硅栅n-MOS工艺的发展

对于采用局部氧化(LOCOS)工艺的普通LSI硅栅n-MOS技术进行了重新设计。重新设计后的有源器件隔离不再使用氮化硅作掩蔽层。这样缩短了工艺流程,同时避免了由于采用LOCOS所产生的诸如鸟嘴的形成及有源区域电的侵蚀等问题。 我们采用重新设计的E/D工艺,作一套试验掩模制造了一些器件,并对这些器件的性能进行了评价。研究发现,测量结果与理论计算位非常一致。     

CM8804 8×4模拟开关矩阵

本文简述了CM8804的原理、特点及主要用途,介绍了其设计特点,并对研制过程作了分析总结,对器件进行了综合评价。