Elastic behaviour of an edge dislocation near a sharp crack emanating from a semi-elliptical blunt crack

The interaction between an edge dislocation and a crack emanating from a semi-elliptic hole is dealt with. Utilizing the complex variable method, closed form solutions are derived for complex potentials and stress fields. The stress intensity factor at the tip of the crack and the image force acting on the edge dislocation are also calculated. The influence of the morphology of the blunt crack and the position of the edge dislocation on the shielding effect to the crack and the image force is examined in detail. The results indicate that the shielding or anti-shielding effect to the stress intensity factor increases acutely when the dislocation approaches the tip of the crack. The effect of the morphology of the blunt crack on the stress intensity factor of the crack and the image force is very significant.     

Superconductivity of bilayer titanium/indium thin film grown on SiO_2/Si(001)

Bilayer superconducting films with tunable transition temperature(Tc) are a critical ingredient to the fabrication of high-performance transition edge sensors. Commonly chosen materials include Mo/Au, Mo/Cu, Ti/Au, and Ti/Al systems. Here in this work, titanium/indium(Ti/In) bilayer superconducting films are successfully fabricated on SiO_2/Si(001)substrates by molecular beam epitaxy(MBE). The success in the epitaxial growth of indium on titanium is achieved by lowering the substrate temperature to-150?C during indium evaporation. We measure the critical temperature under a bias current of 10 μA, and obtain different superconducting transition temperatures ranging from 645 m K to 2.7 K by adjusting the thickness ratio of Ti/In. Our results demonstrate that the transition temperature decreases as the thickness ratio of Ti/In increases.     

0．8μm SOI CMOS技术及电路研制

SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势文中叙述采用SIMOX材料和0.8μm SOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOI CMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500 Krad(Si)钴60γ射线辐照实验。     

石英加计伺服电路加速退化数据处理方法研究

以石英加计伺服电路的性能退化参数为研究对象,提出了两种基于伪失效寿命和基于性能退化量分布的加速退化数据处理方法;并通过实例说明这两种方法在实际中的具体应用,为石英加计的可靠性状态监测及评估提供了支撑.     

集成电路用的封装树脂

<正> 现在塑料封装是集成电路(IC)的主要封装方式,而采用环氧树脂的低压传递模塑法又是塑料封装最普遍采用的方法。塑料封装方法分为液态树脂的灌铸法、预成形法、浸渍法和使用固态粒状树脂的低压传递模塑法。由     

基于DRM的多媒体课件点播

数字版权保护是网络远程教育中多媒体课件点播必须解决的问题。通过对数字版权管理技术进行研究。设计实现的课件点播数字权限管理系统功能包括：多媒体课件加密、打包、用户权限设定、许可证产生和分发。     

无线传感网络监测数据分类算法仿真分析

研究无线传感网络数据的准确分类问题。针对无线传感网络监测得到的数据属性呈现高冗余特征,用传统的BP神经网络进行分类易陷入局部最优解、泛化能力差、收敛速度慢与精度低等问题,造成数据很难被准确分类,提出用免疫算法优化BP神经网络的分类算法。该算法利用免疫算法所具有的全局收敛特性和个体多样性保持机制,全局搜索优化BP神经网络的权值,再用BP算法对其开展局部搜索工作。仿真实验结果证明,该算法能够有效克服训练经典BP神经网络时容易陷入局部极值的不足,加快了网络的收敛速度,传感器网络数据分类识别的准确率也得到了大幅度提高。     

抑制共模噪声的SIW 平衡馈电差分缝隙天线阵*

提出一种利用差分天线在共模激励和差模激励下方向图不同来抑制共模噪声的方法,并基于该理论 设计了6×6 平衡馈电差分SIW 缝隙天线阵进行验证。该天线由6个宽边纵向SIW 缝隙天线子阵列组成。辐射缝隙 被设计为只在差模激励下辐射,达到抑制共模信号的目的。每个天线子阵采用平衡差分馈电方式,使用两个1分6 梳状功分器将6个子阵同时激励。整个天线使用标准PCB 工艺加工,为了测试共模和差模激励,分别设计了带有 180°相移的功分器和T型功分器用来生成差模和共模信号。在差模激励下,天线的最大增益为20.2dBi,S11幅值小 于-10dB 带宽为7.2%(39.6 ~43.8GHz),在共模激励下天线的最大增益为10.1dBi,在整个工作频段内S11幅值大于 -7dB。仿真和实验结果验证了该结构的SIW 缝隙天线对差模信号能够有效地辐射而对共模信号进行抑制。     

基于间隙光纤光栅的微间隙与温度同时测量技术

间隙光纤光栅(g-FBG)兼具菲索干涉和相移光纤光栅(PSFBG)的特征,仿真研究和分析了g-FBG反射谱中菲索干涉谱型和相移光纤光栅谱型对微间隙和温度的敏感特性,提出了一种同时测量微间隙和温度的方法,并建立了测量模型。搭建g-FBG实验系统,测试了不同间隙下的反射谱,验证了仿真结果,数据分析表明微间隙测量误差小于±5nm;制作g-FBG传感头,实现了位移和温度的同时测量,温度灵敏度为8.3pm/℃,测量精度可达0.1℃。基于g-FBG的微间隙与温度同时测量技术具有精度高、体积小和设计灵活等优点。通过建立微间隙与温度的关联方程,可补偿由于温度变化对间隙测量的影响,实现温度无关的微间隙测量。     

中国经济未到拐点

＂在中国整体经济中,劳动力从传统农业部门向现代工业部门的转移速度并没有放慢。＂近来,有一位美国经济分析人士认为,近两年来,中国一些沿海地区出现了＂民工荒＂,民工的工资也大幅度上升,表明中国劳动力市场已经面临＂刘易斯＂拐点,