国际光学工程学会会议录馆藏新目录

波光学与信息处理用超大规模集成光子器件 =ＷａｖｅｏｐｔｉｃｓａｎｄＶＬＳＩｐｈｏｔｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓｆｏｒｉｎ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ//Ｐｒｏｃ.ＳＰＩＥ .- 2 0 0 1 ,443 5 .- 2 6 0 ｐ光学元件中周期结构的物理性质、理论和应用=Ｐｈｙｓｉｃｓ ,ｔｈｅｏｒｙ ,ａｎｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆｐｅｒｉｏｄｉｃｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｉｎｏｐｔｉｃｓ//Ｐｒｏｃ .ＳＰＩＥ .- 2 0 0 1 ,443 8.- 2 2 2 ｐ可变焦距透镜ＩＩＩ =ＺｏｏｍｌｅｎｓｅｓＩＩＩ//Ｐｒｏｃ.ＳＰＩＥ .- 2 0 0 1 ,4487.- 1 42ｐ…     

光电子技术与器件 光能转换与器件

TM9142006010565UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用=Application of a Si Ge multi-quantum well grown byUHV-CVD for thermophotovoltaic cells[刊,中]/孙伟峰(浙江大学硅材料国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),叶志镇…∥半导体学报.—2005,26(11).—2111-2114为了验证Si Ge多量子阱的能带向直接带隙结构转变和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的Si Ge多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量。测量结果说明吸收峰接近黑体辐射峰1450nm波长,跃迁…     

光谱学 激光光谱学

O433．54 2006064900高灵敏度半导体激光吸收光谱技术=High sensitivity di- ode laser absorption spectroscopy[刊,中]/黄炜婷(华东师范大学光谱学与波谱学教育部重点实验室,上海(200062)),郝群玉…//半导体光电．—2006,27(3)．—342—345以可调谐外腔半导体激光器为光源,结合光外差调制技术、浓度调制技术建立了一套高灵敏度半导体激光光谱测量系统。可用来开展对瞬态分子的高分辨光谱研究。还在实验和理论上研究了不同解词相位下信号的线型．给出了较好的解调相位。图4参11(严寒)     

半导体激光器的线宽理论与实验

本文采用气压一波长扫描F—P干涉法测量了国产半导体激光器的输出线宽.测量结果表明:质子轰击条形AlGaAs/GaAs(DH)注入激光器线宽典型值为3.2GHzmW~(-1).该结果与C.H.Henry的半导体激光器的线宽理论相差27倍.为解释这误差,本文从半导体激光器的噪声理论和激光器谐振腔理论出发,具体分析了条形半导体激光器谐振腔波导结构,讨论了半导体激光器线宽的结构增宽,修正了C.H.Henry的线宽理论公式.经过修正的线宽理论公式具有更普遍意义,并与实验结果取得了基本一致.     

多孔硅发光机制的分析

从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应，推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了ＰＳ光致发光的实验现象。     

自聚焦棒耦合性能的分析

本文采用光线光学的原理分析了自聚焦棒（ＧＲＩＮ）的光学性能，在折射率分布为抛物线近似的条件下，推导出较为简单的ＧＲＩＮ中的光线轨迹方程，并实验测量了ＧＲＩＮ的耦合效率，从而由理论和实验两方面讨论ＧＲＩＮ的聚焦特性。     

非相干辐照对LiNbO3:Fe晶体光折变非线性的影响与控制作用

研究了非相干辐照对LiNbO3:Fe晶体中从自散焦到自聚焦的动态转换过程的影响和控制作用.无论是从前向还是从背向加入非相干辐照，都能加快自散焦、自聚焦过程以及从自散焦到自聚焦的转换过程，增大折射率的变化值.当非相干辐照以一定的时间间隔重复辐照在晶体上时，透射功率能迅速地上升和下降，具有明显的开关效应.这种在非相干辐照控制下折射率的迅速改变有望应用于全光学开关器件. 关键词： 非相干辐照 光伏效应 自散焦 自聚焦     

受迫振动演示实验装置

本文叙述用示波器显示来演示受迫振动的实验装置，可直观地向学生展示受迫振动的幅频特性和相频特性。     

5-(对羧基苯偶氮)-8-羟基喹啉与钍的显色反应及应用

研究了钍与5-(对羧基苯偶氮)-8-羟基喹啉(5-CPAHQ)的显色反应条件:在阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)存在下,pH4.4-5.4缓冲介质中,形成稳定的橙红色络合物,最大吸收波长为490nm,ε=1.10×105L·mol-1·cm-1,钍在0-9μg/25mL范围内符合比尔定律。用TBP萃淋树脂分离,该方法可用于测定矿石中的微量钍。