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11.
12.
高亮度高效率蓝色聚合物发光二极管 总被引:7,自引:2,他引:5
蓝色聚合物发光二极管是人们关注的课题,前不久,我们报道[1]了利用ITO/PVCz/BBOT/Mg·Ag结构达到亮度1700cd/m2,量子效率0.2%的蓝色器件.在本文中我们报道以掺杂perylene(PRL)和triphenylamine(TPA)的poly(N-vinylcar-bazole)(PVCz)为空穴传输层,以PBD为空穴锁住层,Alq为电子注入层的器件,其亮度达6100cd/m2,量子效率达0.7500,流明效率0.451m/W的蓝色发光器件.就我们所知,这个亮度是蓝光中最高的亮度. 相似文献
13.
β-环糊精含硫衍生物自组单分子膜修饰金电极的选择穿透性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
β-环糊精含硫衍生物自组单分子膜修饰金电极的选择穿透性研究何品刚,方禹之,铃木,嚴长,哲郎(华东师范大学化学系,上海,200062)(东北大学药学部,仙台980,日本国)关键词硫辛酰-β-环糊精衍生物,自组单分子膜,金电极近年来,为在分子水平上控制和... 相似文献
14.
A general and practical procedure for the syntheses of 3,4-di-hydropyrimidine-2(1H)-thiones by a one-pot condensation of aldehyde,β-ketoester or β-diketone and thiourea using La(OTf)3 as the catalyst is described.Mild reaction conditions,excellent yields as well as the environmentally friendly character of La(OTf)3 make it an important alternative to the classic acid-catalyzed Biginelli‘s reaction. 相似文献
15.
16.
掠射椭偏术对K4[Fe(CN)6]/K3[Fe(CN)6]电极反应的研究 总被引:4,自引:1,他引:4
提出掠射椭圆偏振测试技术的实验方案,应用该掠射式技术循环 安法研究了在镀有In2O3玻璃片上进行的K4「Fe(CN)6」/K3「Fe(CN)6」电极反应,结果证明:掠射椭圆偏嗥中在电化学反应过程中现场测定椭圆偏振参数及其变化规律,这些规律与所发生的表面电化学反应规律相对应,由此可以对电极体系进行研究,现场掠射椭圆偏振术还能用于分析表面扩散层的性质,弥补其它界面研究方法的缺陷。 相似文献
17.
内孤立波在海洋中广泛存在,其在生成、传播演化以及耗散过程中对海洋环境、地形地貌和海洋结构物等有着深远的影响.针对内孤立波理论模型研究,已有理论模型包括单向传播Korteweg-de Vries (KdV)类方程和双向传播Miyata-Choi-Camassa (MCC)类方程,然而,两类方程均未能有效地模拟大振幅内孤立波的传播演化过程.本文采用渐近匹配方法,对原始单向传播内孤立波方程的系数进行修正,建立了改进的单向传播内孤立波理论模型.在此基础上,通过比较分析改进了前后内孤立波的理论模型,结果表明,改进后的理论模型稳态内孤立波的理论极限振幅能达到MCC方程稳态内孤立波的理论极限振幅.结合系列实验结果,通过定量分析稳态内孤立波有效波长、波速和波形与MCC方程稳态内孤立波理论解的吻合度,进一步分析了改进后的内孤立波理论模型在表征定态内孤立波特性方面的适用性.此外,针对平坦地形条件下大振幅内孤立波非定态传播演化过程,探究各类单向传播孤立波理论模型的稳定性.研究表明改进后高阶单向传播内孤立波理论模型可用于表征大振幅内孤立波传播演化特性,为海洋结构物水动力学研究提供理论依据. 相似文献
18.
量子混沌在谱涨落统计特征上的表象 总被引:4,自引:0,他引:4
通过对Henon-Heiles模型、Barbanis模型和刚环转球模型这两类三种守恒体系之对应量子体系的研究,具体地剖析了本征值谱涨落统计特征与体系动力学行为的联系,说明了量子混沌现象的两种表现形式。同时,通过将本质上属于经典耗散系范畴的Lotka-Volterra模型之演化方程哈密顿化,发现其量子对应系本征值谱的涨落统计特征超出了Poisson-GOE(Wigner)或GUE框架。揭示出经典耗散 相似文献
19.
自1966年 C·A·Mead 提出肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管(以下称为 GaAsMES-FET)以来,经过精心的研究,其性能已有显著地改进,特别是近年来,随着以通信卫星为主的通信系统的进展,迫切地希望低噪声器件在 S~X 波段上的实用化。然而,过去这多半还是靠参量二极管、变容二极管以及双极晶体管来实现的。其主要原因则是GaAsMESFET 研制时间不长,缺乏关于其应用电路技术和器件可靠性等方面的经验。然而,随着这些问题的逐步明确,预期这种 GaAsMESFET 将在今后各个领域内得到广泛应用。本文将以1微米栅的 GaAsMESFET 为主,叙述 MESFET 的应用。 相似文献
20.
提出了一种改进的三阶单环Sigma-Delta调制器,噪声传递函数采用前馈方式实现极点,降低了积分器输出信号的幅度,从而降低功耗;采用局部反馈实现零点,从而优化了输出信噪比。采用0.35μm CMOS工艺设计了该调制器,过采样率128,信号带宽24kHz,分辨率16bit,在3.3V工作电压下,模拟电路部分功耗2.7mW,数字部分功耗0.5mW。电路用开关电容技术实现,在HSPICE中通过多工艺角验证。 相似文献