GaAs中与施主高激发态有关的共振极化子效应

报道了n型GaAs的杂质磁光电导谱．在相对低的磁场下观察到束缚电子高激发态与LO声子的共振相互作用；讨论了共振极化子光电导响应随磁场强度变化的行为，以及钉扎在LO声子能量处的光电导峰的物理起源     

GaAs远红外探测器中的辐射复合特性研究

借助光致发光技术对n-GaAs同质结内发射远红外探测器结构进行了详细的辐射复合特性研究.根据发光特性和高密度理论计算,观察和确认了来自探测器发射层中的光致发光信号.提出了光生载流子转移模型,很好地解释了发射层中光致发光信号与温度和激发功率的依赖关系.根据得到的辐射复合特性,提出了进一步提高探测器工作温度的方案.     

氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究

利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火后，部分ＳＴＤ消失；在９００℃高温下作较长时间退火，由于氧的浓度降低，ＳＴＤ完全消失     

PHOTOCONDUCTIVITY OF Cd0.7Mn0.3Se

The photoconductivity spectra of semimagnetic semiconductor Cd0.7Mn0.3Se have been measured at 50-300 K and in the wavelength range of 5500 ? to 8000 ?. It is found that the energy gap of Cd0.7Mn0.3Se changes with the temperature linearly, and the temperature coefficient (dEg/dT) is about -7×10-4 eV/K. A photoconductivity peak which is related to Mn2+ is also found. This peak is located around 1.85 eV, nearly unshifted with variation of the temperature. The possible transition mechanisms in Cd1-xMnxSe have been discussed in the light of group theory and crystal field theory, and the results are in good agreement with experiments.     

Bi_2Ti_2O_7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

采用化学溶液分解法 (CSD)在Si衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明 ,所制备的薄膜主要为Bi2 Ti2 O7相的多晶材料 .同时还研究了Au Bi2 Ti2 O7 n Si(10 0 )结构的电容 电压 (C V)特性 ,结果表明 ,在Bi2 Ti2 O7薄膜中同时存在固定的与可移动的负电荷 ,可移动的负电荷导致了C V曲线的回线效应     

应力层多量子阱InGaAs/GaAs的光电流谱研究(英文)

The band configurations of the undoped strained-layer InxGa1-xAs(8 or 15nm)-GaAs(15nm) MQW with x = 0.1,0.15 and 0.2, respectively, have been investigated by photocurrent spectroscopy at the temperature range of 10- 300K. Both intersubband transitions and transitions between confined level and continuum are observed. The photocurrent peak related to the 2s or other excited states of heavy-hole exciton is also observed and the exci-tonic binding energy thus obtained is about 8meV. The valence band offset △Ev is determined to be 0.38 and 0.40 by means of two different methods. Owing to the strain effect, both electrons and heavy holes are confined in the InGaAs layers while light holes in the GaAs layers.     

隐身技术和物理

随着目标探测技术的不断提高，隐身技术已成为现代战争中提高武器装备生存力和战斗力的关键技术，介绍了隐身的概念，重点讨论了雷达隐身和红外隐身领域的一些常用技术，研究了不同电磁小段隐身手段的相互制约以及兼容的可能性，虽然隐身技术起源于战争，但无庸置疑，隐身技术和物理学的紧密联系，以及它在国民经济非军事领域中的多方面应用必将会引起物理学家，工业企业界人士的密切关注。     

GaAs/AlGaAs 非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究

用分子束外延系统生 长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合注入的方法,在同一块衬底上获得了不 同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元,没有经过快速热退火过程,在常温下测量了不 同单元的显微光荧光谱,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近100meV,组合注入所导致的能 量移动要大于单独注入导致的能量移动.     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器研究

ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器研究沈学础，陆卫（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文所作的研究包括：１．基本物理机制研究在理论上研究了子带间跃迁的基本物理过程，并提出了ｎ型非（１００）方向生长的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料存在的正入射条件...     

Cd1-xZnxTe晶片中Zn组分的室温 显微光致发光平面扫描表征

用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量．对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度等参数,其平面分布对应于CZT中Zn的组分分布．统计的结果给出禁带宽度的不均匀性．对样品进行溴抛光后重复类似的测量,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善,接近了材料组分的真实分布．