ZnxCd1-xTe
光电导
杂质
深能级 相似文献
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报道了调制掺杂的应变In0.60Ga0.40As/In0.52Al0.48As多量子阱中室温光致发光光谱.观察到n=1和2电子子带到n=1重空穴子带的强发光峰.在低温下可以观察到n=1电子子带到n=1轻空穴弱发光肩胛.通过对发光强度随激发功率及温度依赖关系以及理论模型的分析研究,认为该调制掺杂量子阱中辐射复合效率降低的主要机制是应变失配位错对载流子的陷阱作用.界面上的失配位错是陷阱的主要来源.并用静态的光致发光理论模型
关键词: 相似文献
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57.
58.
报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10~(17)cm~(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表面电子浓度时子能带朗道能级间和自旋能级间的回旋共振和自旋共振。定量地证明了窄禁带半导体量子阱子能带朗道能级的移动和交叉效应,这一效应起源于表面势的反演不对称所导致的较强的表面电子自旋轨道相互作用。 相似文献
59.
报道了采用物理汽相输运(PVT)淀积工艺生长的多种组分的多晶ZnS_xSe_(1-x)材料及其晶格振动行为的远红外光谱。给出其光学声子双模行为的明确证据和双声子吸收随温度的变化规律,并讨论了它们的起因。用赝谐振子模型对实验反射谱拟合计算得到混晶光学声子特征参数及高频介电常数。 相似文献
60.
本文讨论半导体超晶格及量子阱导带和价带的量子化亚带或子能级之间的带间光跃迁过程。所讨论的光跃迁过程或光谱研究方法有吸收光谱、光电流谱、光荧光和荧光激发谱、调制光谱以及喇曼散射光谱。关于亚带能量状态将着重讨论量子阱中的激子效应和价带亚带混和及其对带间光跃迁的影响。 相似文献