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11.
在北京同步辐射装置上应用同步辐射X射线小角散射技术研究TATB样品微孔状况,分析了微孔结构参数的变化。采用不同制备工艺(机械研磨、化学合成、气流细化、全结晶、粉碎)和不同存放时间的TATB粉末样品共计7份。  相似文献   
12.
13.
本文介绍了一种高集成、高性能的多规程通信接口芯片──MC68302,详细说明了其内部硬、软件结构,并据亲身应用所得经验和体会,从多方面介绍利用该芯片设计各种通信电路。  相似文献   
14.
中尧 《激光技术》1994,18(2):128-128
美国洛杉矶的南加州大学研制成一种到目前为止还未命名的新聚合物,该聚合物有高的光学非线性特性,可用来制作典型的高达40GHz带宽的电光调制器。科学家们宣称,性能达到100GHz将可能不会遇到严重问题。  相似文献   
15.
基于化学热力学平衡分析方法,计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律,研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明,氧化性气氛下,As以As2O5、As4O6、AsO等氧化物的形式存在;Se主要以SeO2形式存在;Pb在1000 K以下主要是固态PbSO4,1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下,As在较低温度时为固态As2S2,900-1400 K以As2、AsS、AsN气体共存,2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H2Se存在,1100 K开始生成SeS和Se2气体,1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO;Pb在中低温时主要是PbS,1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS(g)、PbS(g)、SeS(g)的比例,氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响;Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小,但对Pb的形态分布影响较大。  相似文献   
16.
在冲击动态加载破坏下,金属材料会产生微孔洞、微裂纹和位错等微结构缺陷,这会明显影响材料的某些性能。采用中子小角散射技术研究了冲击加载前后合金材料微缺陷的变化。实验样品分别是以Al和Mg为基体、含有少量其他元素的两种圆柱状合金材料,将样品用不同速度的钢弹冲击,测量样品为加载前、后合金材料共计4个。  相似文献   
17.
试用飞数法计算517 623 46=73 592 369=4,275 648 736=3,608 4,935 417=648 3,172 5,607=2,935 47,018十2,451=6,138 50,612 9,348=5,072 4,965 38,072=61,735 1,084 17,618=40,612 73,062 51,706= 表格算(左侧每个加数,与横行加数分别相加并把和写上):第三章 减法第一节 不借位减法一、什么是减法 已知两个加数的和与一个加数,求另一个加数是多少的运算,我们称作减法。  相似文献   
18.
随着CMOS IC生产工艺的不断进步,目前技术上已经进入深亚微米阶段,可以把复杂的微控制器(MCU)内核集成在一块芯片上,同时留有足够的硅片面积用于实现复杂的存储器和外设逻辑,过去用于高端32位和64位CPU的设计方法和架构现在已经能够有效的用于低价8位微控制器系统.利用这些功能强大而且便宜的微控制器,全系统的集成度不断提高.硬件结构可执行更复杂高效的程序,集成更多的硬件功能.应用领域和市场容量越来越大.  相似文献   
19.
认字: 4的 ]3门 13}的14} _‘}替_气} ---二-}数-=-} 吕‘J,州 2的 替 数 替 数 替数 ﹃||!习 如四、减数是5吟 门O门1门 10}的11}的12} _气!替_,}替_,} 一示」数一念」数一幸J 卜规律:减数是5,看被减数本个数的替数。 乌‘ 笔算: 1 4 111 3 1 0 1 2 1 4 10 一5一5一5一5一5一5‘5 1 3 1 4 1 0 1 3 1 1 1 4 12 一5~5一5一5一5一5一5 1 0 1 3 1 2 1 1 1 2 1 8 14 一5一5一5一5一5一5一5 一5一5一5一5 0l 一5一5 56 2 34 5一5一5 78一9 一至琴琴﹂一巧一王贾苏今山 如:11一5二6 匕+SJ 替数 个+5 替数 l1 14一5二9 11一5二 13一5二 12~5二 10…  相似文献   
20.
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