改善镀金可伐合金外引线耐蚀性的途径

半导体器件镀金可伐合金外引线的腐蚀断裂是一个亟待解决的问题。对此,国内外开展过不少研究工作,一方面研究其腐蚀机构,另一方面针对失效原因,寻求解决的办法。我们认为这个问题是非常复杂的,影响因素是多方面的,其最终解决,与冶金厂、管壳零件制造厂、器件厂和整机厂都有很大关系。只有从各个环节共同采取措施综合治理,消除一切可能的隐患,才能改善外引线     

底镀层对陶瓷封装芯腔表面高温变色的影响

研究了Ni底镀层和不同Co含量的Ni-Co合金底镀层对陶瓷封装芯腔镀金层表面抗高温变色能力的影响。420℃、15 min的高温考核表明:w(Co)超过10%以上的Ni-Co合金底镀层,对陶瓷封装芯腔表面抗高温变色能力明显优于纯Ni底镀层。镀层中w(Co)超过10%以上时,抗高温变色能力并不会随着Co含量增加而提高,仅随底镀层厚度的增加而明显增强。因而在陶瓷封装中,采用厚度大于4 mm的、含Co 15%左右的Ni-Co合金,代替Ni作为底镀层是可行的。     

改善镀金可伐合金外引线耐蚀性的途径

半导体器件镀金可伐合金外引线的腐蚀断裂是一个亟待解决的问题.对此国内外开展过不少研究工作,一方面研究其腐蚀机构,另一方面针对失效原因,寻求解决的办法.我们认为这个问题是非常复杂的,因素是多方面的,     

外引线弯曲疲劳断裂原因及其影响因素

通过SEM观察了经历不同弯曲次数疲劳试验的可伐合金引线样品,分析了引线在弯曲试验中所受的应力,提出了外引线弯曲疲劳断裂的失效模型,并讨论了施加的载荷、玻璃弯月面以及表面覆盖层对外引线弯曲疲劳断裂行为的影响.     

生坯密度和排蜡温度对玻璃绝缘子致密化影响

用不同密度的玻璃绝缘子生坯,在不同温度下排蜡,研究了玻璃绝缘子的致密化。发现生坯密度越大,排蜡后绝缘子线收缩越小,致密化程度大大提高;随排蜡温度升高,绝缘子致密化程度增大,致密化速率减小。为保证绝缘子获得较高致密度而不变形,应尽量提高生坯密度,同时排蜡温度应低于该种玻璃的转变温度上限。     

低介电常数封接玻璃的研制

在传统的硼硅酸盐封接玻璃的基础上通过引入不同的氧化物设计了3组玻璃配方,研究了硼硅酸盐玻璃的组成和介电常数以及润湿性能之间的关系.然后在优选的组分中加入适当的成孔剂,通过一定的制备工艺,制得具有适量的闭孔结构的多孔玻璃,并测定了其介电性能和封接特性等.研究结果表明,适当增加硼硅酸盐玻璃中的SiO2和Al2O3,同时加入适当的成孔剂,可以较好地兼顾玻璃的介电性能,同时使玻璃满足工业生产对其封接性能的要求.     

可伐合金封接用Li_2O-Al_2O_3-ZnO-SiO_2微晶玻璃研究

使用烧结法制备了Li2O-Al2O3-ZnO-SiO2微晶玻璃,利用差热分析、X射线衍射、扫描电镜等测试分析方法,对其析晶和封接特性进行了研究。结果表明,晶化温度低于800℃时,微晶玻璃主晶相为ZnAl2O4,晶体大小为0.5μm;晶化温度高于800℃时,析出晶体为ZnAl2O4和LiAlSi2O6纳米晶。该微晶玻璃具有与可伐合金相似的线膨胀系数,当加热温度达到980℃时,即可用于封接可伐合金;封接后的接口呈乳白色,外观良好,气密性和绝缘电阻均达到行业标准。     

SPS工艺对铜/金刚石复合材料性能的影响

采用SPS(放电等离子烧结)工艺制备了高体积分数铜/金刚石复合材料,研究了SPS中主要的工艺参数烧结温度、保温时间和烧结压强对复合材料相对密度和热导率的影响。结果表明:最佳的烧结温度为930℃;热导率和相对密度随保温时间延长有所提高,20min后趋于稳定;而随烧结压强由10MPa提高到70MPa,热导率约上升15%。经过优化工艺后,所制备的铜/金刚石复合材料最高热导率达到354.1W(m.K)–1,最高相对密度为98.4%。     

金属封装材料的现状及发展

本文介绍了在金属封装中目前正在使用和开发的金属材料。这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料,也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。为适应电子封装发展的要求,国内开展对金属基复合材料的研究和使用将是非常重要的。