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121.
122.
在温度4.2—300K和波数15—450cm-1范围内研究了x=0.18到0.45的不同组份的CdxHg1-xTe样品的远红外反射光谱。实验观察到了类CdTe光学声子反射带的精细结构和低组份样品类HgTe反射带的复杂结构,研究了这些结构对组份和温度的关系,并用多振子模型讨论了反射光谱的这种精细结构。对实验反射光谱用经典的振子匹配方法进行了拟合计算,并从这种拟合运算获得了Cd(x-)Hg1-xTe的远红外介电函数谱及其它光学常数和频率的关系。
关键词: 相似文献
123.
124.
125.
利用MBE生长技术,成功地在不同晶向SrTiO3(100)(111)(110)衬底上生长了GaAs薄膜,利用显微Raman和荧光光谱(PL)对此进行了研究。实验结果表明,在不同晶向SrTiO3上生长的GaAs薄膜有不同的晶向和应力状态。荧光光谱(PL)研究表明在SrTiO3(100)(111)晶面上生长的GaAs薄膜的PL峰发生明显的蓝移。研究表明在SrTiO3(110)面上生长的GaAs薄膜和体单晶基本上一致,有更好的光学质量。 相似文献
126.
127.
MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较 总被引:2,自引:0,他引:2
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求. 相似文献
128.
摘要 本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5×10 相似文献
129.
通过测量混晶半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x-0.31,0.18)在远红外波段20~7000m~(-1)的反射与透射光谱,观察到了类ZnSe和类MnSe光学声子的频率与组份的异常关系,应用等位移模型具体地分析了混晶的晶格力常数与有效电荷的组份异常关系,并定性讨论了这些异常关系的物理起源。 相似文献
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首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围. 在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号. 随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变. 通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模
关键词:
高纯硅
光热电离光谱
元素半导体中的杂质和缺陷能级
少数载流子快速复合 相似文献