斜波导喇曼振荡器

 采用斜波导的喇曼氢气池, 使泵浦激光束在波导内部传播, 增大了受激喇曼散射的作用区域。在传播过程中光束截面逐渐被压缩, 补偿因波导内壁的反射损耗而引起的功率密度下降。在一定气压范围内提高了喇曼转换的效率, 并利用波导对激光束的均匀作用, 使输出的一阶斯托克斯光光强的均匀性获得改善。     

国产F_(46)母料着色工艺的研究

一、前言自1958年美国杜帮公司制成F_(46)树脂后,因其具有优良的电气性能、工作温度范围宽、不燃烧,耐化学介质、耐自然环境老化、加工方便、着色容易等一系列优点,而被广泛地用作电线电缆的绝缘和护套材料。我国 F_(46)电线的研究始于1967年,至60年代末进入大批量生产。为安装敷设方便,电     

低相噪DDS信号产生电路的设计

本文介绍了DDS的基本原理以及DDS芯片AD9852的功能特点.详细介绍了一种基于单片机和DDS的频率源电路的软硬件实现方案.利用单片机AT89C51控制DDS芯片AD9852,产生了一个低相位噪声的信号.在进行软硬件设计过程中,总结出了产生低相噪DDS信号的一些注意事项,对设计低相噪DDS信号产生电路有很大的帮助.     

基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器（MRCS）。为了检测微弱电流，此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的，设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为50-10000倍、，待测的50Hz交流电流在50mA-12A时，输出电压在0.3-3.5V变化，并且两者之间有比较好的线性关系，标准偏差小于0.02，完全能满足工业上对电流的监测作用，从而保护因异常情况停止运转的马达。     

Measuring Grüneisen Parameter of Lead by High Pressure-Jump Method

Using the technology of pressure jump, variations of temperature associated with pressure from 2.4 GPa to 4.6 GPa are measured for lead. The Grfuneisen parameter is calculated from the thermodynamic relation γ =（Ks/T）（aT/aP）s, in which substitution of △T/△P for aT/aP at median pressure is strictly justified. The correction of temperature change is carried out by analysing the experimental data, which makes the process more approaching to an adiabatic condition. The calculated values of △T/ △ P and γ gradually decrease with the increasing pressure. The decrease trend is consistent with the previous work. The γ values in the range of 2-3 GPa are averagely higher than the results of Ramakrishnan et al., indicating the effect of temperature correction. The improved method is promising for measurements of Grfineisen parameter to higher pressure range.     

DDS信号产生电路相位噪声的分析

相位噪声是制约DDS用于高稳定频率源的的关键指标。文中定量给出了DDS内部相位截断误差、幅度量化误差、DAC以及参考时钟源对相位噪声的影响，并着重分析了DDS外围电路对相位噪声的影响，讨论了相位噪声恶化的原因，给出了进行电路设计时需要注意的一些事项，对设计低相噪DDS信号产生电路有很大的帮助。     

射频溅射沉积SiO2膜的工艺及其结构性能研究

利用自制的磁控溅射沉积设备,针对影响SiO2薄膜沉积速率的氩气流量,氧气分压两个关键参数进行工艺研究,并通过扫描电子显微镜(SEM)对沉积完成的Si不O2薄膜表面、剖面结构质量进行表征,结果表明,射频溅射沉积的SiO2薄膜均匀、致密,具有良好的结构性能.     

一九八七年夏季新型材料及材料青年学术讨论会

会议于1987年8月25至28日在上海举行。凡35岁以下的青年科学工作者,在工程陶瓷、     

Si-SiO_2界面的粗糙度

利用椭偏反射光谱不但验证了Si-SiO_2界面是一祖糙面,而且在恰当的模拟形貌下,把这界面粗糙层等效为若干子层,用有效介质理论处理。分别得到各自的介电特性。通过多相椭偏光反射光谱的理论计算值ψ_(cal),△_(cal)与实验值ψ_(exp),△_(exp)的比较,把粗糙的高度H及相关长度L确定,把不同条件下制备的样品的粗糙度和它们的电气性能相对比,发现两者之间的趋势十分一致。同时发现,在界面上Si的介电常数具有轻度的各向异性。