高灵敏度塑料光纤倏逝波传感器研究

为了提高塑料光纤倏逝波传感器的灵敏度,提出了一种新型结构的塑料光纤传感器,该传感器由光纤纤芯、包层和涂敷层三层构成.光纤包层和纤芯由标准塑料光纤的包层和纤芯材料构成,涂敷层由二甲苯稀释的加拿大树脂与TiO2纳米掺杂剂组成;光纤包层、纤芯和涂敷层的折射率阶跃增大,用于提高光纤表面发光强与透射深度.实验分析了 TiO2及涂...     

梁式引线GaAs混频二极管对

文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底,选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒,ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１,结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ,正向微分电阻为３～６Ω,分布电容较小,结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ,正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中,中频带宽为４～８ＧＨｚ,混频器的变频损耗低于２０ｄＢ,本振功率为１３ｄＢｍ。     

美军战场个人通信系统技术发展

美军面向２１世纪,为打赢战场信息战,在海湾战争通信保障成功经验上,充分利用先进的商用码分多址（ＣＤＭＡ）移的通信及系统,用以研制和构筑新型战场个人通信系统。     

Validity of Lamb-Dicke Approximations in Ion-Trap Systems

The Lamb-Dicke （LD） approximation （LDA） is usually utilized to simplify the treatments for the dynamics of ion-trap systems, where the so-called LD parameters should be sufficiently small. In this Letter, based on the quantum dynamics of a single trapped ion beyond the LDA, we discuss the fidelities of the control-NOT （CNOT） gate generated by performing the usual LDA. It is shown that the fidelity of the generated CNOT gate under the LDA is sufficiently high for the current LD experiments, e.g., it reaches 99.9% for η=0.20. The validity of the LDA is also discussed by calculating these fidelities for slightly larger LD parameters, e.g., η=0.4, etc.     

具有波长不敏感特性的全光纤时分复用器

分析了熔锥型非对称单模光纤耦合器的宽带特性,介绍了采用２×２宽带光纤耦合器进行级联实现的８×２．５Ｇｂ／ｓ时分复用器,信号源采用增益开关量子阱ＤＦＢ激光器,脉冲宽度为４０ｐｓ,周期为４００ｐｓ。实验结果表明,采用这种方案制作的时分复用器,插入脉冲的间隔均匀,脉冲的波动小且损耗低,同时,这种时分复用器具有对波长响应不敏感的特性     

面向后三代移动通信的MIMO—GMC无线传输技术

面向后三代移动通信应用，本文提出多入多出(MIMO)信道环境下广义多载波(GMC)无线传输技术方案，对其中若干关键技术进行了简要阐述，包括广义多载波合成与分析系统的设计与实现、双循环自适应时隙结构、导频设计与信道估计、迭代检测译码方法等，并给出瑞利衰落MIMO信道环境下链路仿真结果．     

基于FBG传感器的新型重量动态监测装置

为了保障车用电梯安全运行,利用弹簧隔振器、缓冲垫、液压缓冲器、光纤Bragg光栅(FBG)及钢板构建了一种新型的重量实时监测装置.车重信息采用FBG进行感知.隔振器对称的安装在高强度高韧性钢板表面,FBG固定在缓冲垫上.实验研究了传感装置对不同重量车辆的响应特性,传感器受车辆碾压后Bragg谐振中心波长漂移量随时间的变化关系,以及温度和车速对传感装置测量结果产生的影响.实验研究发现:在25～60℃温度范围内,传感装置测量结果不受温度影响;当车辆重量为1 143～3 279 kg,传感装置的Bragg中心波长漂移量与重量之间具有线性关系;车速为5～30 km/h时,最大测量相对误差为3.64％.     

CDMA850MHz频段翻新部署LTE方案探讨

在现有频谱基础上采用Refarming技术可提升现有频谱资源的使用效率,进一步降低LTE网络的建设成本以及加快部署速度。主要探讨了在现有CDMA 850MHz频段上通过Refarming技术部署LTE网络的方案及其可行性,并指出可能会遇到的问题和挑战。     

耐250℃高温的1200V-5A4H-SiC JBS二极管

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250℃下依旧能正常工作.研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600 V硅快恢复二极管(Fast recovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%.这是国内首次报道的250℃高温下正常工作的碳化硅JBS二极管.     

Er3 + /Yb3 + 共掺双包层光纤超荧光光源的实验研究

报道了基于双程后向单级泵浦结构的宽带Er3 + /Yb3 +共掺双包层光纤超荧光光源的 实验研究结果。采用980nm泵浦源,通过优化泵浦功率和光纤长度,在波长1550nm处,实验仅用1m Er3 + /Yb3 +共掺双包层光纤获得了30. 8mW的超荧光输出,泵浦斜效率为28% ,光谱3dB带宽为35nm。